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Instrucciones de laboratorio sobre Sensores Fotoeléctricos y Fotorresistores, Apuntes de Máquinas Eléctricas

Un manual de laboratorio que presenta la teoría y práctica de sensores fotoeléctricos y fotorresistores. El texto explica qué son las fotorresistencias, cómo funcionan, sus tipos y aplicaciones. Además, se detalla el proceso de construir un dispositivo que regule la luz incidente sobre una fotorresistencia. El documento incluye figuras y listados de materiales.

Tipo: Apuntes

2019/2020

Subido el 22/10/2020

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Instructivo de laboratorio de SENSORES Y ACTUADORES 103-259
Cuerpo Académico de Mecatrónica
43
Práctica # 4
SENSORES FOTOELÉCTRICOS.
Introducción.
Una fotorresistencia es un componente
electrónico en el cual su resistencia es
disminuida al aumentar la intensidad de luz
incidente en este componente. También es
llamado fotorresistor, fotoconductor, célula
fotoeléctrica o resistor dependiente de la luz
(LDR por sus siglas en inglés).
Figura 4.1.- Ejemplo de
una fotorresistencia.
Existen diversos tipos de fotorresistores en el mercado. Pueden ser encontrados en
muchos artículos electrónicos por ejemplo cámara fotográfica, medidores de luz, los relojes
con radio, las alarmas de seguridad y en los sistemas de encendido y apagado del
alumbrado de calles según la luz ambiental.
Objetivo.
Conocer el comportamiento del fotorresistor, sus principales características, tipos y
aplicaciones. Además se construirá un dispositivo que regule la luz incidente sobre una
fotorresistencia.
Marco teórico.
Las fotorresistencias (en inglés Light Dependent Resistors” LDR) son dispositivos
basados en la variación de resistencia eléctrica de un semiconductor al incidir en él
radiación de luz en el rango óptico (10 nm< l< 1mm).
La conductividad eléctrica de un material depende del número de portadores en la banda
de conducción. En un semiconductor es, normalmente, la agitación térmica la causa de que
parte de sus electrones salten de la banda de valencia a la de conducción, siendo por lo
tanto la temperatura el parámetro que determina, junto a sus características intrínsecas, la
conductividad del material.
Sin embargo, la energía necesaria para el salto puede proceder de otro tipo de fuentes,
como por ejemplo radiación óptica. En este caso es la energía de los fotones que colisionan
con el material, la fuente para este salto. Si esta energía, determinada por la frecuencia de la
radiación, es lo suficientemente alta para permitir el salto, sin exceder el umbral para que se
desprendan del material, tendremos el denominado efecto fotoeléctrico interno. En este
caso a mayor iluminación mayor conductividad. Este efecto es aprovechado para la
construcción de resistencias variables con la luz (LDR). Dependiendo del material con el
que se construyan, y por tanto del ancho de la banda prohibida, se obtienen diferentes
respuestas espectrales (relación entre la sensibilidad del dispositivo y la frecuencia de la
radiación incidente).
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¡Descarga Instrucciones de laboratorio sobre Sensores Fotoeléctricos y Fotorresistores y más Apuntes en PDF de Máquinas Eléctricas solo en Docsity!

Práctica # 4 SENSORES FOTOELÉCTRICOS.

Introducción.

Una fotorresistencia es un componente electrónico en el cual su resistencia es disminuida al aumentar la intensidad de luz incidente en este componente. También es llamado fotorresistor, fotoconductor, célula fotoeléctrica o resistor dependiente de la luz (LDR por sus siglas en inglés).

Figura 4.1.- Ejemplo de una fotorresistencia.

Existen diversos tipos de fotorresistores en el mercado. Pueden ser encontrados en muchos artículos electrónicos por ejemplo cámara fotográfica, medidores de luz, los relojes con radio, las alarmas de seguridad y en los sistemas de encendido y apagado del alumbrado de calles según la luz ambiental.

Objetivo.

