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EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) • Son componentes de 3 terminales • Representan la extensión natural de los diodos • Están compuestos por un par de junturas P-N
Tipo: Diapositivas
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𝐼𝐵 = 80 μ𝐴 𝐼𝐵 = 60 μ𝐴 𝐼𝐵 = 40 μ𝐴 𝐼𝐵 = 20 μ𝐴 𝐼𝐵 = 0 μ𝐴 ① ② ③ ④ 𝐼 𝐶 ( 𝑚𝐴 ) ① REGION DE SATURACION ② REGION ACTIVA ③ REGION DE CORTE ④ RUPTURA 𝑉𝐵𝐵 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐶𝐶 𝑅𝐶 𝑅𝐵
CONFIGURACIONES
𝐸 𝐶 𝐵 𝑁 𝑃 𝑽𝑪𝑩 (𝒊𝒏) ՚ 𝐼𝐵 𝑽𝑬𝑪 (𝒐𝒖𝒕) 𝑏)𝐶𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 𝐶𝑜𝑚𝑢𝑛 𝐶 𝑃
𝐶 𝐸 𝐵 ՚ 𝐼𝐸
ZONAS DE TRABAJO
𝐶
𝐵
𝑚í𝑛
𝑚á𝑥
Polarización de un transistor 𝑰𝒃 𝑹𝒃^ 𝑹^ 𝑽 𝑪𝑪 (^) + − 𝑰 𝑪 𝟏𝟎 𝒎𝑨 𝑪 𝟎, 𝟏𝒎𝑨 𝑪 𝑬 𝑩 𝑰𝑩 ↑ 𝑰𝑪 ↑ 𝑰𝑬 𝑪 𝑬 𝑩 𝑰𝑩 ↑ 𝑰𝑪 ↑ 𝑰𝑬 𝑪 𝑬 𝑩 𝑪 𝑬 𝑩 𝑰𝑩 ↓ 𝑰𝑪 ↓ 𝑰𝑬 𝑪 𝑬 𝑩 𝑰𝑩 ↓ 𝑰𝑬 ↓ 𝑰𝑪
𝑬
𝑩
𝑪
𝑪
𝑩
𝑪
𝑪𝑬
AMPLIFICADOR BÁSICO DE EMISOR COMÚN
𝑬 𝟓𝟎𝟎𝒌
𝒆
𝑐𝑐
𝑺𝒊 ∶ ቊ 𝑽𝑩𝑬 ≅ 𝟎 𝒉𝒇𝒆 = 𝟏𝟎𝟎
𝑪𝑪
𝑪
𝒃
𝒄
𝒃
𝑪
𝒄𝒄
𝒃
𝑪𝑸
𝑪
𝑪
𝑪𝑬 ՜ 𝑽 𝑪𝑬
𝑪𝑪
𝑪𝑸
𝑪
𝑪𝑬𝑸
𝑪𝑬
𝐶𝐸𝑄
𝐶𝑄
𝐶 𝑚á𝑥
𝐶𝐶
𝐶
𝐶
𝐶𝐸 ՜ 𝐼 𝐶
𝐶𝐶
𝐶𝐸 𝑅 𝐶
𝐶
𝐶𝑚á𝑥 𝑃𝑎𝑟𝑎𝑉 𝐶𝐸
𝐶𝑚á𝑥
𝐶𝐶 𝑅 𝐶
Observaciones 𝐼 𝐵
𝐵 3
𝐵 2
𝐵 1
𝐵 0
𝐶𝐸
𝐶𝐶 → Decimos que el transistor entre colector-emisor se comporta como circuito abierto
𝐶𝑚á𝑥
𝐶𝐸
→ Decimos que el transistor entre colector-emisor se comporta como cortocircuito.
𝐶𝑄
𝐶𝐸
𝐶𝐸𝑄 se utiliza como amplificador
AMPLIFICADOR (A)