Sistemes Electrònics 2022_23_P
Informe Pràctica 4
Pàgina 4.1
VCC
VBB
IB
IC
VBE
VCE
Mesurat
20 V
8 V
71,7µA
8,6mA
829,9m
V
11,39V
Sistemes Electrònics
Informe Pràctica 4. Components III (Transistor)
Estudiant: Claudia Massana Ruiz
Data:26/04/2023 Qualificació: /7
4.2.- Treball de simulació.
4.2.1.- Transistor bipolar treballant en activa (lineal).
4.2.1.A.- Mesura dels corrents i tensions en un transistor en règim lineal.
Anoteu els valors obtinguts a la Taula 4.
Taula 4: Corrents i tensions d’un transistor en règim lineal.
4.2.1..B.- Característica estàtica del transistor bipolar.
Taula 5: Característica estàtica d’un transistor bipolar.
4.2.1.C- Recta de càrrega del circuit de col·lector del transistor bipolar (gràfica VCE -IC).
Simulat
VBB
IB
IC
VCE
18 V
0,7115 mA
19,8 mA
0,2077V
16 V
0,152 mA
18,18 mA
1,82 V
14 V
0,132 mA
15,79 mA
4,215 V
12 V
0,1116mA
13,39 mA
6,61 V
10 V
91,94 µA
10,99mA
9,004 V
8 V
71,7 µA
8,604 mA
11,396V
6 V
51,79 µA
6,214 mA
13,79V
4 V
31,911 µA
3,829 mA
16,17 V
2 V
12,16 µA
1,456 mA
18,54V
0 V
-20 pA≅0
60 pA ≅0
20 V
