Docsity
Docsity

Prepara tus exámenes
Prepara tus exámenes

Prepara tus exámenes y mejora tus resultados gracias a la gran cantidad de recursos disponibles en Docsity


Consigue puntos base para descargar
Consigue puntos base para descargar

Gana puntos ayudando a otros estudiantes o consíguelos activando un Plan Premium


Orientación Universidad
Orientación Universidad


TRANSISTOR BTJ BIPOLAR, Apuntes de Electrónica

TRANSISTOR BJT} FUNCIONAMIENTO DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Tipo: Apuntes

2021/2022

Subido el 13/03/2022

gonzalez-martinez-jose-manuel
gonzalez-martinez-jose-manuel 🇲🇽

1 documento

1 / 14

Toggle sidebar

Esta página no es visible en la vista previa

¡No te pierdas las partes importantes!

bg1
INSTITUTO POLITÉCNICO
NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y
ELÉCTRICA
UNIDAD ZACATENCO
PROFESORA: EVA VÁLDEZ ALEMÁN
UNIDAD DE APRENDIZAJE: ELECTRÓNICA I
U3. EL TRANSISTOR BIPOLAR
CARRERA: ISISA
GRUPO: 4SM3
ALUMNOS:
ESCAMILLA QUEZADA RAY DE JESUS
GONZÁLEZ MARTÍNEZ JOSÉ MANUEL
SAGAHON REYES ALAN
pf3
pf4
pf5
pf8
pf9
pfa
pfd
pfe

Vista previa parcial del texto

¡Descarga TRANSISTOR BTJ BIPOLAR y más Apuntes en PDF de Electrónica solo en Docsity!

INSTITUTO POLITÉCNICO

NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y

ELÉCTRICA

UNIDAD ZACATENCO

PROFESORA: EVA VÁLDEZ ALEMÁN

UNIDAD DE APRENDIZAJE: ELECTRÓNICA I

U3. EL TRANSISTOR BIPOLAR

CARRERA: ISISA

GRUPO: 4 SM

ALUMNOS:

ESCAMILLA QUEZADA RAY DE JESUS

GONZÁLEZ MARTÍNEZ JOSÉ MANUEL

SAGAHON REYES ALAN

ÍNDICE

    1. CONCEPTO DE TRANSISTOR
  • 1.1. PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
  • 1.2. SÍMBOLO.............................................................................
  • 1.3. CURVAS CARACTERÍSTICAS
    1. POLARIZACIÓN DEL BJT
  • 2.1. PUNTO DE OPERACIÓN
  • 2.2. RECTA DE CARGA.................................................................
  • 2.3. CONMUTADOR BJT
  • 2.4. EFECTOS DE TEMPERATURA
  • 2.5. CONFIGURACIONES BÁSICAS DEL BJT
  • 2.6. EMISOR COMÚN
  • 2.7. BASE COMÚN
  • 2.8. COLECTOR COMÚN.............................................................
  • CIBERGRAFÍA

Podríamos usar como analogía de transistor una llave de paso, si está totalmente abierta deja entrar todo el caudal del agua, si está cerrada no deja pasar nada, y en sus posiciones intermedias deja pasar más o menos agua. Se compone de 3 elementos:

  1. Base: Es la intersección donde se juntan el emisor y el colector.
  2. Colector: Terminal por la cual entra el flujo de corriente eléctrica.
  3. Emisor: Terminal por la cual sale el flujo de corriente eléctrica. De esta manera, si la base no recibe corriente, el transistor se ubica en posición de corte; si recibe una corriente intermedia, la base abrirá el flujo en determinada cantidad; y si la base recibe la suficiente corriente, entonces permitirá el paso total de la corriente modulada. 1.2. SÍMBOLO

1.3. CURVAS CARACTERÍSTICAS

Se dice característica de entrada la curva que expresa la tendencia de la corriente de base IB en función de la tensión de base VBE, tales como la siguiente, que se refiere al transistor NPN BCW82. Vemos cómo la característica de entrada corresponde a la de un diodo, de hecho, entre la base y el emisor, el transistor se comporta como un diodo; vemos, de hecho, que la corriente de base es cero, cuando la VBE es menor que la tensión de umbral, que en nuestro caso coincide aproximadamente con 0,6 V, sobrepasada la tensión de umbral la corriente de base aumenta rápidamente. Se dice características de salida las que expresan la corriente de colector IC como una función de la tensión VCE, mientras que manteniendo constante la IB; tales como las siguientes, que se refieren siempre a BCW82. Observamos que hay diferentes características de salida, cada obtenida para un valor predeterminado de la corriente de la base IB; de hecho, la primera característica, a partir de la parte inferior se ha obtenida para una IB = 5 m A; es decir, el mantenimiento de un IB constante con el aumento de VCE, al principio la IC es cero; luego aumenta linealmente y rápidamente a la rodilla; allá de la rodilla, la IC permanece prácticamente constante, incluso si se aumenta la VCE. Las características son importantes para la determinación del punto de trabajo; Se dice punto de trabajo un punto de que se sabe la tensión y la corriente en reposo, es decir, en ausencia de señal; ejemplo, si tomo el punto P, como en el siguiente diagrama:

2.1. PUNTO DE OPERACIÓN

Para amplificadores de transistor, el voltaje y la corriente de CD resultantes establecen un punto de operación sobre las características, el cual define la región que se empleará para la amplificación de la señal aplicada. Ya que el punto de operación es un punto fijo sobre las características. En la siguiente figura se muestra una característica general de salida de un dispositivo con cuatro puntos de operación indicados. el circuito de polarización se puede diseñar para establecer la operación del transistor en cualquiera de estos puntos o en otros dentro de la región activa. Es posible elegir muchos puntos de operación diferentes, esto depende del uso que se le dará al circuito. Es necesario polarizar el dispositivo de modo que pueda responder o cambiar sus valores de corriente y voltaje en todo el intervalo de una señal de entrada. Para el BJT que se polarizará en su región de operación lineal activa debe cumplirse:

