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Trabajo de Transistor, Ejercicios de Electrotecnia

Trabajo de Transistores año 2023

Tipo: Ejercicios

2022/2023

Subido el 17/05/2026

joel-herrera-17
joel-herrera-17 🇦🇷

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1)Realice una descripción de la composición interna del transistor.
2)Explique en que se basa el funcionamiento del transistor.
3)Defina por qué se dice que el transistor es un interruptor electrónico.
4)Calcular el valor de la caída de tensión ,que existe entre colector y emisor y la
tensión de saturación , sabiendo que la corriente circulante tiene un valor de 5A y la
resistencia de carga tiene un valor de 4,8 ohm ; con un B DE 450 Y Rb de 2300 ohm
1)
La composición interna de un transistor está compuesta por varias capas y
elementos:
a-Base: Es una capa delgada de material semiconductor ubicada entre el emisor y el
colector. Puede ser de tipo P o N, dependiendo del tipo de transistor (NPN o PNP). La
base es responsable de controlar el flujo de corriente a través del transistor.
b-Emisor: Es una capa de material semiconductor (tipo N para un transistor NPN) que
emite portadores de carga (electrones) cuando se polariza adecuadamente. El emisor
es la fuente de corriente en un transistor.
c-Colector: Es una capa de material semiconductor (tipo P para un transistor NPN)
que recoge los portadores de carga (electrones) emitidos por el emisor. El colector
drena la corriente del transistor.
d-Zona de agotamiento: Es una región en la unión PN donde no hay portadores de
carga libre debido a la difusión de electrones desde el emisor hacia la base. La zona
de agotamiento actúa como una barrera para el flujo de corriente hasta que se
polariza adecuadamente.
2)
El funcionamiento del transistor se basa en el control y la amplificación de corriente.
Cuando una corriente pequeña se aplica a la base del transistor, modifica la
conductividad de la zona de agotamiento y permite o bloquea el flujo de corriente
desde el emisor hasta el colector. Esto se logra al regular el flujo de portadores de
carga (electrones o huecos) a través de la base mediante la aplicación de un voltaje
adecuado. En el caso de un transistor NPN, cuando se aplica un voltaje positivo a la
base, se polariza la unión base-emisor, permitiendo que fluya una corriente de
electrones desde el emisor hacia la base y luego hacia el colector. Esto amplifica la
corriente de base y se refleja en una mayor corriente de colector. El transistor actúa
como un amplificador de corriente.
3)
El transistor se denomina "interruptor electrónico" porque puede funcionar como un
interruptor controlado por una señal eléctrica. Cuando se aplica un voltaje adecuado
a la base, el transistor cambia de un estado de bloqueo (off) a un estado de
conducción (on). En el estado de bloqueo, el transistor no permite el flujo de corriente
entre el emisor y el colector. En el estado de conducción, el transistor permite el flujo
de corriente entre el emisor y el colector. Esto permite utilizar el transistor para
encender o apagar circuitos eléctricos de forma controlada.
4)
Datos:
Ic = 5A
pf2

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1)Realice una descripción de la composición interna del transistor. 2)Explique en que se basa el funcionamiento del transistor. 3)Defina por qué se dice que el transistor es un interruptor electrónico. 4)Calcular el valor de la caída de tensión ,que existe entre colector y emisor y la tensión de saturación , sabiendo que la corriente circulante tiene un valor de 5A y la resistencia de carga tiene un valor de 4,8 ohm ; con un B DE 450 Y Rb de 2300 ohm

La composición interna de un transistor está compuesta por varias capas y elementos: a-Base: Es una capa delgada de material semiconductor ubicada entre el emisor y el colector. Puede ser de tipo P o N, dependiendo del tipo de transistor (NPN o PNP). La base es responsable de controlar el flujo de corriente a través del transistor. b-Emisor: Es una capa de material semiconductor (tipo N para un transistor NPN) que emite portadores de carga (electrones) cuando se polariza adecuadamente. El emisor es la fuente de corriente en un transistor. c-Colector: Es una capa de material semiconductor (tipo P para un transistor NPN) que recoge los portadores de carga (electrones) emitidos por el emisor. El colector drena la corriente del transistor. d-Zona de agotamiento: Es una región en la unión PN donde no hay portadores de carga libre debido a la difusión de electrones desde el emisor hacia la base. La zona de agotamiento actúa como una barrera para el flujo de corriente hasta que se polariza adecuadamente.

El funcionamiento del transistor se basa en el control y la amplificación de corriente. Cuando una corriente pequeña se aplica a la base del transistor, modifica la conductividad de la zona de agotamiento y permite o bloquea el flujo de corriente desde el emisor hasta el colector. Esto se logra al regular el flujo de portadores de carga (electrones o huecos) a través de la base mediante la aplicación de un voltaje adecuado. En el caso de un transistor NPN, cuando se aplica un voltaje positivo a la base, se polariza la unión base-emisor, permitiendo que fluya una corriente de electrones desde el emisor hacia la base y luego hacia el colector. Esto amplifica la corriente de base y se refleja en una mayor corriente de colector. El transistor actúa como un amplificador de corriente.

El transistor se denomina "interruptor electrónico" porque puede funcionar como un interruptor controlado por una señal eléctrica. Cuando se aplica un voltaje adecuado a la base, el transistor cambia de un estado de bloqueo (off) a un estado de conducción (on). En el estado de bloqueo, el transistor no permite el flujo de corriente entre el emisor y el colector. En el estado de conducción, el transistor permite el flujo de corriente entre el emisor y el colector. Esto permite utilizar el transistor para encender o apagar circuitos eléctricos de forma controlada.

Datos: Ic = 5A

Rld = 4.8Ω 𝜷= 450 Rb= 2300Ω

Incógnitas: Vce:? Vin:?

Para calcular la caída de tensión se debe de hacer:

En este caso, la caída de tensión coincide con la tensión de alimentación, ya que la fórmula para calcular la tensión de alimentación es: (vcc = Ic. Rld), por lo que Vce=Vcc Una vez tengamos la tensión de alimentación, podemos pasar a calcular la tensión de saturación:

𝜷 · 𝑅𝑙𝑑 + 0. 6𝑣 ⇒^