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Determinação do IDSS e VP de um JFET no Laboratório de Eletrônica, Exercícios de Matemática

Neste documento, harianne siqueira santos apresenta os resultados de experimentos realizados com um jfet no laboratório de eletrônica. Ela determina o idss (corrente de saturação instantânea) e o vp (tensão de pinch-off) do dispositivo através de medições de id (corrente de drain) em diferentes valores de vds (tensão de drain-source) e vgs (tensão de gate-source).

Tipologia: Exercícios

2013

Compartilhado em 25/11/2022

harianne-siqueira
harianne-siqueira 🇧🇷

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bg1
LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA 1
JFET - Determinação de IDSS e de VP
Aluno: Harianne Siqueira Santos
1- Monte o circuito abaixo no simulador: utilize um JFET canal N
2- Mantenha VGS=0. Varie o valor de VDS conforme tabela abaixo e anote os valores de ID.
VDS(V)
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
ID (mA)
0
2,344
4,375
6,094
7,5
8,594
9,375
9,844
10
10
10
3- De acordo com os dados da tabela, qual o valor da corrente de saturação IDSS deste JFET?
10mA.
4- Como você chegou a esta conclusão? Porque a partir da tensão VDS igual a 4V até
10V o ID manteve-se constante.
5- Olhando para a tabela, determine para qual valor de VDS que o JFET atinge a saturação.
Anote este valor. VDS=4V
6- Ajuste agora a tensão VDS para 4V. Em seguida varie a tensão VGS conforme a tabela
abaixo e anote os valores de ID. (na hora de setar os valores de VGS no simulador, não é
necessário colocar o sinal de negativo (-), pois o negativo da fonte já está no Gate).
VGS(V)
-0,0
-0,5
-1,5
-2,5
-3,0
-3,5
-4,0
-4,5
-10
ID
10
mA
7,65
mA
3,90
mA
1,40
mA
625
µA
156,3
µA
40
nA
40
nA
40
nA
7- A partir de qual valor de VGS que ID se manteve constante? VGS=4V
8- Qual o valor de ID neste momento? ID=40nA
pf2

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LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA 1

JFET - Determinação de IDSS e de VP Aluno: Harianne Siqueira Santos 1 - Monte o circuito abaixo no simulador: utilize um JFET canal N 2 - Mantenha VGS=0. Varie o valor de VDS conforme tabela abaixo e anote os valores de ID. VDS(V) 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 10, ID (mA) 0 2,344 4,375 6,094 7,5 8,594 9,375 9,844 10 10 10 10 3 - De acordo com os dados da tabela, qual o valor da corrente de saturação IDSS deste JFET? 10 mA. 4 - Como você chegou a esta conclusão? Porque a partir da tensão VDS igual a 4V até 10V o ID manteve-se constante. 5 - Olhando para a tabela, determine para qual valor de VDS que o JFET atinge a saturação. Anote este valor. VDS=4V 6 - Ajuste agora a tensão VDS para 4V. Em seguida varie a tensão VGS conforme a tabela abaixo e anote os valores de ID. (na hora de setar os valores de VGS no simulador, não é necessário colocar o sinal de negativo (-), pois o negativo da fonte já está no Gate). VGS(V) - 0,0 - 0,5 - 1,0 - 1,5 - 2,0 - 2,5 - 3,0 - 3,5 - 4,0 - 4,5 - 5,0 - 10 ID 10 mA

mA

mA

mA

mA

mA

μA

μA

nA

nA

nA

nA 7 - A partir de qual valor de VGS que ID se manteve constante? VGS=4V 8 - Qual o valor de ID neste momento? ID=40nA

9 - Podemos considerar este ID como 0 mA? Sim, pois 40nA é igual a 0.00004mA 10 - Compare o valor de VDS do item 5 com o valor de VGS do item 7. Eles tém alguma coisa em comum? Sim .Qual o nome destes valores no manual do JFET e nos gráficos que nós estudamos? Se VDS for elevado a um valor em que as duas regiões de depleção parecem se “tocar”, surgirá a condição de pinch-off (estrangulamento). O valor de VDS que estabelece essa condição é chamado de tensão de pinch-off, e é denotado por VP. 11 - Encaminhe o link do simulador ou cole aqui. Link: https://tinyurl.com/y5hrmc7x