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Asignatura: Estructura de computadors I, Profesor: Tomas Manuel Margalef, Carrera: Enginyeria Informàtica, Universidad: UAB
Tipo: Apuntes
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EL SISTEMA DE MEMORIA
EL SISTEMA DE MEMORIA
1 Introducción. 2 Operaciones de una memoria. 3 Celdas de memoria. 4 Conceptos básicos sobre las memorias. 5 Jerarquías de memorias: ejemplos. 6 Memoria Principal. 7 Memorias RAM estáticas : SRAM. 8 Memorias RAM dinámicas : DRAM. 9 Memorias de lectura frecuente : RMM. 10 Módulos de memoria. 11 Memorias direccionables por contenido : CAM. 12 Memorias Cache.
EL SISTEMA DE MEMORIA
⇒ LECTURA DE MEMORIA : Se saca una copia del contenido. Todas las memorias pueden ser leídas.
⇒ ESCRITURA EN MEMORIA : Se reemplaza el contenido de una posición. Diversas variantes: ♦ Múltiples escrituras normales : RAM, Disco ♦ Sólo se escribe 1 vez y es inalterable : ROM, PROM ♦ Múltiples escrituras en un proceso especial : EPROM, FLASH
EL SISTEMA DE MEMORIA
Una celda de memoria es todo dispositivo físico que puede almacenar 1 bit. ⇒ TIPOS DE CELDAS : ♦ Celdas de lectura no destructiva. ♦ Celdas de lectura destructiva. ♦ Celdas no volátiles. ♦ Celdas volátiles: Estáticas : biestable. Dinámicas : condensador. ♦ Celdas permanentes. ⇒ Todo dispositivo de almacenamiento consta de tres elementos: El Medio o Soporte de almacenamiento. Un Mecanismo de Direccionamiento: selecciona una posición. El Transductor: permite leer/escribir una posición determinada (sensor/actuador).
EL SISTEMA DE MEMORIA
C1: MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO o RAM: memoria principal. Direccionamiento cableado de todas las posiciones. El acceso a cualquier posición es directo y en un tiempo fijo. C2: MEMORIAS DE ACCESO SECUENCIAL o SAM: Hay que pasar por las posiciones intermedias para llegar a destino. El tiempo de acceso varía según las posiciones inicial y final. ♦ MEMORIAS DE ACCESO DIRECTO: discos. Tienen un direccionamiento basado en la posición física de la información. A partir de esta dirección se accede a un bloque o sector de información. Dentro de cada bloque la búsqueda es secuencial. ♦ MEMORIAS DE ACCESO SERIE: cintas. C3: MEMORIAS DIRECCIONABLES POR CONTENIDO o CAM: Se llaman Memorias Asociativas.
EL SISTEMA DE MEMORIA
⇒ MEM.RAM: Es el intervalo de tiempo desde que se presenta una dirección a la memoria, en el bus de direcciones, hasta que el dato ha sido memorizado o está disponible en el bus de datos para su uso. ⇒ MEM.NO-RAM: Es el intervalo de tiempo para posicionar el transductor en la posición deseada. Este tiempo es variable y depende de las posiciones. Muchas veces se llama Tiempo de Latencia. Una vez posicionado, el transductor recorre secuencialmente el bloque de datos (Tiempo de Seek).
⇒ Es el tiempo mínimo desde el inicio de una operación en memoria hasta el instante en que puede iniciarse la siguiente operación en memoria. Este tiempo TC determina el nº de accesos/unidad de tiempo. En MEM.RAM TC = TA + tiempo adicional ( en segundos )
EL SISTEMA DE MEMORIA
Símbolo Definición Intel 8088 Intel 8086 PowerPC 601
w Tamaño de la palabra 16 bits 16 bits 64 bits
m Dirección de memoria 20 bits 20 bits 32 bits
s Unidad direccionable 8 bits 8 bits^ 8 bits
d Tamaño bus datos 8 bits 16 bits 64 bits
2 m^
Capacidad en palabras de tamaño ‘s’
220 palabras 220 palabras 232 palabras
2 m^ x s Capacidad en bits 220 X 8 bits 220 X 8 bits 232 X 8 bits
EL SISTEMA DE MEMORIA
⇒ Los parámetros fundamentales que caracterizan los distintos tipos de memorias son: El Coste, La Capacidad y La Tasa de transferencia. ⇒ La memoria utilizada no debería provocar estados de espera al procesador. ⇒ La configuración ideal: memoria rápida, gran capacidad y poco coste. ⇒ Se utiliza una Jerarquía de Memorias.
