Elettronica Applicata, Dispense di Elettronica Applicata. Politecnico di Torino
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Elettronica Applicata

Alberto Tibaldi Luca De Villa Palù

27 agosto 2009

Indice

1 L’Amplificatore Operazionale 6 1.1 Applicazioni, parte 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

1.1.1 Amplificatori Operazionali Ideali . . . . . . . . . . . . 7 1.1.2 Amplificatori Operazionali non ideali . . . . . . . . . . 9

1.2 Specchi di Corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 1.2.1 Specchio di corrente a BJT . . . . . . . . . . . . . . . . 14 1.2.2 Specchio di corrente a MOSFET . . . . . . . . . . . . . 20

1.3 Applicazioni, parte 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22 1.3.1 Voltage Follower . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 1.3.2 Transresistenza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 1.3.3 Amplificatore invertente . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 1.3.4 Integratore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27 1.3.5 Sommatore Invertente . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 1.3.6 Amplificatore differenziale . . . . . . . . . . . . . . . . 30

1.4 Stadio Differenziale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34 1.4.1 Transcaratteristica dell’amplificatore differenziale . . . 38

1.5 Primo progetto di un amplificatore operazionale . . . . . . . . 43 1.6 Stadi di Potenza a Transistori Bipolari . . . . . . . . . . . . . 46

1.6.1 Stadi di potenza convenzionali (Classe A) . . . . . . . 47 1.6.2 Variante per stadi di potenza convenzionali . . . . . . . 51 1.6.3 Amplificatori in classe B e AB . . . . . . . . . . . . . . 54

1.7 Amplificatore Operazionale - Reprise . . . . . . . . . . . . . . 60 1.7.1 Presenza di Offset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61 1.7.2 Dinamica di ingresso di modo comune . . . . . . . . . 62 1.7.3 Dinamica di uscita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64 1.7.4 Impedenze di ingresso . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64 1.7.5 Modello equivalente dell’amplificatore operazionale . . 66

1.8 Applicazione: Progetto di un amplificatore non invertente . . . 66 1.9 Stabilità di un amplificatore operazionale . . . . . . . . . . . . 74

1.9.1 Prodotto banda-guadagno . . . . . . . . . . . . . . . . 80

1

1.9.2 Slew Rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81

2 Filtri Attivi 85 2.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85

2.1.1 Integratore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86 2.1.2 Derivatore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92 2.1.3 Filtro passa banda del I ordine . . . . . . . . . . . . . 95

2.2 Generalità sui filtri attivi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96 2.2.1 Determinazione delle funzioni di trasferimento . . . . . 97

2.3 Celle fondamentali . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103 2.3.1 Cella di Sallen-Key . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104 2.3.2 Configurazione K-RC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108 2.3.3 Celle a guadagno infinito . . . . . . . . . . . . . . . . . 110 2.3.4 Filtri a variabili di stato . . . . . . . . . . . . . . . . . 112 2.3.5 Cella di Tow-Thomas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117 2.3.6 Simulatore di induttanza . . . . . . . . . . . . . . . . . 120

2.4 Filtri a condensatori commutati . . . . . . . . . . . . . . . . . 124 2.5 Conclusioni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133

3 Applicazioni dell’amplificatore operazionale 135 3.1 Amplificatori da strumentazione . . . . . . . . . . . . . . . . . 135

3.1.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135 3.1.2 Realizzazione di amplificatori da strumentazione . . . . 137

3.2 Circuiti monoalimentati . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145

4 Amplificatori non lineari 150 4.1 Amplificatore logaritmico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150

4.1.1 Esempio pratico di progetto . . . . . . . . . . . . . . . 153 4.2 Raddrizzatore a singola semionda . . . . . . . . . . . . . . . . 159

4.2.1 Varianti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163 4.3 Raddrizzatore a doppia semionda . . . . . . . . . . . . . . . . 165

4.3.1 Varianti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169 4.3.2 Esempio di Progetto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173 4.3.3 Conclusione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175

5 Uso dell’amplificatore operazionale fuori linearità 176 5.1 Comparatori di soglia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177

5.1.1 Isteresi di un comparatore di soglia . . . . . . . . . . . 179 5.1.2 Conclusioni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184

5.2 Multivibratori astabili . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184 5.3 Generatore di onda triangolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190

2

5.3.1 Esempio teorico/pratico di progetto . . . . . . . . . . . 193 5.4 Oscillatori sinusoidali . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203

5.4.1 Condizioni di Barkhausen . . . . . . . . . . . . . . . . 204 5.4.2 Realizzazione pratica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205 5.4.3 Oscillatore a ponte di Wien . . . . . . . . . . . . . . . 206 5.4.4 Oscillatori a sfasamento . . . . . . . . . . . . . . . . . 210 5.4.5 Oscillatori a tre punti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 213 5.4.6 Oscillatori al quarzo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 218

