IFBA
Dispositivos eletrônicos
Prof. Alberto Rebouças 07 / 11 / 2021
Aluna: Mikelly Bonfim Anjos
Prática 4 - Transistor de Junção Bipolar - Simulador
Observações:
- Para cada item, comente e tente explicar a diferença entre o resultado teórico esperado e o
obtido.
1 – Monte o circuito abaixo:
a) Observe o β = hFE no seu simulador.
Está dentro da margem do fabricante
que é 100 < β < 800?
β=100, portanto, está dentro da
margem de erro.
b) Se Rc = 1 KΩ, que valor máximo de Rb
faz o transistor saturar? Como você
caracteriza isto?
Use Vcesat = 0,2 V.
Vcc = Rc.Ic+Vce;
Ib = Ic/β;
Vcc = Rb.Ib+Vbe.
Rb = 95,76 K Ohms
c) Que valor de Rbfaz o transistor
cortar? Como você caracteriza isto?
Rb = 5,65 M Ohms, utilizando Vce =
11,8 V
Coloque os resistores Rbcalculados,
observe o transistor operando como
chave e responda às questões:
d) Quais os valores medidos na saturação
de:
Vce sat = 356 mV
VRc sat = 11,64 V
e) Para o corte:
Vce corte = 11,8 V
VRC corte = 199,4 mV
f) Calcule ICna saturação e no corte
fazendo IC= VRC/RC:
ICsat = 11,65 mA
ICcorte = 200 µA
g) Meça os valores de IC e diga a que
você atribui eventuais diferenças?
ICsat = 11,64 mA
ICcorte = 199,40 µA
Os valores medidos corresponderam
aos valores calculados.
h) Desenhe a reta de carga para mostrar
os dois pontos quiescentes de
operação.
2 – Acrescente um LED em série com o
resistor RCe faça o circuito funcionar
ligando e desligando o LED.
a) Quais as tensões e correntes medidas
em RCe no LED? Ainda obedece à
teoria estudada?
As medidas com o transistor
saturado foram:
𝑉𝑙𝑒𝑑 = 717,4 𝑚𝑉
𝑉𝑅𝐶 = 11,11 𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 175,2 𝑚𝑉
𝐼𝐶 = 11,11 𝑚𝐴
As medidas com o transistor cortado
foram:
𝑉𝑙𝑒𝑑 = 613,4 𝑚𝑉
𝑉𝑅𝐶 = 199,40 𝑚𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 11,19 𝑉
𝐼𝐶 = 199,40 𝜇𝐴
