¡Descarga Diodos Semiconductores: Análisis de la Unión P-N y Polarización y más Resúmenes en PDF de Electrónica solo en Docsity!
Tema 2
T EORÍA DEL D IODO.
1.- Unión p-n. Diodo sin polarizar. 2.- Polarización del diodo. 2.1.- Polarización inversa. 2.2.- Polarización directa. 3.- Curva característica del diodo. 4.- El diodo como elemento de un circuito. 5.- Aproximaciones del diodo. 5.1.- Primera aproximación. 5.2.- Segunda aproximación. 5.3.- Tercera aproximación. 5.4.- Cuarta aproximación. Diodo ideal. 6.- Capacidades y tiempo de conmutación en el diodo. 7.- Diodos LED y diodos Zener.
1.- UNION p-n. DIODO SIN POLARIZAR.
La situación de partida es la del cristal semiconductor representado en la Figura 2.1 , es decir, tenemos un semiconductor con una zona tipo p junta a una zona tipo n.
Suponemos que todas las impurezas están totalmente ionizadas y que los portadores que tenemos en cada una de las zonas provienen de las propias impurezas, es decir, prescindimos de momento de los pares e-^ - h +^ que se forman por agitación térmica.
Como ya se ha comentado en el capítulo anterior, en la zona n cada átomo de impureza donadora (átomos con 5 e-^ de valencia) al introducirse en la estructura cristalina del silicio, produce un e-^ libre, quedando, por tanto, el átomo cargado positivamente. Así, podemos representar un semiconductor tipo n como se muestra en el lado derecho de la figura 1.
De manera similar, en la zona p cada átomo de impureza aceptadora (impurezas con 3 e -^ de valencia) al introducirse en la estructura cristalina del silicio, dejan un enlace sin completar, con lo que tienden a captar un e -^ para satisfacer dicho enlace. O lo que es lo mismo tienden a ceder un hueco. El átomo de impureza aceptadora, al captar un e- queda cargado cediendo un h+^ (carga positiva), de manera que podemos observar como el cristal sigue siendo eléctricamente neutro.
Figura 2.1.- Unión p-n
En la zona p existen gran cantidad de huecos (en una primera aproximación tantos como impurezas aceptadoras, ya que suponemos que a temperatura ambiente todas ellas están ionizadas). Por el contrario, en la zona n el número de huecos que tendremos serán muy pocos (debidos a la formación de pares e-^ - h+^ por rotura térmica de enlaces). Por tanto se establecerá una corriente difusión de h+^ de la zona p hacia la zona n.
Figura 2.3.- En la zona de carga aparece un campo eléctrico que se opone al movimiento por difusión de h+^ y e -.
2.- POLARIZACIÓN DEL DIODO.
2.1.- Polarización Inversa.
Figura 2.4.- Polarización inversa de una unión p-n. Consiste en poner una tensión positiva del lado de la zona n y negativa del lado de la zona p.
Para polarizar inversamente una unión p-n colocamos una tensión continua con el lado negativo de la misma en la zona p y el lado positivo de la tensión en la zona n. La polaridad aplicada de esta manera es tal que tiende alejar a los h+^ de la zona p y a los e -^ de la zona n de la unión. De esta manera, la zona de cargas fijas negativas se extenderá hacia el interior de la zona p y de forma análoga la zona de cargas positivas tenderá a penetrar en la zona n.
Figura 2.5.- Polarización inversa. A medida que aumentamos la polarización inversa aumenta la anchura de la zona de carga zona dipolar
Al aumentar la zona de deplexión aumentará el potencial de la barrera. Este aumento continuará hasta que el potencial que aparece en la zona de carga espacial se iguale con la tensión aplicada.
La distancia que la zona de carga espacial penetre en cada una de las zonas dependerá del nivel de dopado de las mismas. Cuanto más dopada esté una zona menos se adentrará en la misma la zona de deplexión.
Figura 2.6.- En la figura se aprecia como la zona de carga (área sombreada) penetra más en la zona n (menos dopada) que en la zona p (más dopada).
Por lo tanto, en principio resultará una corriente nula. Sin embargo, debemos de tener en cuenta a los portadores minoritarios (e-^ en la zona p y h +^ en la zona n provenientes de la formación de pares e-^ - h+^ debida a la rotura térmica de enlaces). Así, el campo eléctrico aplicado tenderá a llevar a los e-^ de la zona p hacia la zona n y a los huecos de la zona n hacia la zona p. Esto supone una corriente resultante que se denomina corriente inversa de saturación o corriente de fugas. Esta corriente depende de la temperatura y no de pende de la tensión inversa aplicada.
Figura 2.9.- Polarización directa de la unión p-n. La zona dipolar es más estrecha que la que aparece en la unión sin polarizar.
A medida que la tensión exterior aplicada aumenta y superamos el valor de la barrera de potencial, los portadores mayoritarios atravesarán la unión. Los h+^ de la zona p se verán arrastrados hacia la zona n y los e -^ de la zona n hacia la zona p creándose una corriente grande (debida a los mayoritarios) en el sentido de la zona p hacia la zona n.
Figura 2.10. - Polarización directa de la unión p-n. Cuando V >V la corriente crece exponencialmente con la tensión aplicada.
Por último nos fijamos en el perfil de los portadores minoritarios.
Figura 2.11.- Perfiles de minoritarios en la unión p-n polarizada en directa.
3.- CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO.
Puede demostrarse mediante la física del estado sólido que las características generales de un diodo semiconductor pueden definirse por la siguiente ecuación:
Ecuación de Shockley
Donde
I (^) D = Corriente que atraviesa el diodo VD = Tensión (diferencia de potencial) entre los extremos del diodo
p (^) n
Anodo V^ D Cátodo
I (^) D
Figura 2.9.- Símbolo del diodo (unión p-n). Sentidos de tensión y corriente para la curva característica de la Figura 2.10.
q = carga del electrón en Culombios = 1,6 E-19 C K = constante de Boltzman = 8,62 E-5 eV/K T = Temperatura en Kelvin.
K T
I I exp q VD D S
Para valores de tensión positivos y varias veces superior a VT , puede despreciarse el 1 del paréntesis de la ecuación de Shockley, de forma que, salvo para un pequeño margen en las proximidades del origen, la corriente aumenta exponencialmente con la tensión.
Cuando polarizamos el diodo en inversa con una tensión cuyo módulo sea varias veces superior a VT tendremos que I (^) D - I (^) S para cualquier valor de VD.
Tensión Umbral V .
También es conocida como tensión de codo.
Para valores de tensión inferiores a V la corriente es muy pequeña (aún en polarización directa). El diodo no conduce bien hasta que la tensión aplicada sobrepasa la barrera de potencial. Por esto, para las primeras decenas de voltio la corriente es muy pequeña. A medida que nos acercamos al valor de V los portadores mayoritarios de las respectivas zonas (e-^ de la zona n y h +^ de la zona p) comienzan a atravesar la unión en grandes cantidades, por lo que la corriente crece rápidamente (de forma exponencial, como ya se ha comentado). Para tensiones superiores a la tensión umbral, pequeños aumentos de tensión producen grandes aumentos de corriente.
El valor de esta tensión de 0,7 V para el Si y de 0,3 V para el Ge.
Corriente inversa de saturación IS.
También se la conoce como corriente de fugas (IO).
Está originada térmicamente, no depende de la tensión aplicada, sino de la temperatura.
Se puede decir que su valor se duplica cada 10 ºC.
Corriente de pico.
Es la máxima corriente que puede soportar el diodo en directa sin quemarse.
Es un dato que proporciona el fabricante en las hojas de características del dispositivo (datasheets) y nos da distintos valores dependiendo del tipo de corriente que circule por el diodo (no será lo mismo si la corriente es continua, si es alterna o si son picos de sobrecorriente).
Tensión de ruptura.
