EL TRANSIST OR MOSFET
OBJETIVO:
Realizar la medición del Mosfet.
Experimentar el funcionamiento del Mosfet
FUNDAMENTO TEORICO:
IGFET o MOSFET
Los transistores IGFET (Insolated Gate FET o FET de puerta
aislada) también conocidos como#MOSFET#(Metal Oxide
Semiconductor FET o FET de Metal Óxido Semiconductor) son
una variedad de transistores de efecto de campo.
La estructura interna de un MOSFET puede verse en la FIg. 3.
Puede apreciarse que se compone de un#canal#(de material P en
este caso -color azul-) sobre el que se crean los terminales
de#Surtidor#(S o Source) y#Drenador#(D o Drain) y que en el
centro se ubica el terminal de#Compuerta#(G o Gate) que está
aislado del canal por una capa fina de#material aislante#como óxido de silicio.
En la parte inferior se aprecia un cuarto terminal de#Sustrato#(SS) que habitualmente está
unido al#Surtidor.
Esta capa de aislante en la Compuerta le otorga al MOSFET una resistencia de entrada
del orden de los Mega ohm, más alta aún que en el caso de los JFET.
Esta resistencia tan elevada implica que#prácticamente no circula corriente por la puerta,
haciendo que el MOSFET se comporte como una#resistencia variable#donde la corriente
entre Drenador y Surtidor es controlada por la tensión de puerta.
ESTRUCTURA BÁSICA.
Como podemos observar en la Figura 7.24. la estructura
básica para un MOSFET de deplexión es similar al caso del
de deplexión, con la importante diferencia de que en este
caso disponemos de un canal inicial realizado en el proceso
de fabricación del dispositivo
SÍMBOLOS.
Los símbolos más habituales utilizados para la representación en circuitos de los MOSFET
de acumulación son los que aparecen representados en la Figura 7.25
