Elektrotehnički fakultet u Banjoj Luci
Katedra za elektroniku
ELEKTRONIKA 1 – 2011, integralni ispit 05.07.2012.
1. Na slici 1 predstavljene su karakteristike tranzistora sa označenim vrijednostima.
a) Nacrtati šemu pripadajućeg sklopa pa odrediti vrijednosti ugrađenih elemenata. Koliki je
koeficijent nestabilnosti Si?
b) Ako je potrebno da koeficijent nestabilnosti bude deset puta manje vrijednosti, odrediti
korekciju u sklopu kao i promjene vrijednosti početnih veličina.
Slika 1.
2. Na slici 2 predstavljena je frekvencijska karakteristika modula naponskog pojačanja pojačavača
u spoju sa zajedničkom bazom. Projektovati takav sklop, pa izvesti izraze za pojačanje napona,
donju i gornju graničnu frekvenciju.
Slika 2.
Ispit traje 180 minuta.
3. U višestepenom pojačavaču sa slike 3, poznate su vrijednosti otpornika: R1 = 2,35kΩ, R2 =
2,35kΩ, R3 = 1,3kΩ, R4 = 1,65kΩ, R6 = 7,5kΩ. Kolo se napaja iz dvije baterije VCC = 12V, VSS =
-5V, a upotrebljeni tranzistori su identičnih karakteristika: βF = β0 = 100, VBE = 0,7V, VCES =
0,2V, VA → ∞. Odrediti:
a) struje kolektora tranzistora Q1 i Q3 u mirnoj radnoj tački i otpornost R5 ako je poznato IC2Q
= 1mA,
b) naponsko pojačanje pojačavača a = vout / vg,
c) ulaznu otpornost pojačavača.
Slika 3.
4. Na osnovu analize kompletne F 0
7 0
šeme odrediti h parametre tranzistora.
