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Laborotario de micro nano sistema electronicos de la universidad nacional mayor de san marcos. Curso del octavo ciclo.
Tipo: Diapositivas
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Del artículo tutorial (en PDF) en base al COMSOL y algunas referencias adicionales se pide:
- ¿Cuál es el título del ARTÍCULO TUTORIAL en PDF y la versión del COMSOL utilizada? (V5.4, V5.5, V5.6). Sería bueno hacer énfasis que el tema tocado es el número 19 del PDF indicado por el profesor. El nombre del artículo es “GaAs P-N Junction Infrared LED” pero en español “LED infrarrojo de unión GaAs P-N”. La versión del COMSOL a utilizarse será V5.4, la cual ha sido dada por el profesor. - ¿Cuál es la simulación realizada en el artículo? Este modelo simula un LED que emite en la parte infrarroja del espectro electromagnético. La estructura del dispositivo se compone de una única unión p-n formada por una capa de dopaje de tipo p cerca de la superficie superior de una oblea de otro modo tipo n. Figura 1. Simulación en COMSOL V5.
semiconductores, que se utiliza para refinar automáticamente la malla alrededor del gradiente de concentración de dopante. Esto es útil porque la malla refinada es más densa alrededor de las uniones p-n, que es donde se requiere una resolución menor. El segundo estudio barre el sesgo de voltaje a través del dispositivo de 0 V a 1,5 V. Se traza la curva de voltaje de corriente para mostrar que el dispositivo es de hecho un diodo, y se calcula la tasa de emisión en todo el dispositivo.
- ¿Qué aplicaciones tiene el dispositivo o tema del artículo? Los LED infrarrojos se utilizan ampliamente en muchas aplicaciones optoelectrónicas, pero quizás la más familiar es un entorno doméstico, para su uso en controles remotos. Aunque se puede lograr una producción de luz más eficiente utilizando estructuras de dispositivos complicadas, las uniones p-n simples son todavía utilizadas para muchos emisores de infrarrojos debido a su bajo costo y facilidad de fabricación. En este modelo, se modela un LED infrarrojo de unión p-n simple. - ¿Qué referencias adicionales ha revisado? El dispositivo está fabricado con un chip circular de GaAs de 60 μm de diámetro. Aunque, debido a la naturaleza cristalina de los materiales semiconductores, es probable que los chips LED reales se fabriquen utilizando chips rectangulares, solo la región activa circular formada por el dopaje de tipo py n se incluye en esta simulación. Esto es para permitir la simetría cilíndrica, lo que reduce considerablemente el tiempo de cálculo. Las referencias adicionales utilizadas son: https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1. https://avs.scitation.org/doi/abs/10.1116/1.582773?journalCode=jvm https://es.wikipedia.org/wiki/Led https://www.comunidadelectronicos.com/articulos/control-remoto.htm https://blog.ledbox.es/noticias-y-novedades/curiosidades-led/diferencias-entre-control-remoto-ir- vs-rf
