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aula 08 difusao, Notas de aula de Mecatrônica

PMT2200. Materiais - Aula 8 - Difusão

Tipologia: Notas de aula

Antes de 2010

Compartilhado em 08/10/2007

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DIFUSÃO
PMT 2100 -Introdução à
Ciência dos Materiais para
Engenharia
8aaula
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OBJETIVOS E ROTEIRO DA AULA
Conceito de difusão
Mecanismos de difusão
Difusão em regime permanente e em regime transitório
Fatores que influenciam na difusão: espécies que estão
difundindo, temperatura
Caminhos de difusão: discordâncias, contornos de grão,
interfaces e superfícies externas.
Aplicações
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DIFUSÃO

PMT 2100 - Introdução à

Ciência dos Materiais para

Engenharia

8 a^ aula

2

OBJETIVOS E ROTEIRO DA AULA

  • Conceito de difusão
  • Mecanismos de difusão
  • Difusão em regime permanente e em regime transitório
  • Fatores que influenciam na difusão: espécies que estão difundindo, temperatura
  • Caminhos de difusão: discordâncias, contornos de grão, interfaces e superfícies externas.
  • Aplicações

3

ALGUMAS APLICAÇÕES

  • Filtros para purificação de gases
  • Homogeneização de ligas com segregação
  • Modificação superficial de peças
  • Dopagem de semicondutores
  • Processadores de microcomputadores

4

1) INTRODUÇÃO

  • Muitas reações e processos, importantes na fabricação de um componente ou de uma estrutura de engenharia, ocorrem por meio de transporte de massa.
  • O transporte de massa geralmente ocorre em escala microscópica.

DIFUSÃO: fenômeno de transporte de massa

por movimentação atômica (no caso de

metais), de cátions e ânions (no caso de

cerâmicas iônicas) e de macromoléculas (no

caso de polímeros).

  • A difusão ocorre no interior de sólidos, líquidos e gases.

7

2) MECANISMOS DE DIFUSÃO

¸ Difusão: migração passo a passo de átomos de determinadas posições do reticulado para outras.

¸ Para ocorrer a movimentação dos átomos são necessárias duas condições:

  1. deve existir um espaço livre adjacente.
  2. o átomo deve possuir energia suficiente para quebrar as ligações químicas e causar uma distorção no reticulado cristalino.

8

DIFUSÃO SUBSTITUCIONAL

DIFUSÃO POR LACUNAS : átomos substitucionais trocam de posição com lacunas existentes no reticulado cristalino.

ß A movimentação é função do número de lacunas presentes. ß O número de lacunas aumenta exponencialmente com a temperatura. ß A movimentação do átomo ocorre em uma direção e a de lacunas ocorre na direção contrária.

AUTODIFUSÃO (difusão de átomos de mesma espécie) INTERDIFUSÃO (difusão de átomos de espécies diferentes)

9

DIFUSÃO INTERSTICIAL : átomos intersticiais migram para posições intersticiais adjacentes não ocupadas do reticulado.

ß Não há a necessidade de existir lacunas vizinhas. ß Em metais e ligas, difusão de impurezas de raio atômico muito pequeno em relação ao raio atômico da matriz. Exemplos: hidrogênio, carbono, nitrogênio e oxigênio no aço. ß Difusão intersticial é muito mais rápida que a difusão substitucional (por lacunas).

DIFUSÃO INTERSTICIAL

10

DIFUSÃO EM REGIME PERMANENTE

  • Difusão é um processo dependente do tempo
  • Em um determinado processo, é importante conhecer a rapidez com que ocorre o transporte de massa
  • A taxa de transferência de massa pode ser expressa por meio do FLUXO DE DIFUSÃO (J):

ou na forma diferencial

onde: M, massa (ou o equivalente número de átomos); A, secção transversal; e t, tempo. [J] ≡≡ kg/(m^2 s)

At

M

J =

dt

dM

A

1 J =

13

DIFUSÃO EM REGIME TRANSITÓRIO E SEGUNDA LEI DE FICK

Em muitos fenômenos estudados, a difusão ocorre em regime transitório. Neste caso, tanto o fluxo quanto a concentração variam com o tempo

 

  

x

C D t x

C

SEGUNDA LEI DE FICK

Quando o coeficiente de difusão não depende da concentração (portanto, da posição):

2

2

x

C D t

C

14

SEGUNDA LEI DE FICK

Em geral, a dedução das soluções da segunda lei de Fick é complexa.

Por exemplo, no processo de cementação de uma chapa de aço pode-se considerar que:

¸O teor de carbono na superfície do aço seja constante (CS = constante) ¸O coeficiente de difusão para uma dada temperatura não varie com a concentração (D = constante) ¸O teor de carbono da chapa antes da cementação seja homogêneo e igual a Co

Nesse caso, a solução é:  

Dt

x erf C C

C C

S o

x o 2

onde: x é a distância à superfície cementada

15

Distâncias de difusão

As distâncias de difusão são proporcionais a (^) Dt , assim:

cons te

Dt

x

tan

Para Cx = ½(CS-Co), tem-se :

xDt

Corte de uma engrenagem cementada

16

EFEITO DA TEMPERATURA – ATIVAÇÃO TÉRMICA

onde: Do, uma constante (m^2 /s); Qd, energia de ativação para difusão (J/mol); R, constante universal dos gases (8,31 J/mol K); e T, temperatura absoluta (K).

 

  

 = − RT

Q D Do exp d

19

CAMINHOS PARA DIFUSÃO

  • A movimentação de átomos pode ocorrer:
  1. No volume do material
  2. Ao longo de defeitos lineares: discordâncias
  3. Ao longo de defeitos bidimensionais: contornos de grão, superfícies externas.
  • A movimentação de átomos pelos defeitos cristalinos é muito mais rápida que pelo volume

•Em alguns casos, a contribuição do fluxo de átomos através dos defeitos cristalinos é insignificante (a seção transversal das suas áreas é bem pequena comparada com o interior do material)

20

ESQUEMA DA CONEXÃO ENTRE DUAS JUNÇÕES E UMA CONEXÃO METÁLICA

PRODUÇÃO DE CIRCUITOS INTEGRADOS UTILIZANDO DIFUSÃO

•Junção tipo n : Si4+^ + (P5+^ ou As5+^ ou Sb5+)

•Junção tipo p : Si4+^ + (Al3+^ ou B3+^ ou Ga3+)

21

Exemplo: Dopagem de Si com B

  • Etapa 1: Deposição de uma camada rica em B na superfície

do cristal de Si por meio de um vapor de B 2 O 3 ou BCl 3 por

alguns minutos a 1100 °C.

  • Etapa 2: Difusão do B para dentro do Si por 80 minutos a

1200 °C.

  • Para evitar a perda de B pela superfície, o tratamento de

difusão é efetuado em uma atmosfera oxidante. Uma

camada de SiO 2 se forma, bloqueando a perda de B pela

superfície.