Prepara tus exámenes y mejora tus resultados gracias a la gran cantidad de recursos disponibles en Docsity
Gana puntos ayudando a otros estudiantes o consíguelos activando un Plan Premium
Prepara tus exámenes
Prepara tus exámenes y mejora tus resultados gracias a la gran cantidad de recursos disponibles en Docsity
Prepara tus exámenes con los documentos que comparten otros estudiantes como tú en Docsity
Encuentra los documentos específicos para los exámenes de tu universidad
Estudia con lecciones y exámenes resueltos basados en los programas académicos de las mejores universidades
Responde a preguntas de exámenes reales y pon a prueba tu preparación
Consigue puntos base para descargar
Gana puntos ayudando a otros estudiantes o consíguelos activando un Plan Premium
Comunidad
Pide ayuda a la comunidad y resuelve tus dudas de estudio
Ebooks gratuitos
Descarga nuestras guías gratuitas sobre técnicas de estudio, métodos para controlar la ansiedad y consejos para la tesis preparadas por los tutores de Docsity
Practicas transistores diferentes polarizaciones
Tipo: Ejercicios
1 / 4
Esta página no es visible en la vista previa
¡No te pierdas las partes importantes!
El equipo realizara el ejercicio dado en el documento de Teams donde buscarán la resolución de este de manera correcta y harán los cálculos pedidos además de la simulación por LTspice para su mejor entendimiento, DESARROLLO: Obtener la curva ID-VGS del FET 2N3819 para los valores mínimos, típicos y máximos de IDSS y VGS(off). Utilizar los datos del archivo adjunto. Para el FET 2N3819, obtener el valor de Beta si: a) IDSS = 2 mA y VGS(off) = -2.0 V b) IDSS = 10 mA y VGS(off) = -5.0 V c) IDSS = 20 mA y VGS(off) = -8.0 V DIAGRAMA:
Q 2N V 0V V 0V CONCLUSION: El equipo logró el funcionamiento del circuito y entendió de manera clara su funcionamiento, así como la realización de los cálculos matemáticos para su funcionamiento.
