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Tipo: Esquemas y mapas conceptuales
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Experimento 8 Diseño De Un Amplificador Emisor Común Objetivo. Diseñar un amplificador E-C y Medir los parámetros de funcionamiento del amplificador. Lista de Material. 1 Transistor 2N3904 (Descargar hoja de especificaciones de Internet ) 1 Resistencia 22K, ½W 1 Resistencia 120K, ½W 2 Resistencia 10K, ½W 1 Resistencia 1.2K, ½W 1 Resistencia 330 , ½W 2 Capacitores de 47 F, 50V 1 Capacitor 100 F, 50V Equipo. 1 Osciloscopio 1 Fuente de poder 1 Generador de funciones Teoría Preliminar. El diseño del amplificador Emisor-Colector (E-C) se efectuará con las siguientes características: Av = - 20 VCC =12V Ro >= 8K BJT = 2N RL = 10K = hfe = 100 ( Medir en el multímetro el hfe de tu transistor ) Diseño para Máxima Oscilación Simétrica. PASO 1.- Seleccionar el valor de la resistencia del colector RC. RC>= Ro RC= 10K PASO 2.- Establecer ecuaciones de diseño. Ecuación 3 𝐴𝑣 = Ecuación 4 𝐼𝑐𝑞 = (𝑅𝐶∗𝑅𝐿) (𝑅𝐶+𝑅𝐿)(𝑅𝐸 1 +𝑅𝑖𝑏) 𝑉𝐶𝐶 (𝑅𝐶𝐴+𝑅𝐶𝐷) 𝑉𝐶𝐶 Ecuación 5 𝑅𝐸 = (^) (10 ∗𝐼 𝑐𝑞) Ecuación 6 𝑅𝑖𝑏 =
𝐼𝑐𝑞 Ecuación 7 𝑅𝐸 = 𝑅𝐸 1 + 𝑅𝐸 2
= hfe = ( Medir en el multímetro el hfe de tu transistor ) Mediciones de voltaje en directa (CD) con Multímetro 2.- Medir el punto de operación, tomando lectura de los siguientes voltajes de CD con el multímetro digital: VCC= 12V VC= 4.89V VB= 1.75V VE= 1. 3.- Observar que se cumplan las siguientes condiciones:
Si no se cumplen estas condiciones, revisar las conexiones, revisar que el transistor este bien conectado y que el voltaje entre Base-Emisor (B-E) sea aproximadamente 0.7 V. (Las terminales del transistor deben estar bien identificadas, consulta la hoja de especificaciones) y analiza los pasos del 1 al 3 nuevamente. Figura 17 Amplificador con transistor BJT configurado en Emisor Común
8.-Registrar la siguiente información: Equipo utilizado Fabricante-Modelo No. de serie Multímetro Digital MULTISIM Osciloscopio MULTISIM Generador de funciones MULTISIM Fuente de voltaje MULTISIM OTRO (Especifica): MULTISIM Reporte 1.- Realizar el análisis del diseño del amplificador E-C utilizando las leyes de Kirchhoff (nodos o mallas) planteado en la sección de teoría preliminar. 2.- Utilizar las curvas de operación del transistor para encontrar el valor de Icq (corriente de operación del colector), con los resultados obtenidos en el paso 2 del procedimiento. 3.- Determinar el valor de la ganancia de voltaje del amplificador, haciendo uso de los resultados obtenidos en el paso 6 del procedimiento. 4.- Determinar el valor de la resistencia de entrada del amplificador, con los resultados del paso 8 del procedimiento. Demostrar la relación planteada. Calcular la resistencia de entrada teórica y efectuar una comparación.
5.- Determinar el valor de la resistencia de salida, con los resultados obtenidos en el paso 9 del procedimiento. Demostrar la relación planteada.