5.5 Voltage Controlled Oscillator (VCO) . . . . . . . . . . . . . . 219

6 Interruttori elettronici 226 6.1 Interruttori a BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227

6.1.1 Esempio pratico di progetto . . . . . . . . . . . . . . . 230 6.2 Interruttori a MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 231

6.2.1 Esempio pratico di progetto . . . . . . . . . . . . . . . 233 6.3 Comportamento dinamico di un interruttore . . . . . . . . . . 234

6.3.1 Comportamento dinamico dei BJT . . . . . . . . . . . 237 6.3.2 Comportamento dinamico dei MOSFET . . . . . . . . 239

6.4 Interruttori bidirezionali . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 241 6.4.1 Transmission gate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 245

7 Alimentatori off-line 248 7.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 248 7.2 Alimentatori tradizionali . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250

7.2.1 Esempio teorico/pratico di progetto . . . . . . . . . . . 252 7.3 Alimentatori switching . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 258 7.4 Regolatori di tensione lineari . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 261

7.4.1 Partitore con elemento variabile parallelo . . . . . . . . 262 7.4.2 Partitore con elemento variabile serie . . . . . . . . . . 263 7.4.3 Regolatori di tensione “regolabili” . . . . . . . . . . . . 268 7.4.4 Regolatori LDO (Low Drop-Out) . . . . . . . . . . . . 269

7.5 Regolatori switching . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 272 7.5.1 Convertitore buck . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 273 7.5.2 Convertitore boost . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 285 7.5.3 Convertitore buck-boost . . . . . . . . . . . . . . . . . 288 7.5.4 Convertitore flyback . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 293

8 Circuiti logici 295 8.1 Introduzione alle porte logiche: l’inverter . . . . . . . . . . . . 296

8.1.1 Cenni sulla famiglia logica TTL . . . . . . . . . . . . . 300 8.1.2 Fan-out di una porta logica . . . . . . . . . . . . . . . 302

3

8.2 Ingressi e uscite di porte logiche . . . . . . . . . . . . . . . . . 304 8.2.1 Uscita totem-pole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 304 8.2.2 Uscita tri-state . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 304 8.2.3 Uscita open collector (open drain) . . . . . . . . . . . . 305 8.2.4 Logica wired-or . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 305 8.2.5 Varianti sull’ingresso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 306

8.3 Inverter CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 307 8.3.1 Variante allo schema: diodi di clamp . . . . . . . . . . 311

8.4 Realizzazione di porte logiche complesse . . . . . . . . . . . . 313 8.4.1 Sintesi di una generica porta logica invertente . . . . . 316

8.5 Tecnologie alternative alla CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . 317 8.5.1 Tecnologia nMOS-like . . . . . . . . . . . . . . . . . . 317 8.5.2 Logica dinamica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 318 8.5.3 Circuiti logici pass-transistor . . . . . . . . . . . . . . . 320

8.6 Esempi pratici . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 321 8.6.1 Esempio pratico 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 322 8.6.2 Esempio pratico 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 323 8.6.3 Esempio pratico 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 325

8.7 Comportamento dinamico delle porte logiche . . . . . . . . . . 327 8.8 Circuiti sequenziali . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 331

8.8.1 Metastabilità . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 331 8.8.2 Latch S-R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 332 8.8.3 D-Latch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 334 8.8.4 Flip-flop tipo D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 337 8.8.5 Osservazioni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 342 8.8.6 Contatore asincrono . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 344 8.8.7 Contatore sincrono . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 345 8.8.8 Meccanismo di Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 347

9 Circuiti di interfacciamento: Interruttori Reprise 349 9.1 Interruttori low-side . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350 9.2 Interruttori a BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350

9.2.1 Variante: porta logica open-collector . . . . . . . . . . 351 9.2.2 Variante: uso di una coppia Darlington . . . . . . . . . 352 9.2.3 Pilotaggio di carichi con alimentazione negativa . . . . 354 9.2.4 Schemi a tre transistori . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355

9.3 Interruttori a MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 356 9.4 Interruttori high-side . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 358

9.4.1 Interruttori high-side con finale npn . . . . . . . . . . . 359 9.4.2 Interruttori high-side con finale pnp . . . . . . . . . . . 361 9.4.3 Interruttori high-side a MOSFET / Varianti . . . . . . 363

4

9.5 Carico reattivo: free wheeling . . . . . . . . . . . . . . . . . . 366

10 Sistemi di acquisizione dati 371 10.1 Introduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 371

10.1.1 Quantizzazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 373 10.1.2 Errore di quantizzazione . . . . . . . . . . . . . . . . . 375

10.2 DAC: Digital/Analog Converter . . . . . . . . . . . . . . . . . 383 10.2.1 Transcaratteristica di un DAC . . . . . . . . . . . . . . 383 10.2.2 Errori di linearità e di non linearità . . . . . . . . . . . 384 10.2.3 Errori dinamici . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 389 10.2.4 DAC Potenziometrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 390 10.2.5 Convertitore a resistenze pesate . . . . . . . . . . . . . 392 10.2.6 Convertitore con rete a scala . . . . . . . . . . . . . . . 396

