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El comportamiento del transistor de potencia de microondas en relación con la temperatura y el funcionamiento básico de este dispositivo electrónico, además de explicar el contacto metal-semiconductor en presencia y ausencia de estados superficiales.
Tipo: Exámenes
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Describir el comportamiento del transistor de potencia con respecto a la temperatura
Cuando se incrementa la potencia de un transistor también lo hace la temperatura Tj de la unión, dicha temperatura al hacerse máxima ocasiona que la base del transistor se haga intrínseca, generando asi un corto entre el emisor y el colector y por consiguiente el transistor deja de funcionar.
Describir el funcionamiento básico del transistor de microondas
CONTACTO METAL SEMICONDUCTOR Y EL MESFET
Describir el contacto metal semiconductor en ausencia de estados superficiales
Cuando el metal se conecta con el semiconductor los niveles de fermi se alinean.
Describir el contacto metal semiconductor ante la presencia de estados superficiales
Las bandas de energía se comportan de manera similar a cuando no existen estados superficiales, con la diferencia que las bandas de energía en la periferia del conductor ya están dobladas aun cuando no exista conexión física entre el metal y el semiconductor, al conectarse estas bandas físicamente las bandas de energía se doblan de forma mas pronunciada y los niveles de fermi se alinean.