Prof. Dr. Aparecido Nicolett
PUC-SP
Aula 01
Construção e Características
do JFET
8ª Edição: pág. 174 a 179
11ª Edição: pág. 317 a 323
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Construção e Características do JFET, Resumos de Eletrônica Analógica
Uma aula sobre a construção e características do transistor de efeito de campo (jfet). Ele aborda a diferença entre o jfet e o transistor bipolar de junção (tbj), a construção dos jfets de canal n e canal p, o funcionamento do jfet de canal n com polarização, a curva característica ids x vds, o fenômeno de pinçamento ('pinch-off'), as curvas características do jfet de canal n e a utilização do jfet como um resistor controlado por tensão. O documento também inclui os símbolos para os jfets de canal n e canal p. Com informações detalhadas sobre a estrutura e o comportamento deste importante dispositivo eletrônico, este documento pode ser útil para estudantes de engenharia elétrica, eletrônica e áreas afins, tanto em nível de graduação quanto de pós-graduação.
Tipologia: Resumos
2024
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Prof. Dr. Aparecido Nicolett
PUC-SP
Aula 01
Construção e Características
do JFET
8ª Edição: pág. 174 a 17911ª Edição: pág. 317 a 323
Construção e Características do JFET
•^
Dispositivo de três terminais.
-^
Aplicado em circuitos muito semelhantes aos que utilizam o TBJ.
IE
•^
TBJ: controlado por corrente (IC = f(IB))
-^
FET: controlado por tensão (ID = f(VGS))
Construção do JFET
•^
Existem dois tipos de JFETs: canal N e canal P. O do tipo canal N é mais utilizado.
Analogia de funcionamento
•^
Admitindo uma resistência uniformedo canal N, a variação dos potenciaisreversos podem ser observados nafigura.
-^
Próximo à fonte, a queda de tensão émenor (menor resistência) e próximodo dreno, a queda de tensão é maior(maior resistência).
-^
Como
a
junção
PN
está
sempre
polarizada reversamente, a correntede porta IG é sempre zero (IG = 0 A)
IDS x VDS (VGS = 0 V)
Região de Triodo
Região de Saturação Região de Corte
VD > VSVGS < 0 VVDS > 0 VID = IS
0 A
- A polarização negativa de VGS, aumenta as camadas de depleção,diminuindo a “área” de passagemda corrente. - O valor de VGS que resulta em ID = 0 A é definido como Vp(VGS = Vp).
Curvas Características do JFET canal N
IDSS = 8 mAVp = - 4 V