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informes de circuitos digitales 1
Tipo: Apuntes
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Fecha: 20/10/
RESUMEN: Se realizará la implementación de circuitos de conmutación en los cuales tendremos elementos como resistencias, y un transistor (TBJ) el cuál actuará en corte y saturación en el encendido de diodos LED. PALABRAS CLAVE: Resistencias, Diodos, TBJ, Transistor.
Diseñar e implementar circuitos digitales de conmutación con transistores de juntura bipolar. Analizar las condiciones para que el transistor sea utilizado como instrumento de conmutación en el circuito, es decir que trabaje en condiciones de corte y saturación. Identificar la forma de análisis y conexión para transistores TBJ NPN y PNP.
William Schockley invento el primer transistor de unión, un dispositivo semiconductor que permite amplificar señales electrónicas tales como señales de radio y de televisión, así como también se lo puede usar como oscilador, conmutador o rectificador. El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. El primero se llama transistor npn y el segundo transistor pnp.
Transistor bipolar: El término bipolar refleja el hecho de que huecos y electrones participan en el proceso de inyección hacia el material opuestamente polarizado. Transistor unipolar: Si se emplea sólo un portador (electrón o hueco), se considera que es un dispositivo unipolar. El diodo Schottky pertenece a esa clase.
Cuando el transistor está en corte se puede comparar con un interruptor abierto y cuando está en saturación es equivalente a un interruptor cerrado. Fig1. Transistor como conmutador
Fuente DC Resistencias de 1K Ω y 330 Ω Transistor 2N Transistor 2N Diodo LED DIP Switch
Considerando los valores necesarios para el funcionamiento de un diodo LED y las condiciones de funcionamiento para el diseño, se procedió al cálculo de las resistencias para que el transistor conmute en base al estado del DIP Switch. Consideraciones:
Fecha: 20/10/
Sabiendo que se necesita manejar una corriente en el emisor-colector de 13.6 mA se procede a calcular la intensidad en la base necesaria para la saturación del transistor y su respectiva resistencia para alcanzar esta corriente
para calcular la resistencia de la base se utiliza el siguiente circuito equivalente
Al utilizar un valor más aproximado a este 58K se obtiene una corriente en la base correspondiente a
Por lo tanto, la Ib será de 74.13uA por lo que se asegura la saturación del transistor.
Las tablas a continuación presentan el estado de los LED de los diferentes circuitos, estos están en base a la configuración del transistor, verificando que para tal o cual circuito el transistor se encuentra en corte o saturación. TABLA 1.- TBJ NPN ENTRE CORTE Y SATURACIÓN VBB(Vdc) D1[ON/OFF] 0 OFF 5 ON Tabla 1, En corte LED apagado y en saturación LED encendido. TABLA 2.- TBJ PNP EN CORTE Y SATURACIÓN VBB(Vdc) D1[ON/OFF] 0 OFF 5 ON Tabla 2, En corte LED encendido y en saturación LED apagado. TABLA 3.- CONFIGURACIÓN TRANSISTOR NPN VBB(Vdc) D1[ON/OFF] D2[ON/OFF] 0 ON OFF 5 OFF ON Tabla 3, En corte LED1 encendido LED apagado y en saturación LED1 apagado LED 2 encendido. TABLA 4.- CONFIGURACIÓN TRANSISTOR PNP VBB(Vdc) D1[ON/OFF] D2[ON/OFF] 0 OFF ON 5 ON OFF Tabla 4, En corte LED1 apagado LED encendido y en saturación LED1 encendido LED 2 apagado.
[1] R. Boylestad and L. Nashelsky, Electrónica , 1st ed. México: Pearson Educación, 2009. [2] P. Malvino, Principios de Electrónica , 1st ed. Madrid: McGraw-Hill/Interamericana de España, 2000.