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UNIVERSIDAD DE ALCALÁ. E. P.S. DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA 1.T.Industrial Espec. Electrónica Industrial COMPONENTES ELECTRÓNICOS FECHA] 5/9/2008 A A A QQ ———— NOTA: RESPONDER EN LOS HUECOS DEJADOS PARA TAL FIN, CON BOLÍGRAFO AZUL O NEGRO. NO SE CORREGIRÁ NADA ESCRITO FUERA. EN LA CORRECCIÓN SE TENDRÁ EN CUENTA TANTO EL DESARROLLO COMO EL RESULTADO. Problema 1 Se poseen dos tipos de pastillas semiconductoras: (5 puntos) Temperatura 300 K. Concentración intrínseca, n, = 2:10% em”? lad de electrones es 4, = 400 (co /V:s) > Xa LATAS, un L; ¿Silicio (Si) dopado)con una concentraciónde. Bor “igual d>: 104 em? - Temperatura 300 K. ” Concentración intrínseca, a, = 2:10 cor” “ta movilidad de electránes. ES ln = 250 (cnt Vs) Sn 5 É o LA "reso A YA Ss Le Datos: 11 ,9 O=cg pu (íbem)! Ma = 31h R= os q= 16100 Ley del producto: 1:p = n? Boro: trivalente. a) Calcule la relación entre las longitudes de las pastillas (Z, y £L;) para que ambas presenten el mismo valor de resistencia. (5 ptos) Ñ a 1 TT - dj 4 - £ E ¿ » — 7 0] Lx, MA Ln PAP] Sy, Sl E Septiembre 2008 Página 1 de 7 Problema 2 (15 puntos) En el circuito de la figura 2.1 se pretende que la tensión Y. se pueda ajustar al vator deseado, mediante el desplazamiento del cursor del resistor R.. qa Datos: So Re =1,20, Ri7330%2 ambas pertenecen a un modelo con Prm=0, SW y Vam=200V, Ry = 142 ley de variación lineal. ES Les MOSFET: V,=3V, K=1mAV. | Ba Va l e Vec= Yoo = 10V Figura 2.1 a) Calcule ta potencia nominal y la tensión nominal de los resistores R; y Ro. (4 ptos) / OS . ; 1 AA A RS b) Calcule los valores de desplazamiento del cursor de R, para que el valor de V, esté comprendido entre 3Y y SV. (Nota: exprese %' en tanto por ciento respecto al valor máximo de desplazamiento). (11 ptos) Septiembre 2008 z Página 2 de 7 (15 puntos) Problema 4 Del circuito de la figura 4.1 se conoce: un R1 . pa 2, ¡ : MT Dasos: ri ve 12: A AL Diodo D,: F70,6Y Y Diodo Dz: | 4V, ex =1 ma, ¡Lai =80m4 Deia Ry =30082 A pS Figura 4.1 a) Calcule los valores de R, que hacen que el diodo Dz funcione en la zona zener. (10 ptos) Dato E=50V — «.: ha dí a De Al cmo sa Diapota 1 Ñ . euda e omo, A IS o de A + b) La señal de entrada del circuito de la figura 4.2 es cuadrada con un ciclo de trabajo D=80%. Caicule el margen de frecuencias de la señal de entrada para que el diodo conmute. (5 ptos) A Datos: Diodo D.: V70,6V, 1=23as, t=60ns Ve, =-5V, Vey=3V; R =1k02 Ve Figura 4.2 TO ponia Página 4 de 7 Septiembre 2008 Problema 5 (20 puntos) El circuito de la figura 5.1 se ha utilizado para medir los tempos de conmutación del transistor. Para ello se introduce una señal Ve cuadrada de niveles 0Y y 10V, y se mide la tensión Ys. Figura 5.1 Los datos que se conocen son: Transistor: B=30 Vary=-0,6 Y Votsa =-0,2 V Ra=1kQ Re =300 2 Veg=10V a) Catcule el punto de polarización del transistor para los dos valores de la tensión de entrada Ve, Ve=0V y Ve=10V. Ay sho Es (10 ptos) b) Si la frecuencia de Ve que se ha utilizado es f = 7,5 MHz, calcule los posibles valores del cicto de trabajo. (Datos: £,,=25ns, fy=75n5). Septiembre 2008 (10 ptos) Página 5 de 7 Problema 5 (20 puntos) El circuito de la figura 5.1 se ha utilizado para medir los tiempos de conmutación del transistor. Para ello se introduce una señal Ve cuadrada de niveles 0V y 10V, y se mide la tensión Ys. po i —- Los datos que se conocen son: Ñ Transistor: pvs Ra=1k8 RA, B=530 Re = 500 2 Lao Vory=-0,6 Y Ve ¡ Votar = -0,2 Y Ver =10V 1] l H => Ver Figura 5.1 a) Calcule el punto de polarización del transistor para los dos valores de la tensión de entrada Ve, Ve=0Y y Ve=10V, (10 ptos) b) Si la frecuencia de Ve que se ha utilizado es f = 7,5 MHz, calcule los posibles valores del ciclo de trabajo. (Datos: 1,,=23m5, fay=75n5). (10 ptos) Septiembre 2008 Página 5 de 7 Problema 6 (20 puntos) Dado el circuito de la figura 6.1, las ecuaciones y gráficas de los transistores JFET, se pide: Bl Ecuaciones transistores JFET Ecuación de Corte: Ecuación de Saturación: Y, = 104 Ecuación de Óhmica: Rosa 4 Po) Nota: k=L pay Vp" Posa "Wus Fe Figura 6.1 lo q” m os, Conctucción f- e h orta : Vo Vos: rad o Vos Via Ves Ve Ey Vos Vosi-Ye Curvas 1-V de JFET canal N t Curvas EV de JFET canal P a) Calcule el margen de valores de Ve que hacen que el transistor trabaje en corte. (5 ptos) b) Calcule el valor de la tensión de entrada Veim que hace que el transistor trabaje en el límite entre óhmica y saturación, e indique además para que valores de Ve el transistor trabajará en óhmica y cuáles hacen que trabaje en saturación. (15 ptos) A PE as Septiembre 2008 Página 6 de 7 
