DISPOSITIVOS ELETRONICOS TRANSISTOR, Resumos de Dispositivos Semicondutores

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Dispositivos Eletrônicos I

Transistores de Junção Bipolar (TJB ou BJT) Análise CA Instituto Federal Catarinense Campus Blumenau Curso de Engenharia Elétrica Professor Damian Larsen Bogo

• A análise CA será de importância para utilizar o Transistor de Junção Bipolar como amplificador.
• Serão vistos três modelos:
  • Modelo 𝑟 𝑒 ;
  • Modelo 𝜋 híbrido;
  • Modelo híbrido equivalente.

Amplificação no Domínio CA

Modelagem do Transistor

• Como base para a análise de transistores para pequenos sinais é a utilização de modelos.
• Uma vez que o circuito CA equivalente estiver determinado, substituiremos o transistor pelo modelo. - Modelo híbrido equivalente era o mais utilizado; - Modelo 𝑟𝑒 se tornou a abordagem mais desejável; - Modelo 𝜋 híbrido utilizado quase que exclusivamente em alta frequência.

Modelagem do Transistor

Modelagem do Transistor

Modelo 𝑟 𝑒

• Configuração emissor-comum:

Modelo 𝑟 𝑒

• Determinação do circuito equivalente para o terminal de entrada:

Modelo 𝑟 𝑒

• Características da saída:

Modelo 𝑟 𝑒

• Definindo 𝑍 𝑖 𝑟𝑒 = ൗ 𝑉𝑇 𝐼𝐸

Modelo 𝑟 𝑒

Modelo 𝑟 𝑒

• Determinação da impedância da saída:

Modelo 𝑟 𝑒

• Configuração base-comum:

Modelo 𝑟 𝑒

• Configuração base-comum: