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Tarea: Fundamentos de Electrónica - Región de Agotamiento de Diodos Semiconductores, Apuntes de Fundamentos de Electrónica

En este documento se presenta una tarea realizada por anthony michael saldaña en la carrera de ingeniería eléctrica y electrónica de la universidad tecnológica de panamá, facultad de ingeniería eléctrica, asignatura de fundamentos de electrónica, grupo 2ee131. Se aborda el concepto de región de agotamiento de diodos semiconductores, su comportamiento bajo polarizaciones inversa y directa, y el efecto sobre el paso de corriente por el diodo.

Tipo: Apuntes

2020/2021

Subido el 29/05/2021

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Universidad Tecnológica de Panamá
Sede De Chiriquí
Facultad de Ingeriería Eléctrica
Carrera de ingenieria en Electrica y Electronica
Grupo:
2EE131
Asignatura:
Fundamentos de Electrónica
Nombre:
Anthony Michael Saldaña (4-804-1189)
Titulo:
Tarea de diodos semiconductores
Fecha:
2020/04/02
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¡Descarga Tarea: Fundamentos de Electrónica - Región de Agotamiento de Diodos Semiconductores y más Apuntes en PDF de Fundamentos de Electrónica solo en Docsity!

Universidad Tecnológica de Panamá

Sede De Chiriquí

Facultad de Ingeriería Eléctrica

Carrera de ingenieria en Electrica y Electronica

Grupo:

2EE

Asignatura:

Fundamentos de Electrónica

Nombre:

Anthony Michael Saldaña (4- 804 - 1189)

Titulo:

Tarea de diodos semiconductores

Fecha:

1. ¿Qué es la región de agotamiento de un diodo semiconductor? Es la región donde los iones positivos y negativos son revelados cuando materiales n y p se encuentran y se llama así por disminución de portadores libres. 2. ¿En qué condiciones la región de agotamiento de ensancha o se reduce? Bajo polarización inversa (P negativa con respecto a N), la caída de potencial (es decir, tensión) en toda la región de agotamiento aumenta. Esencialmente, portadores mayoritarios son empujados fuera de la unión, dejando tras de sí más iones cargados. Así, la región de agotamiento se ensancha y su campo se vuelve más fuerte, lo que aumenta el componente de la deriva de la corriente y disminuye el componente de difusión. La densidad de portadores (en su mayoría, portadores minoritarios) es pequeño y sólo una muy pequeña corriente de saturación inversa flujos. La región de agotamiento se ensancha en el caso de polarización en inversa y se reduce cuando es afectado por condición en polarización directa. 3. ¿Qué efectos tiene este ensanchamiento de la región de agotamiento sobre el paso de la corriente por el diodo? En cuanto se incrementa la magnitud de la polarización aplicada, el ancho de la región de empobrecimiento continuará reduciéndose hasta que un flujo de electrones pueda atravesar la unión, lo que produce un crecimiento exponencial de la corriente. Cuando la región se ensancha los portadores mayoritarios no pueden pasar la barrera haciendo que el flujo se muy pequeño, acercándose a cero, cuando se reduce la barrera es más pequeña haciendo que el flujo de portadores mayoritarios sea mayor. Mientras mayor la polarización, más pequeño es el ancho. 4. Utilice Excel o un graficador matemático de su elección (como este en línea: https://www.mathe-fa.de/en) para gráficar la corriente Id de 3 diodos en función del voltaje del diodo Vd (ecuación 1.1 del libro) para voltajes de entre - 10 V a 1

5. Compare las curvas de los diodos y dé su comentarios entre sus similitudes y diferencias. ¿Coinciden con lo esperado, segun la pag. 17 del Libro? En efecto las gráficas coinciden con la parte del libro, las diferencias que tienen se centran en el tipo de diodo y la corriente de saturación inversa propia de cada uno de ellos que hace variar el punto de inflexion ya sea mas a la derecha o izquierda en el eje de las abscisas. En las tablas de valores se puede verificar que la aparición de la corriente sucede cuando el voltage es de 0.1 voltios excepto en el tercer diodo que presenta el amperaje cuando su voltage es 0.6.