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Comportamiento y funcionamiento del Transistor Bipolar de Microondas, Exámenes de Electrónica de las Telecomunicaciones

El comportamiento del transistor de potencia de microondas en relación con la temperatura y el funcionamiento básico de este dispositivo electrónico, además de explicar el contacto metal-semiconductor en presencia y ausencia de estados superficiales.

Tipo: Exámenes

2018/2019

Subido el 12/05/2019

breinex
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TRANSISTOR BIPOLAR DE MICROONDAS
Describir el comportamiento del transistor de potencia con respecto a la
temperatura
Cuando se incrementa la potencia de un transistor también lo hace la temperatura Tj de la
unión, dicha temperatura al hacerse máxima ocasiona que la base del transistor se haga
intrínseca, generando asi un corto entre el emisor y el colector y por consiguiente el
transistor deja de funcionar.
Describir el funcionamiento básico del transistor de microondas
CONTACTO METAL SEMICONDUCTOR Y EL MESFET
Describir el contacto metal semiconductor en ausencia de estados superficiales
Cuando el metal se conecta con el semiconductor los niveles de fermi se alinean.
Describir el contacto metal semiconductor ante la presencia de estados
superficiales
Las bandas de energía se comportan de manera similar a cuando no existen estados
superficiales, con la diferencia que las bandas de energía en la periferia del conductor ya
están dobladas aun cuando no exista conexión física entre el metal y el semiconductor, al
conectarse estas bandas físicamente las bandas de energía se doblan de forma mas
pronunciada y los niveles de fermi se alinean.

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TRANSISTOR BIPOLAR DE MICROONDAS

Describir el comportamiento del transistor de potencia con respecto a la temperatura

Cuando se incrementa la potencia de un transistor también lo hace la temperatura Tj de la unión, dicha temperatura al hacerse máxima ocasiona que la base del transistor se haga intrínseca, generando asi un corto entre el emisor y el colector y por consiguiente el transistor deja de funcionar.

Describir el funcionamiento básico del transistor de microondas

CONTACTO METAL SEMICONDUCTOR Y EL MESFET

Describir el contacto metal semiconductor en ausencia de estados superficiales

Cuando el metal se conecta con el semiconductor los niveles de fermi se alinean.

Describir el contacto metal semiconductor ante la presencia de estados superficiales

Las bandas de energía se comportan de manera similar a cuando no existen estados superficiales, con la diferencia que las bandas de energía en la periferia del conductor ya están dobladas aun cuando no exista conexión física entre el metal y el semiconductor, al conectarse estas bandas físicamente las bandas de energía se doblan de forma mas pronunciada y los niveles de fermi se alinean.