10.3 ADC: Analog/Digital Converter . . . . . . . . . . . . . . . . . 400 10.3.1 Comportamento dinamico . . . . . . . . . . . . . . . . 403 10.3.2 Convertitore Flash . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 404 10.3.3 Convertitori A/D con D/A in reazione . . . . . . . . . 405 10.3.4 Convertitori ad inseguimento (up/down) . . . . . . . . 406

10.4 Sample and Hold . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 409 10.4.1 Transcaratteristica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 410 10.4.2 Realizzazione pratica di un Sample / Hold . . . . . . . 414

5

Capitolo 1

L’Amplificatore Operazionale

Indice 1.1 Applicazioni, parte 1 . . . . . . . . . . . . . . . . 7

1.1.1 Amplificatori Operazionali Ideali . . . . . . . . . . 7 1.1.2 Amplificatori Operazionali non ideali . . . . . . . . 9

1.2 Specchi di Corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 1.2.1 Specchio di corrente a BJT . . . . . . . . . . . . . 14 1.2.2 Specchio di corrente a MOSFET . . . . . . . . . . 20

1.3 Applicazioni, parte 2 . . . . . . . . . . . . . . . . 22 1.3.1 Voltage Follower . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 1.3.2 Transresistenza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 1.3.3 Amplificatore invertente . . . . . . . . . . . . . . . 25 1.3.4 Integratore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27 1.3.5 Sommatore Invertente . . . . . . . . . . . . . . . . 28 1.3.6 Amplificatore differenziale . . . . . . . . . . . . . . 30

1.4 Stadio Differenziale . . . . . . . . . . . . . . . . . 34 1.4.1 Transcaratteristica dell’amplificatore differenziale . 38

1.5 Primo progetto di un amplificatore operazionale 43 1.6 Stadi di Potenza a Transistori Bipolari . . . . . 46

1.6.1 Stadi di potenza convenzionali (Classe A) . . . . . 47 1.6.2 Variante per stadi di potenza convenzionali . . . . 51 1.6.3 Amplificatori in classe B e AB . . . . . . . . . . . 54

1.7 Amplificatore Operazionale - Reprise . . . . . . 60 1.7.1 Presenza di Offset . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61 1.7.2 Dinamica di ingresso di modo comune . . . . . . . 62 1.7.3 Dinamica di uscita . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64 1.7.4 Impedenze di ingresso . . . . . . . . . . . . . . . . 64 1.7.5 Modello equivalente dell’amplificatore operazionale 66

6

1.8 Applicazione: Progetto di un amplificatore non invertente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

1.9 Stabilità di un amplificatore operazionale . . . . 74 1.9.1 Prodotto banda-guadagno . . . . . . . . . . . . . . 80 1.9.2 Slew Rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81

1.1 Applicazioni, parte 1

1.1.1 Amplificatori Operazionali Ideali

P rima di questo corso, degli amplificatori operazionali normalmente si sa ben poco: essi sono sempre stati “osservati” dall’esterno, con un

approccio “blackbox” (senza ossia avere idea di come sia costituito all’interno il dispositivo in questione).

La rappresentazione più comunemente utilizzata per l’amplificatore op- erazionale è quella di un “triangolino”, dotato di due morsetti di ingresso, due morsetti di alimentazione (spesso omessi nei circuiti), ed un morsetto di uscita; i morsetti di ingresso, caratterizzati dai simboli “+” e “-” (rispettiva- mente detti anche “ingresso non invertente” e “ingresso invertente”), sono gli ingressi dei segnali che l’amplificatore operazionale dovrà, per l’appunto, am- plificare; i morsetti di alimentazione, come il nome suggerisce, hanno lo scopo di polarizzare il circuito contenuto all’interno dell’amplificatore operazionale, al fine di poterlo utilizzare correttamente.

Quali sono le equazioni di funzionamento di un amplificatore operazionale “ideale” ? Beh, vediamole immediatamente:

{

i+ = i− = 0 vd = v+ − v− = 0

Queste equazioni sono fondamentali al fine dello studio di un generico circuito contenente uno (o più) amplificatori operazionali. Dal momento che l’amplificatore operazionale ha guadagno (idealmente) infinito, si può intuire che, per avere un’uscita finita, ossia un risultato dell’operazione di prodot- to tra tensione differenziale vd (tensione tra i morsetti + e -) e guadagno differenziale Ad dell’amplificatore finito, si debba avere vd = 01. Dal momen- to che nell’amplificatore operazionale ideale non vi è corrente in ingresso, si può pensare che i morsetti dell’operazionale oppongano alle correnti una resistenza differenziale rd → ∞.