Cuando en un diodo aplicamos una tensión inversa, a su través circula la corriente inversa de saturación (I (^) S) y en la zona de carga aparece una tensión igual a la tensión inversa aplicada. Sin embargo, esta tensión no puede aumentarse todo lo que se desee ya que existe un valor de tensión ( tensión de ruptura ) a partir del cual el diodo comienza a conducir intensamente. Para pequeños aumentos de tensión inversa se tienen grandes incrementos de corriente.
Si no conseguimos evacuar toda la potencia calorífica generada por efecto Joule, el diodo se rompe. Esta ruptura se puede deber a dos efectos:
Efecto avalancha. Efecto zener
Efecto avalancha.
Al mismo tiempo que la tensión a través del diodo se incrementa en la región de polarización inversa, la velocidad de los portadores minoritarios (responsables de I (^) S) también se incrementa. A la larga, sus velocidades y sus energías cinéticas serán suficientes para liberar portadores adicionales mediante colisiones con estructuras atómicas de otro modo estables. Esto es, resultará un proceso de ionización por medio del que los e-^ de valencia absorberán energía suficiente para abandonar el átomo padre. Estos portadores adicionales pueden así ayudar al proceso de ionización, hasta el punto en que se establezca una elevada corriente de avalancha y se determina la región de “ruptura de avalancha”.
Efecto Zener.
Cuando un diodo está muy dopado la zona de deplexión es muy estrecha. A causa de ello, el campo eléctrico en esta zona es muy intenso.
Cuando el campo eléctrico es muy elevado ( 300 000 V/cm) el campo puede extraer los e-^ de sus órbitas de valencia. La creación de e-^ libres de esta manera recibe el nombre de efecto zener (también conocido como “ emisión de campo intenso ”).
Este efecto es diferente del efecto avalancha que requiere que los portadores minoritarios con grandes velocidades desliguen e -^ de valencia mediante choques. El efecto zener depende solamente de la intensidad del campo eléctrico.
4.- EL DIODO COMO ELEMENTO DE UN CIRCUITO
Vamos a resolver el circuito de la figura
En la resistencia
En el diodo
Sistema de ecuaciones no lineales. Se resuelve por métodos iterativos.
El punto A intersección de la recta de carga con la curva del diodo es el punto de funcionamiento.
v (^) i i R (^) L v (^) o
v
v (^) i vov
^
v R i v
V
i I exp v
i L
T
S
v (^) o RL i
^ 1
V
i I exp v T S
i
v
i (^) D
v (^) D v^ i
^ 1 V i I exp v S (^) T
v (^) i RLi v
L
i R
v
A
5.- APROXIMACIONES DEL DIODO
5.1.- Primera Aproximación.
Podemos distinguir 3 zonas distintas de funcionamiento:
a) Diodo en polarización inversa (V D 0)
En esta zona la curva del diodo es una recta que pasa por el origen de pendiente 1/Rr, por tanto, el diodo se comporta como una resistencia de valor Rr.
Cuando un diodo esté en inversa lo sustituiremos en el circuito por una resistencia Rr.
b) Diodo en directa con tensión menor que la tensión umbral (0 VD V )
En esta zona el diodo se comporta como un circuito abierto (la corriente a su través es nula independientemente de la tensión).
Por tanto cuando un diodo esté en inversa lo sustituiremos por un circuito abierto.
I (^) D(mA)
V D(V)
V
m=1/R (^) f
m=1/Rr
A
A
C
A
C
Rr
A
C
A
C
b) Diodo en conducción ( V D V )
En esta zona la característica del diodo es exactamente igual al caso c del la primera aproximación, por tanto, habrá que sustituir al diodo por una resistencia de valor Rf y una fuente de tensión de valor V.
5.3.- Tercera aproximación.
Cuando un diodo está en conducción la resistencia que opone al paso de la corriente es muy pequeña (Rf es del orden de unos pocos ). Si en el circuito en el que se encuentre el diodo, las resistencias presentes son de valores muy superiores al de R (^) f (esto sucede habitualmente en la mayoría de las aplicaciones prácticas), podremos despreciar esta resistencia haciendo Rf = 0. De esta forma surge la tercera aproximación.
