¡Descarga Teoria capítol 3 y más Apuntes en PDF de Ingeniería Industrial solo en Docsity!
1
2
3
n
-
20
m
-
Porta
G
Càtode
K
Ànode
A
n
+
25
m
-
25
m
-
p
22
m
-
p
22
m
-
p
+
J3 J2 J
μ
m
μ
m
μ
m
μ
m
4
25 m
10
23
10
21
p
+
n
+
n
-
p
A
K
G
5
Porta
Càtode
Pastilla
Porta
Càtode
Pastilla
Tiristors petits
Tiristors grans
6
I
V
RRM
Ruptura inversa
Estat de conducció directe
i^ G
i^ G
I
H
V
H
V
AK
v
T(TO)
1/r
T
Estat de bloqueig directe
7
p
+
n
+
n
-
p
A
K
G
p
+
n
+
p
A
K
G
n
-
Directe Invers
8
n
-
p
+
n
+
p
A
K
G
IA IK
I
G
n
-
n
+
p
K
G
IK
I
G
n
-
p
+
p
A
IA
IG
I
A
IK
Realimentació
positiva
13
i v
t
r^
t
f
t^ rr
V
R
t t
V
F
di
R
/dt
I
F
I
RM
t
1
V
RR
p
+
n
+
n
-
log(n,p)
I^ F
p
+
n
+
n
-
p
A
K
G
0,25·I
RM
p
14
i
v
t t
I
F
Si es
reaplica
la tensió directa abans
d’eliminar tot l’excés de càrregues perles unions, el tiristor es pot tornar adisparar. t
q
temps de reaplicació segur
A
K
G
i^ C
dv/dt
J1 J2J
La capacitat de la unió J2 permetpassar un corrent i
C
quan la tensió
d’entrada varia
(dv/dt)
i^ C
no pot ser més gran que el corrent
mínim de porta I
GD
perquè el tiristor
pot entrar en conducció.
<
⋅
=
tq
15
v
S
Càrrega
R
G
IG
V
G
v
GK
G
K
I
G
IGD
V
GD
Àrea de
dispar segur
V
G
Recta de càrrega
P
G
(t
p
T
=25ºCj
I
GT
V
GT
I
GC
=V
G
/R
G
IGM
V
GM
S’ha de triar una tensió V
G
i una
R
G
de manera que la recta de
càrrega passi per la zona de disparsegur.
Característica
d’un tiristor
Punt de
funcionament
v
GK
16
i^ d R
v
S
v
d i^ R
i^ G
v
S
v
AK
T
T
T
T
T
v
AK
i^ T
i^ G
v
S i G i v
AK
v
S i G i^ d v
AK
IG
I G
IG
I G
i^ T v
AK
17
Id^ R
v
S
v
d
T
T
T
T v
T
i^ T
i^ G
v
S
L
v
S
α
V
p
IG1,
I G I
T v
IT1 T
Id
di
T
/dt
u
v
S
T
i^ S
T
I
d
L
S
Id
Si u<< L/R
Si u<< T
V
S
és constant durant ‘u’
L
S
18
Id R
v
SN
v
d
T
v
T
i^ R
v
SN i^ G I
R
v
T
IG
L
v
SN
v
RN
v
TN
α
V
p
IG
i^ S i^ T
v
RN
v
TN
I
d
Si u<< L/R
T2 T
I
S
Id
di
S
/dt
u
Si u<< T
V
R
i V
S
constants durant ‘u’
v
SN
T
i^ R^ i^ S
v
RN
T
Id
N
L
S
L
S
α = + α − + α =
v
RN
19
Id R
v
SN
v
d
T
v
T
v
SN i^ G I
T v
T
IG
L
v
SN
v
RN
v
TN
α
V
p
I
G
i^ T
i^ T
v
RN
v
TN
I
d
Si u<< L/R
IT
Id
di
T
/dt
u
Si u<< T
V
R
i V
S
constants durant ‘u’
v
SN
T
i^ R i^ S
v
RN
T
I
d
N
L
S
L
S
α = + α − + α =
T
T
T
T
T
v
RN
20
33
25
+
26
Id R
v
SN
v
d
T
v
SN i^ G I
T v
T
IG
L
v
SN
v
RN
v
TN
α
V
p
IG
v
RN v
TN
Id
Si u<< L/R
IT
Id
di
T
/dt
u
N
L
S
T
T
T
T
T
v
RN
v
SR
T1 L
S
T
L
S
v
SR
T
2L
S
T
v
SR
Id
Id
R
S C
S
Circuit idèntic al dels diodes
27
V
SR
i^ T
i
T
v
T
I
d
2L
S
v
LS
R
S
C
S
i
v
T
t
rr
t t
di
T
/dt
I
d
I
RR
i^ T
V
SR
v
LS
-V
SR
2L
S
·di
2
/dt-V
di SR
2
/dt
2L
S
·di
2
/dt
i^ T
T
T
v
T1max
Cas pitjor:
α
V
SRmax
2*V
LL
V
LL
tensió eficaç de línia
Comparant amb els càlculs del diode:
És l’energia perduda a cada snubber
28
V
S
i^ T
i^ T
v
T
Id
L
S
v
LS
R
S
C
S
i
v
T
t^ rr
t t
di
T
/dt
I
d
I
RR
i
T
V
S
v
LS
-V
S
2L
S
·di
2
/dt-V
di s
2
/dt
2L
S
·di
2
/dt
i^ T
T
T
v
T1max
Cas pitjor:
α
V
Smax
2*V
S
V
S
tensió eficaç de línia
Comparant amb els càlculs del diode:
És l’energia perduda a cada snubber
29
Les pèrdues per conducció i per commutació en els semiconductors es transformenen calor.El calor s’ha d’evacuar perquè a l’interior del semiconductor la temperatura no passiper sobre de la màxima permesa.El calor produït en el semiconductor es transfereix cap l’exterior per conducció.La relació entre energia calorífica, temperatura i resistència tèrmica és:
T=P·R
th
T
j T
c
T
a
T
j
T
s
(
(#
(#
^
Semiconductor Càpsula^ Radiador Interface
30
F
.C
$
6
G
$
7
3
R S T
31
C
32
Fundamentos de semiconductores. Robert F. Pierret. Addison-Wesley p 43, 40 i 27
El diodo PN de unión. Gerold W. Neudeck. Addison-Wesley. p 28, 34Solid state electronic devices. Ben G. Streetman. Prentice Hall.