Coste Tasa Nº Accesos
Capacidad T. Acceso
EL SISTEMA DE MEMORIA
El esquema de conexión es :
C P U m
M a i n m e m o r y
D a t a b u s A d d r e s s b u s
s A^ d^ d^ r^ e^ s^ s 0 1 2 3
2 m^ – 1
A 0 – A (^) m – 1 D 0 – D (^) d – 1
R / W R E Q U E S T C O M P L E T E
M B R
R e g i s t e r f i l e
C o n t r o l s i g n a l s
m
w
w
M A R d
ACKNOWLESS
Se organiza por palabras de longitud fija ( s ) , que tienen asignada una dirección. La MP. es una memoria RAM formada por chips semiconductores autosuficientes. En un ciclo de memoria se transfiere una palabra ( d ) entre la MP. y la CPU.
EL SISTEMA DE MEMORIA
⇒ La interconexión de un chip de memoria se realiza a través de sus patillas: ♦ m patillas para el bus de direcciones: se podrán direccionar 2 m^ palabras. ♦ s patillas para el bus de datos: en cada acceso se trabajará con s bits. ♦ R/W* (Read/ Write): indica el tipo de operación a realizar. Existen chips con WE (Write Enable) para escritura y OE (Output Enable) para lectura.
♦ CS (Chip Select) o CE (Chip Enable). ♦ V (^) CC : Alimentación del chip. ♦ V (^) SS : Conexión a tierra.
m s
Select
DataIn DataOut
R/W
celda
EL SISTEMA DE MEMORIA
⇒ Para el correcto funcionamiento de un chip es necesario incorporar una circuitería adicional, como son descodificadores, multiplexores, transductores, buffers, etc. ⇒ El transductor está unido al medio de almacenamiento. ⇒ En un chip de memoria hay dos tipos de palabra: Palabra Física Palabra Lógica
⇒ Parámetros determinantes: ♦ Nº de bits por chip: en Mb. ♦ Tiempo de acceso: en ns. ♦ Disipación de potencia: en mW/bit ♦ Coste: en €/Mb
EL SISTEMA DE MEMORIA
Palabra Física = Palabra Lógica ; Organización interna = Estructura lógica lineal ⇒ Un chip de 2 m^ palabras de s bits cada una sería:
Se utiliza en memorias de capacidad reducida. Gran rapidez de acceso. Descodificador lineal. Todos los bits están en un chip.
Se utilizan descodificadores en TRD TRD TRD árbol para abaratar.
← s bits →
Bus Datos
s
L/E CS
m
0 1
Rg Dir
m-
m Bus Dir.
TRD TRD
EL SISTEMA DE MEMORIA
Una palabra de s bits se guarda en s planos y dentro de cada plano se utiliza una organización 2 ½ D.
256
64 eac h
4 64 – 1 muxes 4 1 – 64 demux es
4
8
6
Row addr ess: A 0 – A (^7 8) r– o^2 w^56 dec oder
4 256 × 64 ce (^) ll (^) ar r ay s
Column address: A 8 – A 13
R / W CS Bus Datos
Chip de 2 14 x 4 bits m = 14 x = 8 ; y = 6 Utiliza 4 matrices
EL SISTEMA DE MEMORIA
⇒ Direccionamiento cableado y acceso aleatorio.
(Random Access Memory) ♦ Estáticas : tecnologías bipolar y MOS. ♦ Dinámicas : necesitan refrescos, tecnología MOS.
(Read Mostly Memory) ♦ No programables : ROM ♦ Programables : 1 vez : PROM Varias veces: Off-Line: Borrado total con rayos UVA. On-Line: Borrado eléctricamente por byte o por bloque.