Fundamentos F´ısicos y Tecnol´ogicos (G.I.I.)
Curso 2011/2012
Relaci´on de problemas 5
1. Escribe las tablas de verdad para las siguientes funciones donde las variables son binarias:
a)f(A, B, C ) = A+B·C
b)f(A, B, C ) = A+B·C
c)f(A, B) = A·(A+B)
d)f(A, B, C ) = A·(B+C)
2. Suponiendo que la respuesta del inversor de una cierta tecnolog´ıa es la representada en
la Figura 1, determinar los m´argenes de ruido en estado alto y bajo.
Figura 1:
3. Una posibilidad para construir un inversor con un transistor NMOS es usar una resistencia
como carga. Si a la resistencia se coloca una fuente de VDD =15V, calcula VOL ,VOH , el
margen de ruido en estado alto y el margen de ruido en estado bajo si:
a)RD= 1kΩ
b)RD= 1MΩ
Datos:k= 10−3A
V2,VT= 2V.
4. Una posibilidad para construir un inversor con un transistor NMOS es usar un transistor
NMOS con la puerta y el drenador cortocircuitados como carga. Si al drenador de este
segundo transistor se le coloca una fuente de VDD =15V, calcula VOL,VO H y la expresi´on
de la caracter´ıstica de transferencia si la entrada se pone en la puerta del primer transistor
NMOS y la salida en el drenador del mismo. Datos:los dos transistores NMOS son id´enticos
con k= 2 ·10−3A
V2yVT= 2V.
5. Calcula los margenes de ruido en estado alto y en estado de bajo de un inversor CMOS
construido con un transistor NMOS (kn= 10−3A
V2yVT= 2V) y un transistor PMOS
(kp= 10−3A
V2yVT=−2V) con sus drenadores y puertas cortocircuitados, la fuente del
transistor NMOS conectada a tierra y la del PMOS a una fuente de valor 15V.
6. Dise˜nar con tecnolog´ıa CMOS, comentando el estado de cada transistor, una puerta que
realice la funci´on l´ogica A·B+C.
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