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Física. Formulari Curs 2006-2007 (Q1) Miguel Ángel Flores
Facultat d’informàtica de Barcelona Miguel Ángel Flores
FORMULARI DE FÍSICA v.1.
Temes 1,2,
TEMA 1. ELECTROSTÀTICA.
r r
q q F k ˆ 2
1 2 ⋅
⋅ = ⋅ r r
q k q
F E ˆ 2
0
0
= = ⋅ ⋅
r r
r
q V ( P )= k ⋅ V V E d
U U q V V
2 1
= ⋅ ⋅ cos
E A
E A
0
int
Q
net =^ dA
dq
r
E
E
0
2
φ S = E ⋅ 4 ⋅π⋅ r
E =
ε = ε r ⋅ ε 0
V
Q
C
||
d
A
C = ε 0 ⋅
2
2
U = ⋅ Q ⋅ V = ⋅ C ⋅ V
i
i
i
i
C C C C
q q q q
V V V V
1 2
1 2
1 2 3
d
A
C =ε ⋅
2 0 2
η E = ⋅ε ⋅ E
S
i (^) i
i
i
C C C C
V V V V
q q q q
1 2
1 2
1 2 3
TEMA 2. ELECTROCINÈTICA
V E l
J E
n q v A
I
J
I n q v A
d
d
V R I
I
A
l V
A
l R
2
2
2
P I r I
P I r I
P R I
V V I r
a
s
R
A B
R C
q t C eRC
t
−
( ) ε ( 1 ) RC
t
q t Q e ⋅
−
()= ⋅
TEMA 3. ELECTRÒNICA
C B
E B C
I I
I I I
GS T DS T
D V V V
V
K
I = ⋅( − )⋅
2
2 2
GS T T
D V V
V
K
I ⋅ −
- FORMULARIO DE FÍSICA (F) Q - CURSO: 2006-
- Última actualización: 26/12/
FORMULARIO DE FÍSICA v.1.
Tema 2. Electrocinética
Corriente eléctrica Resistencia eléctrica Resistencias I=q⋅n⋅vd ⋅A
Densidad de corriente
A
I J =
σ ⋅ σ
Δ = ⋅ ⇒ = l
V
A
I J E
A
l R ⋅
= σ
, donde σ
ρ
1
Ley de Ohm : ΔV =R⋅I
SERIE
PARALELO
Potencia perdida des. Generadores Cortocircuito
P =V⋅I
Potencial suministrada (G)
Pdada =ε⋅I
Efecto Joule
P = I ⋅R
2 R r
V (^) A VB I r I
− = − ⋅ ⇒ =
ε ε r
I (^) CC
ε
Reglas de los circuitos eléctricos
Δ V = E⋅ d
[ F ] V
Q C Δ
=
ε 0
σ E =
d
A C = ε 0 ⋅
2
2
2
1
2
1
2
QV C V C
Q U ≡ ⋅ ⋅ ≡ ⋅ ⋅ ⋅
=
Densidad de energía
2 0 2
1 ηe = ⋅ε ⋅E
Sin Dieléctrico
E d
Q C ⋅
= 0
0
Con Dieléctrico C =εr ⋅C 0
Donde, ε = ε r ⋅ ε 0 y
r
E E ε
0
r r =
FORMULARIO DE FÍSICA v.1.
Tema 3. Electrónica
Díodes (Rectificadors de Corrent)
Símbol Funcionament
En polarització directa (Vɣ = 0.7 V).
En polarització inversa (I ≃ 0).
Diode Zener (Limitador de tensió)
Símbol Funcionament
En polarització directa, funciona com un diode.
En polarització inversa, funciona com a Limitador de tensió (V z).
Transistor d’unió bipolar
Equació del circuit d’entrada: Vin−RB⋅IB −V γ= 0
Equació del circuit de sortida: VCC−RC⋅IC−V CE= 0
Regió de SATURACIÓ VIN > 0.7 V
VBE = Vɣ ⇒ IB ≠ 0 0 ≤ VCE ≤ 0.5 I (^) C < β·IB
Regió ACTIVA VIN > 0.7 V
VBE = Vɣ ⇒ IB ≠ 0 V (^) CE > Vɣ IC = β·IB
Regió de TALL VIN ≤ 0.7 V
VBE < Vɣ ⇒ IB = 0 V (^) CE ≥ 0 I (^) C ≃ 0
MOSFET
Regió de ÒHMICA VGS > VT
GS T DS T
D V V V
V
K
I = ⋅( − )⋅
2
VDS < VGS − V T
Regió ACTIVA VGS > VT
Regió de TALL VGS ≤ VT
ID = 0