1Questa spiegazione non vuole assolutamente essere formale, tuttavia, intuitivamente, si può pensare che 0 · ∞ = c 6= 0, per trucchi di “analisi non standard”

7

R1

R2

vi

vu

Figura 1.1: Amplificatore non invertente.

Riassumendo, le caratteristiche fondamentali dell’amplificatore operazionale ideale sono:

Guadagno differenziale infinito;

Resistenza differenziale infinita;

Resistenza di uscita nulla;

Tensione differenziale nulla;

Correnti entranti nulle.

Proviamo ad utilizzare le nozioni appena apprese in un esempio pratico.

Esempio Pratico 1 Consideriamo il circuito di esempio della figura 1.1. Questo circuito, come vedremo tra breve, è un amplificatore non inver-

tente, ossia che amplifica un segnale senza invertirne la fase (o aumentar- la/diminuirla di 180◦). In quanto amplificatore, esso avrà un certo guadagno, identificabile come rapporto tra tensione di uscita, vu, e tensione di ingresso, vi.

Si può vedere facilmente, tenendo conto delle equazioni di funzionamento del dispositivo, che:

vu · R1

R1 +R2 = v−

8

Ma dal momento che v+ = v− = vi:

vu vi

= R1 +R2

R1 =

(

1 + R2 R2

)

Vogliamo, a questo punto, trarre alcune conclusioni riguardo l’esempio pratico appena presentato:

In questa prima parte della trattazione, l’amplificatore operazionale verrà sempre e comunque utilizzato retroazionato, ossia con una retroazione (dapprima negativa, poi positiva e/o inesistente). La reazione negativa comporterà, come in qualsiasi tipo di sistema dotato di reazione, gli ef- fetti già noti dai primi corsi di Elettronica: variazioni delle impedenze di ingresso o uscita, aumento della banda passante, e altro.

Quando la reazione è collegata al morsetto “-” dell’operazionale, essa è “negativa”, in quanto il segnale va sempre in contrapposizione all’in- gresso, diminuendolo. Una reazione sul morsetto non invertente sarà positiva;

Nel caso degli amplificatori operazionali, è spesso semplice distinguere il blocco A dal blocco β; il blocco β, come si sa dalla teoria della retroazione, è il dispositivo (rete passiva, in questo caso) in grado di ”riportare” una parte del segnale di uscita all’ingresso. Dal momento che, con questa topologia, il segnale ”riportato al morsetto invertente” è pari a:

vu · R1

R1 +R2 = v− = v+

Si può dire che:

β = R1

R1 +R2

1.1.2 Amplificatori Operazionali non ideali

Il nostro discorso ha qualche problemino: gli amplificatori operazionali, non sono ideali.

Abbiamo visto che si può realizzare un amplificatore non invertente sem- plicemente selezionando le resistenze del blocco di retroazione, in modo da ottenere un certo rapporto. Ma il rapporto è veramente l’unica cosa che con- ta? Per porre la domanda in un modo diverso: utilizzare resistori da 1 Ω e 9

9

Ω produce lo stesso risultato dell’uso di un resistore da 1 MΩ e 9 MΩ, o di 1 mΩ e 9 mΩ ?

La risposta ovviamente è no: gli amplificatori operazionali reali presentano effetti di non idealità tali da essere condizionati dall’ordine di grandezza delle resistenze utilizzate. Come si può evincere da uno studio dell’amplificatore operazionale a livello di transistori, si vedrà perchè non sia possibile utilizzare qualsiasi resistore. Sostanzialmente, le non-idealità sono:

Guadagno Ad non infinito;

Resistenza differenziale rd non infinita, e resistenza di uscita non nulla;

Correnti entranti non nulle;

Tensione differenziale non nulla.

Procediamo per gradi, presentando modelli via via più perfezionati rispet- to a quello ideale; si noti che l’approccio in uso non motiva le non idealità, bensì le prevede in maniera del tutto quantitativa, ma assolutamente non qualitativa. Lo studio qualitativo dell’interno dell’amplificatore operazionale è riservato ad un’altro capitolo della trattazione.

Modello 1

Presentiamo un primo perfezionamento del nostro modello: consideriamo, delle non idealità prima presentate, il fatto che Ad < ∞. Il fatto che Ad non sia infinito comporta il fatto che, per avere un’uscita non nulla, serva una vd = c 6= 0. Il nuovo modello del dispositivo, dunque, sarà quello della figura 1.2.

Si avrà che:

v− = vi − vd = vu · β Però, si può anche dire che:

vd = vu β

Da qui:

vi − vu Ad

= vu · β −→ vu (

β + 1 Ad

)

= vi

Quindi:

10

+

R1

R2

vi

vu vd

Ad vd

Figura 1.2: Primo modello circuitale dell’amplificatore operazionale.

vu · βAd + 1

Ad = vi −→

vu vi

= Ad

1 + βAd =

1 β · βAd 1 + βAd

= 1 β · T 1 + T

Nella teoria dei circuiti retroazionati, T , βAd è il “guadagno di anello”. Si noti, da questo modello, che il caso ideale non fornisce informazioni

particolarmente significative in meno rispetto ad esso: per avere uno scosta- mento del 50 % dal caso ideale, si dovrebbe avere un guadagno di anello, T , pari a 1. Ciò è praticamente impossibile: nella realtà, i peggiori degli am- plificatori operazionali potrebbero avere un guadagno differenziale, Ad, pari a 10000 (essendo veramente molto, molto pessimisti); con una retroazione veramente elevata, ossia portando una parte enorme del segnale in uscita all’ingresso, β potrebbe essere nell’intorno di 1000. In tal caso:

T ≃ 10000 1000

= 10

Si ha ancora, in queste condizioni decisamente non realistiche per quanto estreme, un buon guadagno di anello.

Modello 2

Finora il modello presentato non ha comportato grosse novità; abbiamo tut- tavia ancora una “carta da giocare”: le impedenze degli amplificatori oper-

11

+

R1

R2

rd

Ix

Iu

vx

vu

vd Ad vd

Figura 1.3: Secondo modello circuitale dell’amplificatore operazionale.

azionali. Consideriamo una resistenza differenziale rd non infinita (non con- sideriamo per ora la resistenza di uscita, dunque la tensione viene considerata ancora prelevata da un generatore ideale di tensione).

Si vuole calcolare rd e, per far questo, al posto di vi si introduce un generatore di tensione noto di prova, Vx. Al fine di determinare la resistenza differenziale, si vuole calcolare la corrente uscente da Vx;

Vx = Ix · rd +R1 · (Iu + Ix)

vd = rd · Ix; vu = Advd = AdrdIx Inoltre:

vu = R2Iu +R1(Iu + Ix) −→ AdrdIx = R2Iu +R1(Iu + Ix) Raccogliendo Iu:

Iu(R1 +R2) = AdrdIx − R1Ix −→ Iu = AdrdIx − R1Ix

R1 +R2

12

Sostituendo ciò nell’espressione di Vx, si può determinare:

Vx = Ixrd +R1Ix + (

AdrdIx +R2Ix R1 +R2

)

R1

Svolgendo le moltiplicazioni, si può ottenere:

Vx = Ixrd + R1

R1 +R2 AdrdIx +

R1R2 R1 +R2

Ix

Ricordando che β = R1 R1+R2

Si ottiene che:

Vx Ix

= rd(1 + βAd) +R1 ⊕ R2

Il secondo termine si può spesso considerare trascurabile rispetto al primo; cosa interessante, è il fatto che anche questo modello, decisamente perfezion- ato rispetto a quello ideale, continua a non dirci nulla di nuovo, e a non provocarci problemi particolari: la retroazione con confronto in serie fa au- mentare notevolmente l’impedenza di ingresso del circuito, rendendo ancora una volta accettabile l’ipotesi di amplificatore operazionale reale, in molti dei nostri conti.2

1.2 Specchi di Corrente

Lo specchio di corrente è uno dei “mattoncini fondamentali” dell’amplifica- tore operazionale: si tratta di un circuito a transistori in grado di fornire, data una certa corrente di ingresso, una corrente “speculare” in uscita. Questo tipo di topologia può dunque essere utilizzata al fine di creare generatori di cor- rente “quasi ideali”, con una dinamica molto elevata (ossia in grado di fornire un range di correnti molto grande).

In tutti gli amplificatori operazionali “standard”, a meno di particolari casi, gli specchi di corrente sono uno degli elementi costantemente presenti.

Qual è la struttura di uno specchio di corrente? Esaminiamone due im- plementazioni: una basata sull’uso di transistori bipolari, BJT, e una basata sull’uso di MOSFET3.

2Si sappia comunque che, se la retroazione fosse stata con confronto in parallelo, l’im- pedenza sarebbe comunque stata alta abbastanza da rendere ancora accettabile il modello ideale.

3Si sappia che le differenze tra i due tipi di specchi sono lievi, dunque la descrizione verrà fatta prevalentemente per quanto riguarda i BJT

13

+

R1vCC

IR IO

IB1 IB2

IE1 IE2

T1 T2

Figura 1.4: Specchio di corrente realizzato con transistori bipolari.

1.2.1 Specchio di corrente a BJT

Esaminiamo lo schema di uno specchio di corrente come in figura 1.4. Come funziona questo oggetto? IR è una corrente di “riferimento”, che

può essere generata in diversi modi; nel nostro esempio, è stato utilizzato il modo più semplice per generare una corrente, ossia l’uso di una resistenza tra il morsetto di ingresso e la tensione di alimentazione (esistono ovviamente molti altri modi per polarizzare qualcosa); IO dipende invece da un generico carico del circuito (in questo caso, si sceglie di utilizzare, come carico, un generatore di tensione a tensione variabile. Il lato di T1 è detto “lato debole” dello specchio di corrente, il lato di T2 “lato forte”.

Del transistore T1 è “acceso” solo il diodo modellizzante la giunzione base- emettitore perché VB = VC : il corto circuito fa scorrere infatti su di sè tutta la corrente che arriva dalla resistenza.Dal momento che si intende studiare il solo comportamento del circuito, ignoriamo l’origine delle correnti IR e IO, per concentrarci solo sui loro legami interni al circuito in questione. Vogliamo, nella fattispecie, determinare una funzione di IO al variare di IR.

Al fine di semplificare i calcoli in questione, è necessario aggrapparsi ad alcune ipotesi semplificative: osserviamo che, nel circuito disegnato, VBE1 = VBE2; inoltre, supponiamo che IB1 e IB2 siano trascurabili rispetto a IR: ciò permette di dire che IE1 ≃ IR, e che IE2 ≃ IO. Tutte queste ipotesi sono sensate, nell’ambito dei circuiti integrati: nello stesso strato di silicio è più che ragionevole pensare che vi sia la stessa temperatura (da qui la stessa VT ) e la stessa VBE ; detto ciò, ricordiamo le equazioni di funzionamento del

14

Vx

Vx gm Vx

IR

Figura 1.5: Schema per il calcolo dell’impedenza di ingresso dello specchio.

transistore bipolare:

IE = IS · (

e VBE VT − 1

)

≃ IS · e VBE VT

Le correnti di saturazione avrebbero una notevole dipendenza dalla tem- peratura ma, poichè supponiamo di lavorare su circuiti integrati, la dipen- denza dalla temperatura si riduce semplicemente alla dipendenza dell’area di integrazione dei dispositivi:

IO IR

= IS2 IS1

= A2 A1

Gli specchi di corrente, per come li abbiamo introdotti, funzionano solo su di un circuito integrato; su circuiti discreti, realizzare questo tipo di topologia, è abbastanza assurdo, in quanto servirebbe una coppia differenziale (circuito oramai non più in commercio).

Caratterizziamo a questo punto i parametri fondamentali del circuito: impedenza di ingresso e di uscita.

Per quanto riguarda T1, la sua impedenza di ingresso si può ricavare dallo schema di figura 1.5

Dal momento che si ha un corto-circuito tra base e collettore, che “mette in parallelo” e il “generatore pilotato” con il quale si modellizza il BJT, gmVx (dove Vx è il solito generatore di tensione di prova), sulla giunzione base-emettitore cadrà una tensione pari a quella del generatore di prova, Vx! La resistenza di ingresso sarà dunque calcolabile semplicemente come:

Ix = IR = gmVx

Zi = Vx Ix

= 1 gm

Per quanto riguarda l’impedenza di uscita, si può fare un ragionamento duale. Si fa riferimento alla figura 1.6

15

rπ r0 Vxgm Vπ

VBE

Figura 1.6: Schema per il calcolo dell’impedenza di uscita dello specchio.

Ci sono due casistiche, a questo punto: l’effetto Early trascurabile, o non trascurabile.

Se l’effetto Early non fosse trascurabile, la corrente emessa da Vx sarebbe pari a:

Ix = Vx ro

Quindi:

Zo = Vx Ix

= ro

Se invece l’effetto Early fosse trascurabile, potremmo eliminare la ro, e tutta la Vx cadrebbe sull’impedenza (infinita) del generatore di corrente pi- lotato; Vx non potrebbe dunque in alcun modo alterare VBE , dare luogo ad una corrente, e dunque Ix = 0. Ma:

Zo = Vx Ix

= Vx 0

+

Spesso, ro è talmente elevata che si può ritenere trascurabile. Cosa abbiamo capito? Poichè l’impedenza sul ramo utile come generatore

di corrente è elevata, questo circuito sarà di sicuro un buon generatore di corrente (dal momento che non si avranno dispersioni sulla ipotetica ro). Se la tensione di polarizzazione di T2 è abbastanza elevata da mandare in zona lineare il transistore, lo specchio di corrente funziona!

Piccola nota: lavorando sulle aree di integrazione si può ottenere uno specchio “amplificatore” o “attenuatore”; si da priorità tuttavia alle dimen- sioni di T1, che deve essere “il più miniaturizzato possibile”; per ottenere uno specchio attenuatore, dunque, una soluzione è quella di introdurre un resis- tore sull’emettitore di T2 (figura 1.7), in modo da provocare una differenza tra le tensioni base-emettitore dei transistori, e così ridurre la corrente di emettitore del secondo transistore.

16

R vBE1

vBE2

T1 T2

IO IR

Figura 1.7: Schema dello specchio con resistenza.

