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Ejercicios Transistor Comun, Ejercicios de Dispositivos Semiconductores

Ejercicios de transistor comun del libro NEAMEN Dispositivos y circuitos

Tipo: Ejercicios

2020/2021

Subido el 10/11/2021

julio-cesar-guillen-martinez
julio-cesar-guillen-martinez 🇲🇽

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bg1
Universidad Nacional Autónoma De México
Facultad De Ingeniería
Dispositivos Y Circuitos Electrónicos
Guillen Martinez Julio Cesar
315308929
Ejercicios Neamen Sección 6.6-6.7
Ejercicio 6.12
Para el circuito que se muestra en la figura 6.49, sea 𝑉𝑐𝑐 =12[𝑉],𝑅𝐸=30[Ω],𝑅1=
1.3[𝑘Ω],𝑅2= 4.2[𝑘Ω], 𝑦 𝑅𝑠=0. Los parametros del transistor son 𝛽 =80,𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛)=
0.7[𝑉], 𝑦 𝑉𝐴=75[𝑉]. A) Determine los valores de reposo 𝐼𝐸𝑄 𝑦 𝑉𝐶𝐸𝑄. B) Encuentre la
ganancia de voltaje de señal pequeña 𝐴𝑣=𝑉0
𝑉𝑠. C) Determine la resistencia de entrada mirando
hacia la base del transistor.
Analizando para DC.
Sacando la resistencia de Thévenin 𝑅𝑇𝐻.
𝑅𝑇𝐻 =𝑅1𝑅2
𝑅1+𝑅2
pf3
pf4
pf5
pf8

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¡Descarga Ejercicios Transistor Comun y más Ejercicios en PDF de Dispositivos Semiconductores solo en Docsity!

Universidad Nacional Autónoma De México

Facultad De Ingeniería

Dispositivos Y Circuitos Electrónicos

Guillen Martinez Julio Cesar

Ejercicios Neamen Sección 6.6-6.

Ejercicio 6.

Para el circuito que se muestra en la figura 6.49, sea 𝑉

𝑐𝑐

= 12 [𝑉], 𝑅

𝐸

= 30 [Ω], 𝑅

1

1. 3 [𝑘Ω], 𝑅

2

= 4. 2 [𝑘Ω], 𝑦 𝑅

𝑠

= 0. Los parametros del transistor son 𝛽 = 80 , 𝑉

𝐵𝐸(𝑜𝑛)

0. 7 [𝑉], 𝑦 𝑉

𝐴

= 75 [𝑉]. A) Determine los valores de reposo 𝐼

𝐸𝑄

𝐶𝐸𝑄

. B) Encuentre la

ganancia de voltaje de señal pequeña 𝐴

𝑣

𝑉

0

𝑉

𝑠

. C) Determine la resistencia de entrada mirando

hacia la base del transistor.

Analizando para DC.

Sacando la resistencia de Thévenin 𝑅

𝑇𝐻

𝑇𝐻

1

2

1

2

𝑇𝐻

[

]

∗ 4. 2 [𝑘Ω]

[

]

+ 4. 2 [𝑘Ω]

𝑇𝐻

= 0. 993 [𝑘Ω]

Sacando el voltaje de Thevenin 𝑉 𝑇𝐻

𝑇𝐻

2

1

2

𝐶𝐶

𝑇𝐻

4. 2 [𝑘Ω]

[

]

[

]

) ∗ 12 [𝑉]

𝑇𝐻

= 9. 163 [𝑉]

Calculando la corriente 𝐼 𝐵𝑄

𝐵𝑄

𝑇𝐻

𝐵𝐸(𝑜𝑛)

𝑇𝐻

𝐸

𝐵𝑄

[

]

− 0. 7 [𝑉]

[

]

∗ 30 [Ω]

𝐵𝑄

= 2. 47 [𝑚𝐴]

Para la corriente colector punto 𝐼

𝐶𝑄

𝐶𝑄

𝐵𝑄

𝐶𝑄

= ( 80 ) ∗ 2. 47 [𝑚𝐴]

𝐶𝑄

= 197. 79 [𝑚𝐴]

Para la corriente 𝐼 𝐸𝑄

𝐸𝑄

𝐶𝑄

𝐵𝑄

𝐸𝑄

[

]

+ 2. 47 [𝑚𝐴]

𝐸𝑄

= 200. 26 [𝑚𝐴]

Para nuestro voltaje 𝑉 𝐶𝐸𝑄

por LVK.

