¡Descarga Teoria capitol 4 (b) y más Apuntes en PDF de Ingeniería Industrial solo en Docsity!
1
2
3
4
5
n
-
Porta
Drenador
n
+
p
n
+
Sortidor
Aïllant (SiO
2
n
+
p
n
+
n
+
n
+
p
6
n
-
Porta
G
Drenador
D
n
+
p
n
+
Sortidor
S
V
GS
Capa buida
Aïllant (SiO
2
V
GS
< V
GS(th)
7
n
-
Porta
G
Drenador
D
n
+
p
n
+
Sortidor
S
V
GS
Capa buida
Capa d'inversióamb electrons lliures
V
GS
> V
GS(th)
S’obre un canal
conductor
8
n
-
Porta
G
Drenador
D
n
+
p
n
+
Sortidor
S
V
GS
v
GS
> V
GS(th)
V
DS
baixa (<5V)
El canal té unes dimensions fixesque depenen principalment de V
GS
per tant, la resistència és fixa.
i
D
v
DS
V
GS(th)
V
GS
V
DS
I
D
13
i D
v
DS
V
GS
<V
GS(th)
V
GS
Regió óhmica
Regió activa
v
DS
K(v
GS
-V
GS(th)
2
V
GS
V
GS
V
GS
BV
DSS
G
D S
r
DS(on)
C
gd C
gs
i
D
=f(v
GS
=g
m
(v
GS
-V
GS(th)
G
D S
C
gd C
gs
MOSFET
canal N
MOSFET
canal P
V
GS(th)
v
GS
i D
real
linialitzada
g
m
i
D
v
GS i
D
v
DS
C
gd
C
gd
C
gd
v
GS
=v
DS
real
Idealització
C
ds
C
ds
14
G
D
S
C
gd
C
gs
i
D
i
G
I
o
D
v
V
d
C
d
V
L
C
R
L
C
R
D
V
I
L
I
o
C
ds
on
off
15
v
GS
i
G
v
GS
v
GS(th)
i
D
v
DS
c
GD
Càrrega
C
GS
Càrrega
C
GD
t
d(on)
i
Dv
Io
C
gd
C
gs
i
G
D
v
V
DD
v
GS
I
o
v
DS
t
d(on)
C
gd
C
gs
i
G
D
v
V
DD
I
o
v
DS
t
ri
t
ri
t
fv
i
D
v
GS
C
gd
C
gs
i
G
V
DD
I
o
v
DS
t
fv
i
D
t
sat
t
sat
v
DSsat
v
GS
C
gd
C
gs
i
G
I
o
v
DSsat
V
DD
r
DSon
t
i
D
v
DS
v
GS
↑
16
V’
GS
v
GS(th)
Q
GS
Q
GD
t
i
G
t
q = I·t
t
V
G
R
G
i
G
v
GS
V
G
=10V
t
1
Q
1
S’ha d’assegurar que:
Mosfet saturat
Resistència de porta
Potència mitja de porta
! $
$
Q
G
17
t
d(off)
i
G
v
GS
v
GS(th)
i
D
v
DS
c
GD
Descàrrega
C
GS
Descàrrega
C
GD
i
Dv
Io
t
rv
t
fi
v
DSsat
t
i
D
v
DS
v
GS
↑
T
d(off)
v
GS
C
gd
C
gs
i
G
I
o
v
DSsat
V
DD
r
DSon
v
GS
C
gd
C
gs
i
G
V
DD
I
o
v
DS
t
rv
i
D
v
GS
C
gd
C
gs
i
G
D
v
V
DD
I
o
v
DS
t
fi
i
D
C
gd
C
gs
i
G
D
v
V
DD
v
GS
I
o
v
DS
t
d(on)
18
i
D
v
DS
Id
v
DSsat
t
d(on)
t
ri
t
fv
t
con
D
v
V
d
I
o
V
G
i
D
v
DS
v
GS
v
GS(th)
p
DS
t
blo
t
rv
t
fi
t
d(off)
v
GS(th)
V
d
Commutació
%
Conducció
%
&
&
t
on
Total
(
Id
19
Les pèrdues per conducció i per commutació en els semiconductors es transformenen calor.El calor s’ha d’evacuar perquè a l’interior del semiconductor la temperatura no passiper sobre de la màxima permesa.El calor produït en el semiconductor es transfereix cap l’exterior per conducció.La relació entre energia calorífica, temperatura i resistència tèrmica és:
T=P·R
th
T
j T
c
T
a
T
j
T
s
'
'
Semiconductor Càpsula Radiador
Interface
20
Fundamentos de semiconductores. Robert F. Pierret. Addison-Wesley p 43, 40 i 27El diodo PN de unión. Gerold W. Neudeck. Addison-Wesley. p 28, 34Power electronics. Mohan/Undeland/Robbins. John Wiley and Sons. 2nd EditionPower electronics semiconductor switches. R.S.Ramshaw. Chapman & Hall. 2nd ed.Semikron. Power semiconductors 92-93Hexfet. Power Mosfet. Designer’s Manual. International RectifierSolid state electronic devices. Ben G. Streetman. Prentice Hall.
