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questões sobre diodos, Exercícios de Eletrônica

Atividades sobre diodos e seus eventos

Tipologia: Exercícios

2020

Compartilhado em 17/10/2020

eully-alves
eully-alves 🇧🇷

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SERVIÇO PÚBLICO
FEDERAL MINISTÉRIO DA
EDUCAÇÃO
INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO PARÁ
CAMPUS TUCURUÍ
Curso Técnico em Eletrotécnica
Eletrônica Analógica e Industrial
Atividade Avaliativa 1: Ligações covalentes e materiais intrínsecos e Materiais dos tipos n e p
Prof. Dr. Janilson Leão de Souza
Data de entrega: 14/10/2020
Nome do Discente: Eully Alves de Almeida
1. Esboce a estrutura atômica do cobre e discuta por que ele é um bom condutor e como sua estrutura é
diferente da do germânio, do silício e do arseneto de gálio.
2. Defina com suas próprias palavras o que significam material intrínseco, coeficiente de temperatura
negativo e ligação covalente.
MATERIAL INTRÍNSECO: Trata-se de semicondutor com um material muito refinado, em um
estado mais puro, sem adulterações
COEFICIENTE DE TEMPERATURA: Conforme o material aumenta a condutividade mediante o
calor em um semicondutor, faz com que os elétrons se agitem e quebrem a ligação covalente,
contribuindo para que eles fiquem livres.
LIGAÇÃO COVALENTE: Ligação entre átomos, onde se compartilham os elétrons da última
camada para que se estabilizem, formando um total de 8 elétrons.
3. Pesquise e liste três materiais que tenham um coeficiente de temperatura negativo e três que tenham
um coeficiente de temperatura positivo.
Coeficiente negativo:
Carbono (grafite) = -0,0005
Germânio = -0,0500
A diferença do cobre para os demais citados, se dá pelo fato de que
o cobre tem apenas 1 elétron na camada de valência, podendo ser
facilmente deslocado. Os elétrons da camada de valência podem
ser facilmente deslocados sob a ação de um campo elétrico
produzido pela diferença de potencial aplicada, originando-se uma
corrente elétrica no material.
Cu
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FEDERAL MINISTÉRIO DASERVIÇO PÚBLICO INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO PARÁEDUCAÇÃO CAMPUS TUCURUÍ

Curso Técnico em Eletrotécnica

Eletrônica Analógica e Industrial Atividade Avaliativa 1: Ligações covalentes e materiais intrínsecos e Materiais dos tipos n e p

Prof. Dr. Janilson Leão de Souza

Data de entrega: 14/10/

Nome do Discente: Eully Alves de Almeida

1. Esboce a estrutura atômica do cobre e discuta por que ele é um bom condutor e como sua estrutura é

diferente da do germânio, do silício e do arseneto de gálio.

2. Defina com suas próprias palavras o que significam material intrínseco, coeficiente de temperatura

negativo e ligação covalente.

MATERIAL INTRÍNSECO: Trata-se de semicondutor com um material muito refinado, em um

estado mais puro, sem adulterações

COEFICIENTE DE TEMPERATURA: Conforme o material aumenta a condutividade mediante o

calor em um semicondutor, faz com que os elétrons se agitem e quebrem a ligação covalente,

contribuindo para que eles fiquem livres.

LIGAÇÃO COVALENTE: Ligação entre átomos, onde se compartilham os elétrons da última

camada para que se estabilizem, formando um total de 8 elétrons.

3. Pesquise e liste três materiais que tenham um coeficiente de temperatura negativo e três que tenham

um coeficiente de temperatura positivo.

Coeficiente negativo:

 Carbono (grafite) = -0,

 Germânio = -0,

o cobre tem apenas 1 elétron na camada de valência, podendo ser^ A diferença do cobre para os demais citados, se dá pelo fato de que facilmente deslocado.ser facilmente deslocados sob a ação de um campo elétrico Os elétrons da camada de valência podem produzido pela diferença de potencial aplicada, originando-se umacorrente elétrica no material.

Cu

 Silício = -0,

Coeficiente Positivo:

 Ferro = 0,

 Cobre = 0,

 Alumínio = 0,

4. Explique a diferença entre os materiais semicondutores do tipo n e do tipo p.

Materiais do tipo n: São átomos que possuem impurezas de cinco elétrons de valência, que fazemparte do grupo V da tabela periódica

Materiais do tipo p: Formado pela dopagem de um cristal puro de germânio ou silício com átomos deimpureza com três elétrons de valência, que fazem parte do grupo III da tabela periódica.

5. Explique a diferença entre as impurezas doadoras e aceitadoras.

Impurezas doadoras, possuem elétrons livres para serem doados.

Impurezas aceitadoras, possuem poucos elétrons, fazendo com que necessite fazer alguma ligaçãocovalente com outro átomo para estabilizar sua camada.

6. Explique a diferença entre portador majoritário e minoritário.

Portador Majoritário: Indica se há mais elétrons, no caso de materiais tipo n, ou mais lacunas, nocaso de materiais tipo p.

Portador Minoritário: Indica se possui menos elétron, no caso de materiais tipo n, ou se possui menoslacunas, no caso de materiais tipo p.

7. Esboce a estrutura atômica do silício e insira um átomo de arsênio como impureza, conforme

demonstrado para o silício

Figura 1 – Impureza de antimônio em material do tipo n.

na Figura 1.

Si

Si Si Si

Sb Si

Si Si Si

antimônio (Sb) –

Impureza de

Quinto elétron devalência de antimônio