Vediamo che su R cade una tensione pari a VBE1 − VBE2; la corrente IO, dunque, trascurando ancora le correnti di base, sarà pari a:

IO = VBE1 − VBE2

R

Rileggendo da qualche pagina prima le equazioni dei transistori, le VBE , invertendo le suddette equazioni, sono pari a:

VBE1 = VT ln (

IR IS1

)

; VBE2 = VT ln (

IR IS2

)

Sostituendo e usando le proprietà dei logaritmi, si ottiene:

VBE1 − VBE2 = VT ln (

IR IS1

· IS2 IO

)

Dal momento che però supponiamo di avere correnti di saturazioni uguali, dal momento che ci troviamo in un circuito integrato, si ha che:

IO = VBE1 − VBE,2

R =

VT R

ln (

IR IO

)

Ora incominciano i problemi: la relazione appena ricavata non è esatta, bensì approssimata, dal momento che non tiene conto delle correnti di base, IB1 e IB2. Sarebbe bello capire, a questo punto, di quanto l’attuale modello del circuito da noi presentato sia sbagliato, rispetto al caso reale.

17

La domanda da porci è: tenendo conto delle due correnti di base, quanto vale IE1 ? Vediamo che abbiamo, per quanto riguarda il transistore al lato debole:

IE1 = IB1 + IR − (IB2 + IB1) = IR − IB2 Per quanto riguarda T2, invece:

IE2 = IO + IB2

Dal fatto che le tensioni VBE sono uguali, e le correndi di saturazione sono altrettanto uguali, abbiamo una cosa piuttosto interessante: IE1 = IE2 !!!

IE1 = IE2 −→ IR − IB2 = IO + IB2 Ma, dal momento che:

IB2 = IO β2

Si ha che:

IO = IR − 2 IO β2

Dunque:

IO = IR

1 + 2 β2

Abbiamo dipendenza dal β del transistore, il che non è molto bello, dal momento che β varia con moltissimi parmetri; il risultato ottenuto è co- munque accettabile, dal momento che β è di solito un numero sufficientemente elevato da eliminarne almeno parzialmente gli effetti, ma non sicuramente strepitoso.

Come è possibile modificare il circuito, in modo da ottenere uno spec- chio di corrente di precisione? La soluzione tipica è quella di aggiungere un ulteriore transistore, in modo da ottenere una topologia come in figura 1.8.

Aggiungendo T3, la IB3 prelevata da IR sarà sensibilmente più bassa rispetto alla precedente; infatti, si ha che:

IB3 = IB1 + IB2 β3 + 1

Supponendo che i βi siano tutti uguali, e che β sia ben più grande di 1:

18

T1 T2

T3

IB1 IB2

IB3

IR

IO

VCC

Figura 1.8: Specchio di corrente ad alta precisione ottenuto con un l’aggiunta di un transistore.

β = β1 = β2 = β3; β ≃ β + 1 Si può dire che:

IB3 = IB1 + IB2 β3 + 1

≃ IB1 + IB2 β

= 2IB1 β

IE1 = IR − IB3 + IB1

IE2 = IO + IB2

Per gli stessi motivi di prima, si ha che IE1 = IE2 e da ciò segue che

IR − IB3 + IB1 = IO + IB2 Si può notare, tuttavia, che:

IR − IB3 = IC1 =⇒ IB1 = IR − IB3

β

IO = IC2 =⇒ IB2 = IO β

Dunque:

19

M1 M2

IR IO

Figura 1.9: Specchio di corrente realizzato con transistori MOS.

IR − IB3 + IB1 = (IR − IB3) (

1 + 1 β

)

IO + IB2 = IO

(

1 + 1 β

)

Da qui, ricordando che IB3 = 2IB1: (

IR − 2IB1 β

)(

1 + 1 β

)

= IO

(

1 + 1 β

)

Quindi dato che IB1 ≃ IR/β:

IR − 2IR β2

= IO

Questo circuito è dunque molto meglio del precedente: se β = 100 (ad esempio), si avrà β2 = 10000, e quindi la differenza tra le correnti sarà estremamente ridotta!

1.2.2 Specchio di corrente a MOSFET

Lo specchio di corrente basato sull’uso di transistori a effetto di campo MOS, avrà l’aspetto del circuito in figura 1.9.

Niente di nuovo nell’apparenza, anche se nella sostanza qualcosa cambia: le equazioni dei MOSFET infatti non sono più esponenziali, bensì quadratiche:

20

VGS VDS goVDSgmVGS

Figura 1.10: Sviluppo dello specchio di corrente a MOSFET secondo i modelli dei componenti.

ID = kn(VGS − VTn)2(1 + λVDS) Dove:

kn = 1 2 µnCOX

Wn Ln

E Wn è la lunghezza, Ln la larghezza del dispositivo. Spesso l’effetto di channel lenght modulation del mosfet (λ) verrà trascurato.

