Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze ..., Schematy z Technologia produkcji

Pobierz Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze ... i więcej Schematy w PDF z Technologia produkcji tylko na Docsity! Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ „Super Alfa” czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru żarówka zaświeci się. Wartość rezystancji zależy od wzmocnienia tranzystora. Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy jest to układ dwuwejściowy, zbudowany z dwóch tranzystorów pracujących w układzie OE. Oba tranzystory mają wspólny obwód emiterowy, którym w najprostszym przypadku jest rezystor. We wzmacniaczach różnicowych stosowane są tranzystory NPN lub PNP. Powinny mieć one jednakowe parametry, celem zapewnienia symetrii charakterystyk w zakresie liniowym. Zbuduj wzmacniacz jak na rysunku. Dla obu wejść ustaw dwa jednakowe napięcia. Zauważ, iż napięcie na wyjściu różnicowym jest równe zero. Wniosek: wzmocnienie sygnałów „wspólnych” dla obu wejść różnicowych jest równe 0. Teraz dla tego samego układu ustaw napięcie na bazie tranzystora Q1 wyższe niż na Q2. A następnie napięcie na bazie Q2 wyższe niż na bazie Q1. Jak widać sygnał różnicowy jest silnie wzmacniany przez wzmacniacz różnicowy (wzmocnienie różnicowe jest duże), stąd nazwa układu. Diody Zenera- parametry techniczne: zza FAIRCHILD KENA SEMICONDUCTOR* , V, Zz o lg Zako 2 bk Ro VA T. Device W) to) ” (mA) (a) * (mA) nA) * W (%i9C) 1N5221B 24 30 20 1,200 0.25 100 10 - 0.080 1N5223B 27 30 20 1,300 0.25 75 10 - 0.075 1N5226B 3.3 28 20 1,600 0.25 25 10 - 0.07 1N5227B 3.6 24 20 1,700 0.25 15 10 - 0.065 1N5228B 39 23 20 1,900 0.25 10 10 - 0.06 1N5229B 43 22 20 2,000 0.25 50 10 +- 0.055 1N5230B 47 18 20 1,900 0.25 20 20 +-0.03 1N5231B 5.1 17 20 1,600 0.25 2.0 20 +H-0.03 1N5232B 56 1 20 1,600 0.25 30 3.0 0.038 1N5233B 6.0 7.0 20 1,600 0.25 35 3.5 0.038 1N5234B 6.2 70 20 1,000 0.25 40 40 0.045 1N5235B 6.8 5.0 20 750 0.25 5.0 5.0 0.05 1N5236B 75 6.0 20 500 0.25 6.0 6.0 0.058 1N5237B 8.2 8.0 20 500 0.25 6.5 6.5 0.062 1N5236B 8.7 8.0 20 600 0.25 65 6.5 0.065 1N5239B 3.1 10 20 600 0.25 70 7.0 0.068 1N5240B 10 17 20 600 0.25 8.0 8.0 0.075 1N5241B 11 22 20 600 0.25 84 8.4 0.075 Zbuduj układ jak na rysunku. Zaobserwuj iż napięcie wyjściowe jest równe napięciu na diodzie Zenera minus napięcia baza emiter tranzystora. Zaobserwuj napięcie na wyjściu stabilizatora przy zmianach wielkości napięcia wyjściowego ze źródła DC!!! Generator z przesuwnikiem fazowym RC Generator drgań jest układem elektronicznym wytwarzającym zmienny przebieg elektryczny. Generator składa się z dwóch podstawowych elementów: wzmacniacza i obwodu dodatniego sprzężenia zwrotnego podającego sygnał z wyjścia wzmacniacza z powrotem na jego wejście. O częstotliwości drgań decyduje obwód sprzężenia zwrotnego, o ich amplitudzie – parametry wzmacniacza. Są dwa warunki generacji drgań: amplitudy i fazy. Warunek amplitudy mówi o tym, że sygnał na wejściu wzmacniacza podawany z układu sprzężenia zwrotnego musi być na tyle duży, aby na wyjściu wzmacniacza otrzymać sygnał o co najmniej takim samym lub większym poziomie. Warunek fazy oznacza, że chwila maksimum sygnału na wejściu wzmacniacza, po przejściu przez wzmacniacz i układ sprzężenie zwrotnego ma wypadać zawsze w tym samym momencie. Oznacza to, że przesunięcie fazy całego układu musi być równe wielokrotności 360°. Zbuduj układ jak na rysunku – generator z przesuwnikiem fazowym i uruchom symulację. Zmień parametry rezystancji i pojemności, czy drgania wystąpią zawsze? Tranzystor MOSFET MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) – technologia produkcji tranzystorów polowych z izolowaną bramką. Budowa tranzystora MOSFET [Źródło: http://pl.wikipedia.org/wiki/Plik:MOSFET.svg] Klucz tranzystorowy z tranzystorem MOSFET-N Zaobserwuj przy jakim napięciu bramki następuje załączenie klucza! Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj przebiegi na wejściu (sinusoida) i na wyjściu (prostokąt- kluczowanie) układ zachowuje się jak klucz tranzystorowy ale może być wykorzystany jak negator. Zastąp rezystor w drewnie obciążeniem indukcyjnym, zauważ analogiczne jak w układzie z kluczem bipolarnym przepięcia, wyeliminuj je diodą włączoną zaporowo. Część praktyczna 1 Zbuduj układ jak na rysunku. Podając jednakowe napięcie na wejście wzmacniacza sprawdź jakie jest wzmocnienie sygnału wspólnego. Z czego wynika iż jest ono niezerowe? Jako źródła napięcia wejściowego użyj zasilacz regulowanego, nie przekraczać napięcia 3V!!! W tym samym układzie [podaj tylko jedno napięcie a drugie wejście wzmacniacza zewrzyj do masy. Określ wzmocnienie sygnału różnicowego.