Para la resistencia de entrada.

𝑖𝑏

𝜋

0

𝐸

𝑖𝑏

= 0. 0105 [𝑘Ω] + ( 81 )( 0. 38 [𝑘Ω]|| 30 [Ω])

𝑖𝑏

= 2. 262 [𝑘Ω]

Ejercicio 6.

Considere los parametros de circuito y transistor descritos en el ejercicio 6.12 para el circuito

que se muestra en la figura 6.49. Para el caso de 𝑅 𝑠

= 0 , determine la resistencia de salida

mirando hacia los terminales de salida.

Para sacar la resistencia de salida mirando hacia las terminales 𝑅

0

0

𝜋

𝐸

0

0

[

]

) || 0. 030 [𝑘Ω]|| 38 [𝑘Ω]

0

= 0. 129 [Ω]

Ejercicio 6.

Para el circuito de la figura 6.54, los parametros del transistor son 𝛽 = 100 , 𝑉

𝐵𝐸(𝑜𝑛)

0. 7 [𝑉]𝑦 𝑉

𝐴

= 125 [𝑉]. Asuma 𝑅

𝑠

𝐿

= 1 [𝑘Ω]. A) Diseñe un circuito parcialmente

estable de manera que 𝐼

𝐶𝑄

= 1. 25 [𝑚𝐴] 𝑦 𝑉

𝐶𝐸𝑄

= 4 [𝑉]. B) ¿Cuál es la ganancia de corriente

de pequeña señal 𝐴

𝑖

𝑖

𝑜

𝑖

𝑖

? C) ¿Cuál es la resistencia de salida mirando hacia atrás en los

terminales de salida?

Diseñe el circuito parcialmente estable.

Sacando la resistencia de emisor 𝑅

𝐸

𝐸

𝐶𝐸𝑄

𝐸𝑄

Sacamos la corriente 𝐼 𝐸𝑄

𝐸𝑄

𝐶𝑄

𝐵𝑄

𝐵𝑄

𝐶𝑄

𝐵𝑄

[

]

𝐵𝑄

= 0. 0125 [𝑚𝐴]

𝐸𝑄

[

]

+ 0. 0125 [𝑚𝐴]

𝐸𝑄

= 1. 2625 [𝑚𝐴]

Entonces el valor de la resistencia es.

𝐸

[

]

[

]

[

])

[

]

Para la ganancia de corriente 𝐴

𝑖

𝑖

𝑒

𝑖

1

2

1

2

𝑖𝑏

0

0

𝐸

Sacando la 𝑟 0

0

𝐴

𝐶𝑄

0

125 [𝑉]

1. 25 [𝑚𝐴]

0

= 100 [𝑘Ω]

Y para la resistencia 𝑟 𝜋

𝜋

𝑇

𝐶𝑄

𝜋

[

]

[

]

𝜋

[

]

Para sacar la resistencia 𝑅 𝑖𝑏

𝑖𝑏

𝜋

0

𝐸

𝐿

𝑖𝑏

[

]

[

]

[

]

∥ 1 [𝑘Ω]

𝑖𝑏

= 84. 83 [𝑘Ω]

Para la ganancia 𝐴 𝑖

𝑖

48. 1 [𝑘Ω]

48. 1 [𝑘Ω] + 84. 83 [𝑘Ω]

100 [𝑘Ω]

100 [𝑘Ω] + 4. 76 [𝑘Ω]

𝑖

Para la resistencia de salida.

0

𝜋

𝐸

0

0

2. 08 [𝑘Ω]

[

]

[

]

0

= 0. 0205 [𝑘Ω]