Engenharia Eletrônica e de Telecomunicações - Apostilas - Engenharia Eletrônica, Notas de estudo de Eletrotécnica
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Engenharia Eletrônica e de Telecomunicações - Apostilas - Engenharia Eletrônica, Notas de estudo de Eletrotécnica

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Apostilas de Engenharia Eletrônica e de Telecomunicação sobre o estudo das Etapas da fabricação de Processadores, Oxidação, Corrosão, Deposição, Processo de Litografia, Deposição química de vapor.
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Engenharia Eletrônica e de Telecomunicações

DISCIPLINA: CAD ELETRÔNICO

ALUNOS: ALEXSEI HUDSON ISABELA VITOR

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ETAPAS DA FABRICAÇÃO DE PROCESSADORES

Oxidação

Corrosão

Deposição

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Oxidação O processo de fabricação de um chip se inicia com o wafer em estado original.

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A primeira etapa do processo é oxidar a parte superior do wafer. O oxigênio é combinado com o substrato e outros materiais para formar um óxido

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É formado então uma fina camada de dióxido de silício SiO2 sobre o wafer.

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Corrosão/litografia Para que possamos entender o processo de corrosão é necessário conhecer o processo de litografia, que consiste em aplicar uma camada fotossensível sobre a camada de dióxido de silício. Nessa camada fotossensível é aplicada luz ultravioleta para impressão do layout do CI.

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A camada fotossensível é originalmente solida, mas ao receber luz ultravioleta se transforma em uma substância gelatinosa que é removida através da corrosão

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O processo de corrosão baseia-se na retirada seletiva de algum tipo de material em regiões delimitada.

Corrosão líquida (emprega líquidos reativos e perigosos como o ácido fluorídrico)

Corrosão por plasma (utilização de gás parcialmente ionizado)

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Corrosão líquida. Esse processo emprega líquidos e ácidos perigosos como o ácido fluorídrico que corroem o material de maneira isotrópica. Com isto este processo resulta em remoção lateral indesejada.

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Corrosão por plasma. É um processos anisotrópico é menos susceptível a corrosão lateral indesejada. O processo se dá através de um gás como o CF4 sob baixa pressão e ionizado por um campo elétrico. A remoção do material se dá através do bombardeamento de íons de alta energia.

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Deposição: A deposição de camadas condutoras (metais ou silício policristalizado de baixa resitividade) e de camadas isolantes (dióxido de silício ou nitrito de silício) constitui uma importante parte no processo de fabricação de Cis. O processo de deposição ocorre em uma câmara de gás com gás ou vapor sob pressão reduzida.

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• Deposição por epitaxia • Deposição química de vapor • Deposição por Evaporação • Deposição por Borrifamento

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Deposição por Epitaxia. Consiste em acrescentar material a uma estrutura cristalina ordenado, sem solução de continuidade. O material depositado deve ter características moleculares semelhantes para acompanhar o plano de cristalização da base.

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Epitaxia em fase de vapor: O material faz parte de um composto gasoso que se decompõe na superfície da lâmina por estar a uma temperatura superior a 1000ºC.

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Epitaxia por feixe de moléculas: A operação ocorre no alto vácuo. Os materiais a serem depositados estão em pequenos recipientes com aberturas direcionais para o substrato. O material evapora formando feixes de átomos ou moléculas, sendo assim depositado sobre o substrato. A deposição ocorre de lenta, e a taxa de variação pode ser precisamente controlada O filme cristalino depositado é de altíssima qualidade e pureza.

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Epitaxia em fase líquida: processo usado para crescer o imenso cristal de silício dopado

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Deposição química de vapor: As moléculas vaporizadas do composto se decompõem ou reagem na superfície da lamina, depositando o material desejado. Umas das vantagens desse método é a capacidade de cobertura, pois o material a ser depositado em uma abertura reveste o fundo, as laterais e as bordas com igual facilidade.

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Deposição por evaporação: A deposição de metais de baixo ponto de fusão pode ser feito através da evaporação. Um exemplo a ser citado é a deposição do alumínio que em uma câmara de vácuo é vaporizado e deposita livremente sobre a lâmina. A metalização dos discos de CD, CDROM, CDV, MD ocorre através desse processo.

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Borrifamento: Ocorre em uma câmara com gás inerte. O material a ser depositado é instalado e eletricamente conectado a uma placa metálica e a lâmina instalada em outra placa metálica próxima. O gás é ionizado através de uma fonte de tensão continua aplicada nas placas. Os íons do plasma formados colidem com o material arrancando moléculas que depositam sobre a lâmina. Esse processo permite deposição de qualquer material, condutor ou isolante, independente do ponto de fusão.

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PROCESSO DE LITOGRAFIA

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