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ELECTRONICA 2 INFORME 5, Monografías, Ensayos de Electrónica

INFORME 5 AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAASKDJAHDSALDHLKJDALKSJDKLAJSDLKALKSDJLKAKLSLDJALSDJKKALSDJLKASDJLKASLDKJALKSDJLKASJDKLJALKSDJLKASDLKASJDLKASJ

Tipo: Monografías, Ensayos

2020/2021

Subido el 11/04/2021

edwin-nicolas-silva-fernandez
edwin-nicolas-silva-fernandez 🇨🇴

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Informe 5 de Electrónica II
INFORME 5 DE ELECTRÓNICA II
AMPLIFICADOR MULTIETAPA ACOPLE DIRECTO: EL CASCODE
UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS
BOGOTÁ D.C
PROYECTO CURRICULAR: Ing. Electrónica.
INTEGRANTES: Jean Sebastián Posada Neira 20181005059
Juan Felipe Vesga Rodríguez 20182005082
Esteban Camilo Peña Sáenz 20171005032
Docente: José Hugo Castellanos
1. MARCO TEÓRICO
1. CALCULOS TEORICOS DEL IGFET EN SOURCE COMÚN
Comprobación puntos Q:
V
GS (ON )
=3,9V ;V
GS(TH )
=2,4V ; C gd=4pF ; ID
q
=4mA ,
;
VDD=15V
Vd
2
s
1
=0.5V
DD
=7.5V
Vds
1
=Vds
2
=V
DD
4=3.75V
Donde:
ID
q
=V
DD
Vd
2
s
1
ℜ+Rd =Rd +ℜ=15V7.5V
4mA =1875
Podemos decir que Rd y Re pueden ser:
Rd=1700 y ℜ=174
Ahora:
Vgs1=−IDq∗ℜ=4mA174=0.696 V
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pf4

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INFORME 5 DE ELECTRÓNICA II

AMPLIFICADOR MULTIETAPA ACOPLE DIRECTO: EL CASCODE

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS

BOGOTÁ D.C

PROYECTO CURRICULAR: Ing. Electrónica. INTEGRANTES: Jean Sebastián Posada Neira 20181005059 Juan Felipe Vesga Rodríguez 20182005082 Esteban Camilo Peña Sáenz 20171005032 Docente: José Hugo Castellanos

**1. MARCO TEÓRICO

  1. CALCULOS TEORICOS DEL IGFET EN SOURCE COMÚN** Comprobación puntos Q: V (^) GS (ON )=3,9 V ; V (^) GS(TH )=2,4 V ; C gd= 4 pF ; IDq= 4 mA ,; V (^) DD= 15 V Vd 2 s 1 =0.5V (^) DD=7.5 V Vds 1 =Vds 2 =

V DD

=3.75 V

Donde: IDq = V (^) DD −Vd 2 s 1 ℜ+ Rd =Rd + ℜ=

15 V −7.5V

4 mA

Podemos decir que Rd y Re pueden ser: Rd= 1700 Ω y ℜ= 174 Ω Ahora: Vgs 1 =−IDq∗ℜ=− 4 mA∗ 174 Ω=−0.696 V Vp 1 = Vgs 1

−0.696 V

=−2.32V

I DSS=

IDq

Vgs 1

Vp 1 )

2 =^

4 mA

(^1 −^

0.696 V

2.32 V )

2 =8.16^ mA Tomamos las resistencias de gate de la práctica 4 y así: Vg= V (^) DD ∙ Rg 1 Rg 1 + Rg 2

15 V ∙2.44 MΩΩ

2.44 MΩΩ+ 2 MΩΩ

=8.24 V

Vgs 2 =Vg−IDq ∙ Rs−Vds 1 Vgs 2 =−8.24 V +0.696 V +3.75 V =−3.794 V Vp 2 = Vgs 2

−3.794 V

=−12.646 V

IDSS=

IDq

Vgs 1

Vp 1 )

2 =^

4 mA

(^1 −^

3.794 V

12.646 V )

2 =8.16^ mA