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Los conceptos básicos de los transistores bipolares, incluyendo los tipos NPN y PNP, las ecuaciones básicas y las configuraciones de emisor común, base común y colector común. Se explican los parámetros híbridos y el análisis en AC, así como las aplicaciones de los transistores bipolares.
Tipo: Diapositivas
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Si queremos que el transistor amplifique entonces:
Diodo (^) BE→ON y Diodo (^) BC→OFF
Ecuaciones Básicas:
IE = IC + IB
IC = Ie + ICBO
IC = IB + ICEO
Sí = T=cte.
(1),(2),(3).
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝛽
𝐼𝐶
𝛼
= 𝐼𝐶 +
𝐼𝐶
𝛽
= 𝜶 =
𝜷
𝜷+𝟏
Los transistores se gobiernan por inyección de corriente de base.
a. Para gran señal.
T
be V
V
I Iss e C
=
Vbe = VT
VT = 25. 8 mV
Iss. Dato de fabrica equivale a la corriente inversa de saturación del diodo (I 0 )
b. Pequeña señal.
Vbe ( t ) VT “por series”
I (^) c ( t )= Ica + gma Vbe ( t )
T
SS ma V
g =
El análisis primero en continua y luego el altera.
2) Zona Saturacion: (ON)
Nota: Si un transitor se encuentra en saturación, se considera como en corto circuito.
Para reconocer si un transitor esta saturado. (los Diodos en “ON”)
saturacion
potencia =
Nota: Los circuitos digitales trabajan con el BJT saturado o cortado.
Para corte:
V Vumbral. (V)
Ibase = 0
“Cuando un BJT” se corta.
Potencia en corte = 0
Para saturar:
L
CC CEsat C
R
BB
sat
B
Nota: Si faltan datos
Csat B
Nota: Para los fabricantes
VCesat = 0. 1 V y0.2V
Nota: Pero para los cálculos (0 V)
Amplifica: Q→ zona activa.
In:
Pero:
IC = IE (T=cte)
Nota: Procurar que la curva esté lejos de la frontera.
E
CC
C
CQ R
➢ Análisis en DC.
RDC = Rc + RE
tg R R
m
C E
➢ Análisis en AC.
➢ Análisis en DC
➢ Análisis en AC
RAC = Ro
0
CQ ( )
C E
CC
RDC = RC +RE
Ro = RC//RL
ICQ = f(fuente DC, juntura, ICB0, , T)
Factores térmicos:
B E
B E I R R
I CB
CQ
Pero: REE >>> RB (1-) (por diseño)
Sí
E
B
E
B E
R
1 < SI < 15
2.
B E
v R R
r
C
Pero: RE RB (1-)
E E
v R R
S (^) r
V (^) = 0. 2 V → Ge
mV K
K T 02 0
2 e
ICB = ICB
ICB 0 :a 25 C
2
01
02
K T
CB
CB e
I
= T^ = T 2 − T 1
CB
CB
01
(^02 )
2 = −
K
K T
CB
CB CB e
e
T CB 0 0
2 = −
K ICB e
CB CB
C
CB
C I I
C
C (^) L =
Sv = Sv
K T I 0
2 = I (^) CB + SV K T
K 2 = 0.07/°C
“Por efecto de amplificación asumo =100”
VT I ISS
V / 1 e
= .........................(1)
VT I ISS
V / 2
2 e
= ......................(2)
(1) entre (2) T
V V e I
2
C
RI V CC
R
e I
T^1 1
( )/
2
1 ; I 2
Ln 2
2
Parámetros Híbridos h
Objetivo : Modelar transistores cuando las excitaciones son débiles o pequeña señal.
Procesamiento de pequeña señal:
“Circuitos Lineales con BJT”
𝑽𝑨: Voltaje Early.
𝑽𝑨
𝑰𝑪
𝟏
𝒉.𝒆
𝑽𝒊 = 𝒉𝟏𝟏 i𝟏 + 𝒉𝟏𝟐 V𝟐..................(1)
𝒊𝟐 = 𝒉𝟐𝟏 i𝟏 + 𝒉𝟐𝟐 V𝟐..................(2)
Por síntesis de circuitos:
Donde:
h 11 = hi
h 12 = hr
h 21 = hf
h 22 = ho
ib
i (^) l h fe Vce=cte
0
0 ce
c 0
i
h (^) e = he = gl =
= ib=cte
➢ Aplicación: emisor comun
➢ Análisis en AC:
hie= resistencia dinámica: IBQ
4 5 7 = →
− − − h re
hfe =
− − −
0
0
7 10 12 0
h
h (^) e mhs
Nota: Para fines prácticos s elimina hoe y hreV 0.
Vi = hie ib
V 0 (^) =− BR 0 ib y
i hie
