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Estruturas e processos eletronicos, Notas de estudo de Engenharia de Materiais

aula materiais para engenharia. propiedades eletricas materiais

Tipologia: Notas de estudo

2011

Compartilhado em 23/11/2011

thalita-berti-8
thalita-berti-8 🇧🇷

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Estruturas e Processos
Eletrônicos
Estruturas e Processos
Eletrônicos
Condução Elétrica
Condução Elétrica
Na última aula vimos que uma das importantes características dos materiais é a
capacidade de transportar uma corrente elétrica e que a Lei de Ohm é aquela que
relaciona essa corrente I(ou taxa de transferência de carga) com a voltagem aplicada, V.
Resumindo:
Condução Eletrônica e Iônica
Condução Eletrônica e Iônica
I.RV
l
RA
Uma corrente elétrica resulta do movimento de partículas carregadas eletricamente em
resposta a força elétrica Fel gerada em decorrência da aplicação de um campo elétrico E.
Em alguns materiais sólidos a corrente aumenta a partir do fluxo de elétrons, o qual
passa a ser denominado de condução eletrônica.
Em alguns materiais sólidos a corrente aumenta a partir do fluxo de elétrons, o qual
passa a ser denominado de condução eletrônica.
Em outros materiais sólidos denominados materiais sólidos iônicos, a corrente
aumenta a partir do fluxo de íons, o qual passa a ser denominado de condução iônica.
De qualquer maneira, em todos os condutores, semicondutores e em muitos isolantes,
somente há a ocorrência da condução eletrônica. Sua magnitude depende fortemente
do número de elétrons disponíveis para participar no processo de condução.
Esta teoria é tratada no estudo das Estruturas de Bandas de Energia nos
Sólidos.
Quando os átomos são arranjados dentro de uma estrutura cristalina
ocorre a sobreposição dos níveis de energia que depende da
proximidade dos átomos dentro do arranjo estrutural. Assim este
elétron pode movimentar-se dentro de uma região denominada de
Banda Eletrônica de Energia.
Entretanto, nem todos os elétrons de todos os átomos estão capacitados
para serem acelerados em presença de um campo elétrico. O número de
elétrons com a propriedade de serem acelerados em presença de um
campo elétrico depende do arranjo dos estados eletrônicos, ou seja dos
níveis de energia a qual cada elétron pertence.
Para cada átomo individual existem níveis (1,2,3,4...)de energia discretos que podem
ser ocupados pelos elétrons em determinados subníveis (s,p,d e f). Estes elétrons
ocupam primeiramente os níve is de menor energia e ocupam sucessivamente os
níveis e m ordem crescente de energia, de acordo com o princípio de exclusão de
Linus Pauli.
Energia
Número Quântico Principal, n
A medida que os elétrons das camadas mais externas são retirados dos
seus estados de equilíbrio, ou seja adquirem mais energia, passam a
ocupar bandas de energia, vazias, superiores àquelas que ocupavam.
Adquirem com isso a capacidade de movimentar-se livremente. Estas
bandas vazias são denominadas BANDAS DE CONDUÇÃO.
Por outro lado, as bandas ocupadas pelos elétrons em sua posições de
equilíbrio iniciais, são denominadas de BANDAS DE VALÊNCIA.
Entretanto, não sobreposição entre as duas bandas, e elas são
separadas por um desnível energético denominado de banda “ gap”, que
é definido como um nível de energia a qual um elétron deve superar
para passar para a banda de condução, e somente gerar a condução
elétrica.
Os materiais isolantes apresentam um largo gap” , enquanto para os
semicondutores, este “gap” é menor. Nos materiais metálicos este gap é
inexistente, ou seja uma pequena quantidade de energia é suficiente
para excitar os elétrons de forma que possam passar para um estado
condutor.
Estados preenchidos Estados vazios
életron excitado
Banda “gap
Banda de valência Banda de condução
metais
semicondutores
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Estruturas e Processos

Eletrônicos

Estruturas e Processos

Eletrônicos

Condução ElétricaCondução Elétrica Na última aula vimos que uma das importantes características dos materiais é a capacidade de transportar uma corrente elétrica e que a Lei de Ohm é aquela que relaciona essa corrente I (ou taxa de transferência de carga) com a voltagem aplicada, V. Resumindo:

Condução Eletrônica e IônicaCondução Eletrônica e Iônica

V R. I

l

RA

Uma corrente elétrica resulta do movimento de partículas carregadas eletricamente em resposta a força elétrica Fel gerada em decorrência da aplicação de um campo elétrico E.

Em alguns materiais sólidos a corrente aumenta a partir do fluxo de elétrons, o qual passa a ser denominado de condução eletrônica.

Em alguns materiais sólidos a corrente aumenta a partir do fluxo de elétrons, o qual passa a ser denominado de condução eletrônica. Em outros materiais sólidos denominados materiais sólidos iônicos, a corrente aumenta a partir do fluxo de íons, o qual passa a ser denominado de condução iônica. De qualquer maneira, em todos os condutores , semicondutores e em muitos isolantes , somente há a ocorrência da condução eletrônica. Sua magnitude depende fortemente do número de elétrons disponíveis para participar no processo de condução.

