Características del Transistor: algunas especificaciones del fabricante.
Régimen de tensiones
Por encima de ciertos valores de tensión colector emisor, BVCER, llamada tensión de
ruptura colector emisor, se deteriora el dispositivo permanentemente si no se limita la
corriente. Para algunos transistores se tienen gráficos en los cuales se da la tensión de ruptura
en función de una resistencia en la base RB de ahí el subíndice R en el nombre.
Así reconocemos una tensión de ruptura máxima cuando RB = 0 o base en
cortocircuito, llamada BVCES. Cuando la base está abierta RB = F 0
A 5
se tiene la tensión de ruptura
mínima BVCEO. Se puede demostrar que BVCEO F 0
4 0
½BVCBO siendo BVCBO la máxima tensión
inversa colector base antes de llegar a la ruptura (producida por la multiplicación en
avalancha de la corriente ICBO = ICO que pasa por la juntura).
Para muchos transistores no se da un gráfico como el anterior, en su lugar se
especifican los valores de BVCES y BVCEO, que para el BC337 resultan 50 y 45 V
respectivamente.
La tensión de ruptura de la juntura base emisor viene especificada como BVBEO siendo
destructiva, y cuyos valores oscilan entre 5 ~ 7 V en casi todos los transistores bipolares.
Se acostumbra a indicar las tensiones de ruptura con otras letras como: V(BR)CEO, V(BR)CBO, V
(BR)EBO. No es la única manera de indicarlas.
Por seguridad se elige la fuente de alimentación para un transistor tal que sea
aproximadamente igual a 0,75BVCEO.
Régimen de corrientes
Se pueden encontrar en las hojas del fabricante dos valores máximos de corriente de
colector, uno para corriente continua IC y otro para corriente de pico ICM, siendo la última
mayor que la primera. La máxima corriente puede ser destructiva o bien especificarse para no
disminuir mucho el hFE.
Régimen de temperatura
ICBO = ICO y VBE varían con la temperatura, siendo estas variaciones idénticas a las
vistas para el diodo de juntura. hFE = F 0
6 2
varía con la temperatura, de acuerdo al gráfico
inferior.
Régimen de disipación
