L'amplificateur opérationnel (AOP) : Introduction et Applications, Study notes of Electrical and Electronics Engineering

Ce document présente une introduction complète à l'amplificateur opérationnel (AOP), un composant électronique fondamental. Il explore ses caractéristiques clés, ses différents modes de fonctionnement et ses applications pratiques. Le document aborde des concepts tels que l'impédance d'entrée et de sortie, la bande passante, la saturation, l'additionneur, le suiveur de tension, le multivibrateur astable et l'hystérésis. Il illustre ces concepts à travers des schémas et des exemples concrets.

Typology: Study notes

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Pascal MASSON LAOP -Cycle Initial Polytechnique-
L’amplificateur opérationnel
École Polytechnique Universitaire de Nice Sophia-Antipolis
Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip)
1645 route des Lucioles, 06410 BIOT
Pascal MASSON
Edition 2013-2014
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L’amplificateur opérationnel

École Polytechnique Universitaire de Nice Sophia-Antipolis Parcours des écoles d'ingénieurs Polytech (Peip) 1645 route des Lucioles, 06410 BIOT

Pascal MASSON

([email protected])

Edition 2013-

I. Définition

 Il se caractérise par deux entrées (une inverseuse, notée , une non inverseuse, notée +), une sortie et un gain A liés par la relation :

VS = A.(V 1 – V 2 ) = A.Vd

V 1
V 2 VS

Vd

VDD
 VDD

 L’impédance d’entrée très grande (≥ 500 k), l’impédance de sortie est presque nulle et la bande passante part du continu.

 Les premiers amplis opérationnels (réalisés à l’aide de tubes à vide) étaient destinés aux calculatrices analogiques, d’où leur nom.

 Le gain est très grand ( 50000) ce qui signifie qu’un amplificateur opérationnel alimenté sous ± 15 V sature pour Vd = 300 μV!

 Il est constitué de plusieurs montages de base : paire différentielle, miroirs de courant, amplificateur push-pull …

 Tensions de base :

VDD
B 1 T1 T2 B 2
C 1 C 2
RC RC
 VDD
I 0
0 VBE
IE
VBE
IE

II.2. Expressions des courants IE1 et IE

II. La paire différentielle

 Tensions de base :

VDD
B 1 T1 T2 B 2
C 1 C 2
RC RC
 VDD
I 0
0 VBE
IE
VBE
IE
IE
VBE
IE
VBE
I 0 = IE1 + IE

II.2. Expressions des courants IE1 et IE

II. La paire différentielle

 Courant IE1 :  

    

    T

0 d T E 1 S BE^1 2 V .exp V 2

I V I I .exp V

 Courant IE2 :  

     

    T

0 d T E 2 S BE^2 2 V .exp V 2

I V I I .exp V

 Courants normalisés en posant :



    

  

T

E 1 E (^2) d

E 1 0

E 1

V 1 exp V

1 I I

I I

I

T

E 1 E (^2) d

E 2 0

E 2

V

1 exp V

I I

I

I

I

Vd

IE/I 0
VDD
B 1 T1 T2 B 2
C 1 C 2
RC RC
 VDD
I 0
4VT VT VT 4VT
IE2/I 0
IE1/I 0

II.2. Expressions des courants IE1 et IE

II. La paire différentielle

 Tension VC1 : VC 1 VDDRC.IC 1 VDDRC.IE 1

Vd

VC
VDD
B 1 T1 T2 B 2
C 1 C 2
RC RC
 VDD
I 0
4VT VT VT 4VT
VC1 VC



     T C 1 DD C^0 d 2 V .exp V 2 V V R .I  Tension VC2 :



      T C 2 DD C^0 d 2 V .exp V 2 V V R .I

VDD
VDD  RC.I 0 / 2
VDD  RC.I 0

II.3. Expressions des courants VC1 et VC

II. La paire différentielle

d T d C^0 ie c 2 C fe b 2 C fe v 4 .V v R .I 2 .h v R .h .i R .h 

 Expression de hie hie hfe.ib

B
E1 = E
C

hie hfe.ib

B2 C

RC
RC

vd

vc

vc

T fe

C 0 B 0

T B V V ie BE V h

I I

V I h V CE CE 0

     Expression de ib

2 ib

v h i 1 d ie b 2 

 Expression de vc

 Expression du gain en tension

T

C 0 d

c 2

  1. V

R .I v Av  v 

II.5. Régime dynamique

II. La paire différentielle

 La tension VBE d’un transistor est imposée par une diode

0 VCE
IC
I 0 IB 0

 En régime linéaire, le courant de collecteur est indépendant de VCE et donc de la valeur de la charge de collecteur

VCE
T
R 4
 VDD
I 0
VBE

III.1. Principe^ VDD

III. Le miroir de courant

 L’entrée du montage se trouve sur la base du transistor et la sortie sur la résistance d’émetteur. T

R 5
 VDD
VDD
VS RL

 En régime de petit signal, le collecteur est à la masse.  Ce montage réalise une adaptation d’impédance avec une résistance d’entrée élevée, une résistance de sortie faible et un gain égal à 1.

hie hfe.ib

B1 E
C

ve R 5 vs

ib

RL

IV.1. Présentation

IV. Le suiveur de tension

VE

 L’entrée du montage se trouve sur la base du transistor et la sortie sur la résistance d’émetteur. T

R 5
 VDD
VDD
VS RL

 En régime de petit signal, le collecteur est à la masse.  Ce montage réalise une adaptation d’impédance avec une résistance d’entrée élevée, une résistance de sortie faible et un gain égal à 1.

hie hfe.ib

B1 E
C

ve R 5 vs

ib

RL

hie hfe.ib

B1 C
E

vs

ve

R 5

ib

RL

IV.1. Présentation

IV. Le suiveur de tension

VE
T
R 5
 VDD
VDD
VS

hie hfe.ib

B1 E
C

ve R 5 vs

ib

RL
RL

    (^)   e (^) be 5 ie b^55 ib 5 L fe b^5 hie hfe R 5 //RL

h .i R //R. 1 h i i R  V     

Rs

 Résistance d’entrée :

 Résistance de sortie :

is

  (^)  ^ 

  ie g fe 5

5 ie g s 5 ie feg s

s s 5 fe b 5

s s s s h R h R

R h R

Rv h^1 hR v

v

Rv^1 h i

v i R v  

  

      

IV.2. Calcul des grandeurs fondamentales

IV. Le suiveur de tension

VE
T
R 5
 VDD
VE
VDD
VS

hie hfe.ib

B1 E
C

ve R 5 vs

ib

RL
RL

    (^)   e (^) be 5 ie b^55 ib 5 L fe b^5 hie hfe R 5 //RL

h .i R //R. 1 h i i R  V     

Rs

 Résistance d’entrée :

 Résistance de sortie :

is

  (^)  ^ 

  ie g fe 5

5 ie g s 5 ie feg s

s s 5 fe b 5

s s s s h R h R

R h R

Rv h^1 hR v

v

Rv^1 h i

v i R v  

  

      

IV.2. Calcul des grandeurs fondamentales

IV. Le suiveur de tension

T1 T

Entrée

RC RC
 VDD
I 0

Entrée Sortie 

VDD

V. Schéma électrique globale

T1 T

Entrée

RC RC
 VDD
I 0

Entrée Sortie 

T
R 4
T
VDD

V. Schéma électrique globale