Seguimos teniendo dos zonas de funcionamiento.
a) Diodo en corte ( V D V )
El diodo se comporta como un circuito abierto.
I (^) D(mA)
V D(V)
V
R =r
R = 0f
A
A
C
A
C
Rf
V
A
C
A
C
b) Diodo en conducción ( V D V )
El diodo se comporta como una fuente de tensión de valor V. (Tenemos lo mismo que en la aproximación anterior haciendo Rf = 0.
5.4.- Cuarta aproximación. Diodo ideal.
Si el diodo es de Si, sabemos que V = 0,7 V (0,2 V si fuese de Ge). Por tanto, si las tensiones con las que trabajamos en el circuito son muy superiores a este valor, podremos despreciar estos 0,7 V sin cometer un gran error. La cuarta aproximación, conocida como diodo ideal , surge al despreciar V.
a) Diodo en corte ( V D 0 )
El diodo se comporta como un circuito abierto.
b) Diodo en conducción ( V D 0 )
El diodo se comporta como un cortocircuito. SiVD 0 ID
I (^) D(mA)
V D(V)
V = 0
R =r
R = 0f
A
A
C
A
C
V
A
C
A
C
A
C
A
C
CT llamada capacidad de la región de transición, de la barrera o de la carga espacial representa la variación de la carga almacenada en la región de carga respecto a la variación de la tensión en la unión.
T
C A
W
^ ^
a) b)
Figura 2.14.- a)Capacidad de la región de transición. En la zona de carga aparece una carga almacenada cuyo valor depende de la tensión de polarización inversa. b) Expresión de la capacidad de transición para una unión abrupta. Su valor coincide con el de la capacidad de un condensador plano de placas paralelas.
6.2.- Capacidad de difusión.
Cuando estamos en polarización directa aparece una capacidad CD mucho mayor que la vista anteriormente CT. El origen de esta capacidad reside en el almacenamiento de cargas inyectadas cerca de la unión. ( Figura 2.15. ). La cuantía de este almacenamiento de carga viene determinado por el grado de polarización directa. Es decir hay una variación de la carga almacenada con la tensión aplicada.
Zona p (^) p Zona n n n (^) p +++ +++ ++++
D T
C I
V
a) b)
Figura 2.15.- Capacidad de difusión. a)Aparece una concentración de cargas en las cercanías de la unión. Cargas negativas del lado de la zona p (debida al exceso de e-) y positivas del lado de la zona n (debida al exceso de h +). b) Expresión de la capacidad de difusión.
d V C dQ T
Ambas capacidades descritas aparecen a la vez con polarizaciones directas e inversas, sin embargo, en directa C (^) D >> CT y en polarización inversa CD << CT.
Hay que señalar que el efecto de las capacidades sólo se tiene en cuenta cuando se trabaja con pequeña señal y frecuencias elevadas (recordar que la impedancia que presenta un condensador es inversamente proporcional a la frecuencia ).
6.3.- Tiempo de conmutación del diodo.
Supongamos una tensión de entrada escalón al circuito de la figura
En el instante t = 0 la tensión aplicada pasa súbitamente de Vf a –Vr manteniéndose a este nivel para t > 0. Si suponemos que Vf y RL son mucho mayores que V y Rf respectivamente, la intensidad que circula por el diodo será:
La polarización directa motiva una alta concentración del exceso de minoritarios en las proximidades de la unión. Con polarización inversa el exceso de minoritarios en las proximidades de la unión es virtualmente nulo. Cuando hay un cambio de polarización deben retroceder a través de la unión hacia el lado original.
Este movimiento de carga produce una corriente en sentido inverso (de cátodo a ánodo). El periodo de tiempo durante el que el exceso de portadores minoritarios decrece hasta cero se denomina “tiempo de almacenamiento”. Durante este tiempo el diodo conduce fácilmente y la corriente a su través es –VR /RL. Esto continua hasta que
C 2
X
f C
vi RL
Vf
-Vr
0 t
L D f R i V
