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Material de memória flash - dispositivo de armazenamento não volátil.
Tipologia: Notas de estudo
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Sigilo absoluto de encaminhamento armazenamento persistente em memória flash O armazenamento persistente em memória flash armazena os dados de um dispositivo BlackBerry. Por padrão, aplicativos de terceiros não podem acessar o armazenamento persistente. Quando todos os dados são excluídos, o dispositivo BlackBerry exclui os dados no armazenamento persistente.
Memória flash é uma memória de computador do tipo EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory), desenvolvida na década de 1980 pela Toshiba, cujos chips são semelhantes ao da Memória RAM, permitindo que múltiplos endereços sejam apagados ou escritos numa só operação. Em termos leigos, trata-se de um chip re- escrevível que, ao contrário de uma memória RAM convencional, preserva o seu conteúdo sem a necessidade de fonte de alimentação.[1][2]^ Esta memória é comumente
usada em cartões de memória, flash drives USB (pen drives), MP3 Players, dispositivos como os iPods com suporte a vídeo, PDAs, armazenamento interno de câmeras digitais e celulares.
Memória flash é do tipo não volátil o que significa que não precisa de energia para manter as informações armazenadas no chip. Além disso, a memória flash oferece um tempo de acesso (embora não tão rápido como a memória volátil DRAM utilizadas para a memória principal em PCs) e melhor resistência do que discos rígidos. Estas características explicam a popularidade de memória flash em dispositivos portáteis. Outra característica da memória flash é que quando embalado em um "cartão de memória" são extremamente duráveis, sendo capaz de resistir a uma pressão intensa, variações extremas de temperatura, e até mesmo imersão em água. [3]
Uma limitação é que a memória flash tem um número finito de modificações (escrita/ exclusão). Porém este efeito é parcialmente compensado por alguns chip firmware ou drivers de arquivos de sistema de forma dinâmica e escreve contando o remapeamento dos blocos, a fim de difundir as operações escritas entre os setores. [3]
História
A memória flash (ambos os tipos, NOR e NAND), foi inventada pelo Dr.Fujio Masuoka enquanto trabalhava para a Toshiba em 1980. De acordo com a Toshiba, o nome "flash" foi sugerido por um colega do Dr. Masuoka, Sr. Shoji Ariizumi, pois o processo de apagamento do conteúdo da memória se assemelhava ao flash de uma câmera fotográfica. O Dr. Masuoka apresentou a invenção ao IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM) realizada em San Francisco, Califórnia. A Intel viu o enorme potencial da invenção e introduziu o primeiro chip flash comercial do tipo NOR em
[editar] Vantagens
Cartão de memória que utiliza a tecnologia flash
As maiores vantagens desse tipo de memória é sua ocupação mínima de espaço, seu baixo consumo de energia, sua alta resistência, sua durabilidade e segurança, contando com recursos como ECC (Error Correcting Code), que permite detectar erros na transmissão de dados. A tecnologia faz uso de semicondutores (solid state), sendo assim, não tem peças móveis, evitando problemas de causa mecânica. [1][2]
Também vem começando a ser chamado de disco sólido pelo grande futuro que tem pela frente, já que além de ser muito mais resistente que os discos rígidos atuais, apresenta menor consumo de energia elétrica, latências e peso muito mais baixos. Chega a utilizar apenas 5% dos recursos normalmente empregados na alimentação de discos rígidos.
Com tantas vantagens, a tendência futura é que os fabricantes de computadores tendem a substituir os disco rígidos por unidades flash. O que poderá ser expandida para os desktop nos próximos 5 anos, pois a sua fabricação ainda é de alto custo para as empresas. [1]
[editar] Flash NAND e NOR
Existem dois tipos de memórias flash, a NAND e a NOR.