  1. La unión de base a emisor debe estar polarizada directamente (voltaje de la región p más positivo) con un voltaje resultante de polarización directa entre la base y el emisor de aproximadamente 0.6 a 0.7 V mínimo.
  2. La unión de base a colector debe estar polarizada inversamente (región n más positiva), estando el voltaje de polarización inversa en cualquier valor dentro de los límites máximos del dispositivo. La operación en las regiones de corte, de saturación y lineal de las características del BJT se obtienen dé acuerdo con lo siguiente:

1. Operación en la región activa: Unión base-emisor con polarización directa. Unión base-colector con polarización inversa. 2. Operación en la región de corte: Unión base-emisor con la polarización inversa. 3. Operación en la región de saturación: Unión base-emisor con polarización directa. Unión base-colector con polarización directa.

2.2. RECTA DE CARGA

Es dicha recta de carga, la recta que tiene como ecuación la ecuación de la malla de salida, es decir: VCC = RC IC + VCE + RE IE Para representarla sobre las características de salida, es necesario tomar dos puntos. Supongamos que VCC = 2,0 V; cuando IB = 0 y IC = 0 de la ecuación de la línea de carga se obtiene que VCE = VCC; a continuación, un punto será en el eje horizontal, con coordenadas (2.0; 0). Suponiendo que la VCE es nula, de la ecuación de la recta de carga obtenemos: VCC = RC IC + RE IE

2.4. EFECTOS DE TEMPERATURA

A medida que aumenta la temperatura de un transistor, la corriente de colector aumentará porque

  1. La corriente de semiconductor intrínseca entre el colector y la base aumenta con la temperatura. Su flujo a través de las resistencias de polarización hace la base más positiva, aumentando la polarización directa en el diodo base-emisor. Para un diodo de silicio, se cita un aumento de 2 nA para un aumento de 10°C de temperatura.
  2. El voltaje base-emisor que se requiere para una corriente de colector determinada, disminuirá. Esta disminución es de aproximadamente - 2,5 mV/°C. Un aumento de la temperatura produce un aumento en la corriente portadora minoritaria, y un cambio negativo en VBE, de modo que ambos efectos conducen a un aumento de la corriente de colector con la temperatura. Puesto que la resistencia de emisor aparece en el denominador de ambos términos, esto demuestra que, para una deseable estabilidad de temperatura, RE debe tener un valor grande. La presencia de RE proporciona una realimentación negativa que estabiliza el circuito contra los cambios de temperatura, tensión de alimentación, etc., pero también disminuye la ganancia de voltaje.

2.5. CONFIGURACIONES BÁSICAS DEL BJT

2.6. EMISOR COMÚN

La señal se inyecta a la base a través de Ci y se recibe amplificada del colector vía Co. El emisor, conectado dinámicamente a tierra a través de ce, actúa como elemento común a los circuitos de entrada y de salida. Observe que, en este modo de conexión, las señales de entrada y de salida siempre están en oposición de fase. Nuevamente, Ci y Co actúan como condensadores de acoplamiento y ce como condensador de deriva. Las resistencias RB1, RB2, RC y RE polarizan adecuadamente el transistor y fijan su punto de trabajo. Note que este circuito, utiliza la estrategia de polarización universal o por divisor de voltaje. La impedancia de entrada de este montaje es del orden de 20 W a 5 kW. y la impedancia de salida del orden de 50 W a 50 k Ohm,. El circuito proporciona simultáneamente ganancia de corriente y de voltaje. La ganancia de potencia puede llegar a ser relativamente alta, del orden de 10.000. Típicamente, la ganancia de corriente es el orden de 50. Esta es la configuración más utilizada en la práctica.

2.8. COLECTOR COMÚN

La señal se introduce por la base a través de Ci y se extrae por el emisor vía Co. El colector, conectado dinámicamente a tierra a través de Ce, actúa como elemento común a los circuitos de entrada y de salida. Las señales de entrada y de salida siempre están en fase. El montaje se denomina también seguidor de emisor. El amplificador colector común se caracteriza por tener una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. La ganancia de voltaje es siempre menor que 1 y la de potencia es normalmente inferior a la que se obtiene con las configuraciones base común o emisor común. Este montaje se utiliza principalmente como adaptador de impedancias.

CIBERGRAFÍA https://scuolaelettrica.it/escuelaelectrica/elettronica/transi5.php#:~:text=Dicen%20caract er%C3%ADsticas%20del%20BJT%20las,refiere%20al%20transistor%20NPN%20BCW https://concepto.de/transistor/ http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/polarizacion-transistor.pdf http://www.itlalaguna.edu.mx/2014/Oferta%20Educativa/Ingenierias/Sistemas/Plan% 201 997 - 2004/Ecabas/ecabaspdf/TRANSISTORES.pdf https://cifpn1.com/electronica/?p=4164#:~:text=La%20polarizaci%C3%B3n%20de%20un %20transistor,zona%20activa%2C%20saturaci%C3%B3n%20o%20corte. https://wilaebaelectronica.blogspot.com/2017/02/polarizacion-por-divisor-de-voltaje- bjt.html https://wilaebaelectronica.blogspot.com/2019/08/transistor-bjt-como-conmutador.html http://hyperphysics.phy- astr.gsu.edu/hbasees/Electronic/transtemp.html#:~:text=Un%20aumento%20de%20la% 0temperatura,de%20colector%20con%20la%20temperatura.