Consideriamo le seguenti equazioni, per i due MOSFET:

IR = ID1 = k1(VGS − VTn,1)2

IO = ID2 = k2(VGS − VTn,2)2

Date VTn,1 = VTn,2, cosa ragionevole in un circuito integrato, come anche µn e COX , si può ricondurre tutto alla geometria dei transistori:

IO IR

= k2 k1

= W2 L2 W1 L1

Terminiamo la caratterizzazione del dispositivo, parlando di impedenze di ingresso e uscita, con il solito sistema: sviluppando i MOSFET nei loro modelli, si ottiene il circuito di figura 1.10.

Bisogna determinare due parametri: la transconduttanza gm e la go, ossia un parametro legato al classico parametro ibrido hoe).

Si sa che:

gm = ∂ID ∂VGS

= 2kn(VGS − VTn)

21

Quindi:

gm = 2ID

VGS − VTn Si ha che:

Zi = 1 gm

= VGS − VTn

2ID Allo stesso modo, si calcola il go al variare di VDS:

go = ∂IO ∂VDS

= λIO −→ Zo = 1

λIO

In alcune situazioni, purtroppo, questa impedenza non è sufficientemente grande; si può tuttavia rimediare a questo problema, utilizzando due specchi di corrente anzichè uno. Per il resto, non vi sono moltissime differenze rispetto ai BJT.

1.3 Applicazioni, parte 2

Tornando a parlare di amplificatori operazionali visti come “blocco ester- no”, “circuitale”, c’è da fare ancora una cosa, al fine di perfezionare il mod- ello già presentato: considerare gli eventuali effetti dell’impedenza di usci- ta. Consideriamo dunque il modello dell’amplificatore operazionale di figura 1.11.

Vogliamo calcolare a questo punto l’impedenza di uscita; per fare ciò, col- leghiamo all’uscita un generatore di tensione di prova, il solito Vx, e dunque consideriamo spenti tutti gli altri generatori indipendenti del circuito (i pi- lotati ovviamente no!). La corrente Ix sarà composta di due contributi: uno che entrerà verso il pilotato e uno che andrà verso R2; la cosa interessante è però il fatto che, di sicuro, I2 ≪ I1: dal momento che ro è una resistenza molto più piccola di R1, R2, e anche del loro parallelo, potremmo dire senza paura che Ix ≃ I1, e quindi che:

Ix ≃ I1 = Vx − Advd

ro

Però, sappiamo anche che vd è esprimibile come:

vd = −βVx = − R1

R1 +R2 Vx

Possiamo dunque dire che:

22

+

IxI1

I2

Vxvd

Advd

R1

R2

rd ro

Figura 1.11: Modello completo dell’amplificatore operazionale.

Ix ≃ Vx + AdβVx

ro

Da qui:

Ix Vx

= 1 + βAd

ro , βAd = T

Quindi:

Zo = Vx Ix

= ro

1 + T

Supponendo di avere una resistenza (in casi veramente pessimi, dunque molto elevata) pari a 100 Ω; se il guadagno di anello fosse intorno a 1000, ridurremmo di 3 ordini di grandezza la resistenza, che diverrebbe pari a 100 mΩ ! Possiamo dunque supporre, in maniera definitiva, che questo circuito (amplificatore non invertente), da noi sviscerato e considerato in ogni suo aspetto, considerando qualsiasi effetto di non idealità, sia un buon amplifica- tore di tensione: impedenza elevatissima di ingresso, in modo da “far cadere molta tensione” ai propri morsetti di ingresso, e impedenza bassissima di

23

vi

vu

Figura 1.12: Schema del voltage follower.

uscita, in modo da poter “prelevare direttamente” la tensione dal generatore pilotato con il quale si modellizza l’effetto di amplificazione del dispositivo.

1.3.1 Voltage Follower

Una variante del circuito del quale abbiamo ampiamente parlato, è quella della figura 1.12.

In questa topologia, si ha la massima retroazione possibile: il fatto di avere come retroazione un corto circuito, aumenta il segnale che si dirige verso il “-”; i risultati della cosa saranno da un lato abbassare il guadagno del circuito, ma d’altra parte aumentare moltissimo l’impedenza di ingresso, e ridurre dello stesso fattore quella di uscita; questo circuito assorbirà dunque pochissima corrente, e in uscita sarà sostanzialmente un generatore ideale di tensione (ossia a impedenza pressochè nulla).

1.3.2 Transresistenza

Un’ulteriore topologia circuitale basata sull’amplificatore operazionale è la cosiddetta transresistenza (figura 1.13).

L’ingresso è in corrente, uscita è in tensione; poichè il rapporto tra l’uscita e l’ingresso è dimensionalmente modellizzabile con una resistenza, questa topologia è detta “transresistenza”. Dal momento che la corrente non entra nel morsetto invertente del dispositivo, la corrente va tutta verso R2, quindi si avrà una tensione di uscita pari a:

Vu = −IRR2

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