Dois chips de memória flash em comparação com uma moeda
[editar] Flash NOR
A memória flash NOR ( N ot OR ) permite acessar os dados da memória de maneira aleatória, mas com baixa velocidade. Foi a primeira a se popularizar, chegando ao mercado em 1988, seus chips possuem uma interface de endereços semelhante à da RAM, sendo utilizado para armazenar o BIOS das placas-mãe e também firmwares de vários dispositivos, que antes eram armazenados em memória ROM ou EPROM. Alguns dos problemas nesse tipo de memória devem-se ao seu alto custo, e ao seu alto tempo de gravação nas células. Mas embora esses problemas existam, ela é largamente utilizada até hoje em celulares, palmtops e firmware. Chegaram a ser empregadas na fabricação das memórias PCMCIA e CompactFlash, mas com a introdução do tipo NAND, desapareceram deste ramo.[2][4]
[editar] Flash NAND
A memória flash NAND ( N ot AND ) trabalha em alta velocidade, faz acesso sequencial às células de memória e trata-as em conjunto, isto é, em blocos de células, em vez de acessá-las de maneira individual. [2]^ Essa arquitetura foi introduzida pela Toshiba em
[editar] Tamanhos típicos dos blocos
grupo para proporcionar um padrão de software e hardware programando interfaces para subsistemas de memória não-volátil, incluindo a flash cache , dispositivo ligado ao PCI Express. [3]
[editar] Taxas de Transferência
Geralmente é anunciada somente a velocidade máxima de leitura, pois os cartões de memória NAND são mais rápidos lendo do que escrevendo dados. O tempo de acesso influencia no desempenho, mas não tem tanta importância comparando com o disco rígido. Às vezes denotado em MB/s(megabytes por segundo), ou em número de “X” como 60x, 100x ou 150x. O “X” se refere à velocidade com que uma única unidade de CD entregaria os dados, 1x é o mesmo que 150 kilobytes por segundo. Por exemplo, um cartão de memória 100x vai a 150 KiB x 100 = 15000 KiB por segundo = 14,65 MiB por segundo (A velocidade exata depende da definição de Megabyte que o comerciante opta por utilizar).[3]
[editar] Substituto para discos rígidos
Uma extensão óbvia da memória flash seria um substituto para os discos rígidos, já que ela não possui as limitações mecânicas e latência dos mesmos. A ideia de um drive de estado sólido, ou SSD, torna-se atraente se considerarmos velocidade, ruído, consumo de energia e confiabilidade. Porém, ainda existem algumas desvantagens que devem ser consideradas. Por exemplo, o custo por gigabyte de memória flash ainda é maior do que dos discos rígidos. Algumas técnicas estão sendo utilizadas na tentativa de combinar as vantagens das duas tecnologias, usando a flash como uma cache de alta velocidade para arquivos do disco que são muito referenciados mas pouco modificados, tais como aplicativos e arquivos executáveis do sistema operacional. [3]
Memória Flash : memória não-volátil (mantém as informações armazenadas mesmo com os aparelhos desligados) que pode ser apagada e receber novos dados.
A memória eletrônica adquire várias formas e serve para vários propósitos. A memória flash é usada para armazenamento rápido e fácil de dados em equipamentos, como câmeras digitais e videogames. É mais usada como disco rígido que como memória RAM. Na verdade, a memória flash é considerada um dispositivo de armazenamento de estado sólido. Estado sólido significa que não há partes móveis (tudo é eletrônico, em vez de mecânico).
Aqui estão alguns exemplos de memória flash:
Neste artigo, descobriremos como funciona a memória flash, seus tipos e os aparelhos que a usam.
Conceitos básicos de memória Flash
A base tecnológica da memória flash é discutida no artigo Como funciona a memória ROM, porém aqui vai um rápido resumo:
A memória Flash é um chip EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory, ou memória apenas de leitura programável e apagável eletricamente). Ela possui uma grade de colunas e linhas que tem uma célula com dois transistores em cada interseção (veja a imagem abaixo).
Os dois transistores são separados um do outro por uma fina camada de óxido. Um dos transistores é conhecido como porta flutuante e o outro é a porta de controle. A única ligação da porta flutuante com a linha, ou wordline , é através da porta de controle. À medida em que essa ligação é feita, a célula tem valor 1. Para mudar o valor para 0, há um curioso processo chamado tunelamento de Fowler-Nordheim. Este processo será discutido a seguir.