Esta teoria é tratada no estudo das Estruturas de Bandas de Energia nos Sólidos.

Quando os átomos são arranjados dentro de uma estrutura cristalina ocorre a sobreposição dos níveis de energia que depende da proximidade dos átomos dentro do arranjo estrutural. Assim este elétron pode movimentar-se dentro de uma região denominada de Banda Eletrônica de Energia.

Entretanto, nem todos os elétrons de todos os átomos estão capacitados para serem acelerados em presença de um campo elétrico. O número de elétrons com a propriedade de serem acelerados em presença de um campo elétrico depende do arranjo dos estados eletrônicos, ou seja dos níveis de energia a qual cada elétron pertence.

Para cada átomo individual existem níveis (1,2,3,4...)de energia discretos que podem ser ocupados pelos elétrons em determinados subníveis ( s,p,d e f ). Estes elétrons ocupam primeiramente os níveis de menor energia e ocupam sucessivamente os níveis em ordem crescente de energia, de acordo com o princípio de exclusão de Linus Pauli.

Energia

Número Quântico Principal, n

A medida que os elétrons das camadas mais externas são retirados dos seus estados de equilíbrio, ou seja adquirem mais energia, passam a ocupar bandas de energia, vazias, superiores àquelas que ocupavam. Adquirem com isso a capacidade de movimentar-se livremente. Estas bandas vazias são denominadas BANDAS DE CONDUÇÃO. Por outro lado, as bandas ocupadas pelos elétrons em sua posições de equilíbrio iniciais, são denominadas de BANDAS DE VALÊNCIA. Entretanto, não há sobreposição entre as duas bandas, e elas são separadas por um desnível energético denominado de banda “ gap”, que é definido como um nível de energia a qual um elétron deve superar para passar para a banda de condução, e somente gerar a condução elétrica.

Os materiais isolantes apresentam um largo “gap” , enquanto para os semicondutores, este “gap” é menor. Nos materiais metálicos este gap é inexistente, ou seja uma pequena quantidade de energia é suficiente para excitar os elétrons de forma que possam passar para um estado condutor.

Estados preenchidos

Estados vazios

életron excitado

Banda “gap”

Banda de valência

Banda de condução

metais

semicondutores

A condutividade elétrica em semicondutores, pelo visto anteriormente, não é tão grande quanto aquela observada nos metais, entretanto, têm algumas características exclusivas que lhes rendem uma especial colocação dentro da aplicação tecnológica. As propriedades elétricas destes materiais são extremamente dependentes da concentração de impurezas. Os semicondutores puros (Si, Ge,..) são classificados de semicondutores intrínsecos e os que contêm impurezas (dopantes) são chamados de semicondutores extrínsecos

Condutividade elétrica em SemicondutoresCondutividade elétrica em Semicondutores

Em um semicondutor intrínseco , quando um elétron é excitado e passa a ocupar a banda de condução, deixa atrás de si, na banda de valência, um buraco eletrônico. Esta posição vacante tem uma carga positiva (+1,6 x 10-19C). Como conseqüência, a condutividade elétrica em um semicondutor intrínseco é dada por: e^ b

  ne  pe

n e p , correspondem a o no. de buracos e de elétrons e e e b correspondem à mobilidade dos elétrons e dos buracos, respectivamente. e é a carga elementar do elétron.

Um átomo de silício, tem 4 elétrons na última camada de valência, cada um fazendo uma ligação covalente com outro átomo adjacente de Si.

Em geral, todos os semicondutores comerciais são semicondutores extrínsecos. Para ilustrá-los, vamos considerar um semicondutor a base de silício.

Agora suponha que uma impureza de atômica substitucional, com 5 elétrons na camada de valência, do grupo VA da tabela periódica (p, As e Sb), seja adicionada ao Si.

Somente 4 destes 5 elétrons podem participar das ligações com os átomos de Si vizinhos. O elétron extra fica “perdido” , localmente ligado à região por uma atração eletrostática, sem entretanto, estar ligado a nenhum átomo. Assim, ele é facilmente removido do átomo de impureza, tornando-se um elétron livre ou um elétron de condução. Neste caso temos um excesso de elétrons no material ( n>p ). O

semicondutor é denominado semicondutor do tiposemicondutor do tipo nn ..

No caso de termos um excesso de buracos no material ( n>p ). O

semicondutor é denominado semicondutor do tiposemicondutor do tipo pp ..

Este tipo de efeito é exatamente oposto ao mencionado anteriormente. Quando uma impureza, com valência menor àquela dos átomos predominantes na estrutura (o Si, seguindo o exemplo anterior).

O que ocorre neste caso é que há uma deficiência de elétrons na região da ligação covalente, fazendo com que elétrons da banda de valência sejam deslocados para compensar esta falha. Há então a geração de um buraco na banda de valência e estes buracos passam a constituir carregadores que se movem e exercem uma condução do tipo p.

Um diodo é componente eletrônico citado como um clássico exemplo de uma aplicação de semicondutores do tipo n-p. Ele é construído a partir da junção de dois semicondutores, um do tipo- n , conectado, fisicamente a um do tipo- n.

- -^ -

Lado p (^) Lado n