Conocer el comportamiento del fotorresistor, sus principales características, tipos y aplicaciones. Además se construirá un dispositivo que regule la luz incidente sobre una fotorresistencia.

Marco teórico.

Las fotorresistencias (en inglés “Light Dependent Resistors” LDR) son dispositivos basados en la variación de resistencia eléctrica de un semiconductor al incidir en él radiación de luz en el rango óptico (10 nm< l< 1mm).

La conductividad eléctrica de un material depende del número de portadores en la banda de conducción. En un semiconductor es, normalmente, la agitación térmica la causa de que parte de sus electrones salten de la banda de valencia a la de conducción, siendo por lo tanto la temperatura el parámetro que determina, junto a sus características intrínsecas, la conductividad del material.

Sin embargo, la energía necesaria para el salto puede proceder de otro tipo de fuentes, como por ejemplo radiación óptica. En este caso es la energía de los fotones que colisionan con el material, la fuente para este salto. Si esta energía, determinada por la frecuencia de la radiación, es lo suficientemente alta para permitir el salto, sin exceder el umbral para que se desprendan del material, tendremos el denominado efecto fotoeléctrico interno. En este caso a mayor iluminación mayor conductividad. Este efecto es aprovechado para la construcción de resistencias variables con la luz (LDR). Dependiendo del material con el que se construyan, y por tanto del ancho de la banda prohibida, se obtienen diferentes respuestas espectrales (relación entre la sensibilidad del dispositivo y la frecuencia de la radiación incidente).

En general la relación entre la resistencia del elemento y la iluminación incidente E (densidad superficial de energía recibida expresada en lux) es fuertemente no lineal. Esta relación se suele modelar mediante la expresión:

R (ohm) = A * E-a

Donde A y a dependen del material y condiciones de fabricación. Otra manera de expresar esta relación es tomando logaritmos:

Log (R) = A’ - a Log (E)

Como puede comprobarse existe una relación lineal entre los logaritmos de la resistencia y nivel de iluminación. Estos dispositivos son baratos, disponen de un tiempo de respuesta relativamente grande (son lentos) y su respuesta espectral es fácilmente adaptable a la del ojo humano.

Si se construye un divisor de voltaje con la fotorresistencia y una segunda resistencia, se tendrá un voltaje proporcional al valor de la resistencia por lo tanto a la intensidad de la luz.

Un LED, o un diodo emisor de luz por sus siglas en ingles, es un dispositivo semiconductor (diodo) que cuando se polariza en directa y es atravesado por la corriente eléctrica emite luz policromática, es decir, con diferentes longitudes de onda,. El color depende del material semiconductor empleado en la construcción del diodo, pudiendo variar desde el ultravioleta, pasando por el espectro de luz visible, hasta el infrarrojo, recibiendo éstos últimos la denominación de IRED (Infra-Red Emitting Diode).

Listado de Material.

  • Tarjeta de la practica (1 Fotorresistencia y 1 Resistencia 1 K ohm).
  • Caja con tapa deslizadora.
  • Fuente de voltaje.
  • Fuente de luz.

Figura 4.2.- Tarjeta Utilizada.

Figura 4.5.- Diagrama de conexión al NI ELVIS.

  1. Una vez conectado correctamente, encender el NI ELVIS.
  2. Inicializar el programa de National Intruments para el NI ELVIS y seleccionar el modulo de DMM.
  3. Medir el voltaje Vo con la tapa cerrada y en intervalos de 1 cm, para que junto con el ancho de la tapa, se pueda calcular el valor del área que permite la entrada de luz proveniente de la fuente de luz.
  4. Efectuar las mediciones necesarias y graficar los valores para hacer una grafica del área contra el voltaje. Se recomienda realizar las mediciones cada centímetro de desplazamiento.
  5. Determinar el tipo de comportamiento de la gráfica y comentar a cerca de este.

Figura 4.5.- Ejemplo de la práctica.

  1. Nombrar algunas aplicaciones de las fotorresistencias e implementar mínimo una de ellas.

Gráfica 4.1.- Ejemplo de la gráfica de la práctica.