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Relatórios. Laboratório de Circuítos Eletrónicos, engenharia de computação. 2025
Tipologia: Provas
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Não perca as partes importantes!
A prática número 2, representa uma etapa crucial no desenvolvimento de competências no campo da eletrônica. O cerne desta atividade está em atingir dois objetivos inter-relacionados que somados proporcionam um entendimento aprofundado do funcionamento e comportamento de transistores em circuitos eletrônicos. Primeiramente, a prática visa realizar um teste e uma verificação abrangente dos terminais de um transistor, destacando a importância de identificar corretamente cada terminal e compreender suas funções específicas no contexto do dispositivo. Este aspecto é essencial não apenas para a correta integração do transistor em circuitos, mas também para o diagnóstico eficiente de possíveis falhas. Já o segundo objetivo concentra-se na verificação da polarização de um transistor através da aplicação de uma corrente de base constante. Este procedimento, intrinsecamente ligado ao entendimento da estabilidade operacional do transistor, revela insights cruciais sobre seu desempenho em diferentes condições de operação. Ao explorar a polarização por corrente de base constante, estive imerso em uma experiência que vai além da simples aplicação de conceitos teóricos, permitindo uma compreensão mais profunda das nuances práticas associadas ao uso de transistores em circuitos eletrônicos. Para a realização destes experimentos, foram empregados materiais específicos, incluindo um multímetro digital para medições precisas, um transistor BC547 como objeto de estudo, cinco resistores para manipulação controlada da corrente, e uma protoboard para facilitar a montagem e conexão dos componentes. O conjunto destes materiais e a execução das práticas propostas proporcionaram aos participantes uma experiência prática valiosa, consolidando os conhecimentos teóricos e promovendo uma compreensão prática e holística dos princípios fundamentais relacionados ao teste e polarização de transistores.
polarizados. A discussão e análise dos resultados obtidos permitem um entendimento mais profundo dos fenômenos observados. Em posse dos dados e do componente, se fez possível, com a ajuda do multímetro realizar os testes nos terminais do transistor (base, coletor e emissor), e assim conseguindo identificar seu tipo (NPN ou PNP). Obtendo assim conhecimento e dados suficientes para fazer o item b da prática, que requer um desenho identificando os pinos dos transistores, que se pode ver na Figura 1. Por fim pode-se fazer a verificação e comparação dos dados coletados e os dados do Datasheet requisitados nesse último item dos Procedimentos 1:
Sabendo o IB pode-se encontrar o RB, com a seguinte fórmula:
Também podemos encontrar o RC com a fórmula:
Agora temos todos os valores para avançarmos para os próximos dois itens, que são montar o circuito, medir e anotar no quadro valores de IB, IC, IE, VBE, VCE e VCB, para os três resistores RB, utilizando os resistores comerciais adotados no item anterior. Devo fazer algumas observações, pois para montar o circuito foi preciso utilizar 2 resistores de 1 kΩ em paralelo, e assim conseguir os 500 Ω do RC. Fora isso, foi utilizado um resistor de 100 kΩ para o RB. (^) Podendo ser observado na Figura 3:
Além desse circuito, nos itens posteriores foi pedido mais dois com resistências de valores distintos. Mas antes devo informar algumas observações, para atingir o RB de 5,6kΩ requisitado foram utilizados dois resistores, um de 4,7 kΩ e outro de 1 kΩ em série, que gerou uma resistência muito próxima de 5,6kΩ. Já no RB de 10 MΩ foi utilizado o resistor próprio mesmo como se pode observar nas imagens. E com todos esses dados coletados consegui preencher a tabela da maneira correta, com valores mais aproximados possíveis: Tabela 1 – Dados obtidos dos três circuitos diferentes RB IB(mA) IC(mA) IE(mA) VBE(V) VCE(V) VCB(V) β = (IC/IB) adotado 0,093 19,012 18,629 0,724 0,304 0,417 204, 5k6Ω 1,646 19,919 21,539 0,765 0,052 0,712 12, 10MΩ 0,0007 0,282 0,262 0,938 9,991 9,147 402, Esta etapa envolveu o dimensionamento do circuito de polarização, considerando valores comerciais para os resistores RB e RC. Sendo os cálculos realizados para encontrar os valores de IB, RB e RC cruciais para estabelecer as condições ideais de operação do transistor no circuito proposto. A observação prática durante a montagem do circuito revelou a necessidade de utilizar dois resistores de 1 kΩ em paralelo para alcançar a resistência desejada de 500 Ω para RC. O resistor de 100 kΩ foi adotado para RB. Essas escolhas práticas foram fundamentais para garantir a viabilidade da implementação.
A prática de teste e polarização de transistores representou um marco no desenvolvimento de competências no campo da eletrônica. Ao realizar experimentos com o transistor BC547 em diferentes configurações, foi possível consolidar conhecimentos teóricos e adquirir uma compreensão prática dos princípios fundamentais. A análise dos resultados revelou a influência direta da polarização na operação do transistor, evidenciando claramente as regiões de ativação, saturação e corte. A comparação dos dados experimentais com as especificações do Datasheet proporcionou uma verificação precisa do desempenho do componente em condições específicas. Destaca-se a importância da escolha adequada dos resistores de polarização (RB e RC), pois esses componentes desempenham um papel crucial na estabilidade e eficiência do transistor. A prática permitiu compreender como diferentes valores de resistores impactam nas correntes e tensões do circuito, influenciando diretamente as características operacionais do transistor. Em síntese, a experiência prática ofereceu uma compreensão mais profunda das nuances associadas ao uso de transistores em circuitos eletrônicos. A integração entre teoria e prática contribuiu significativamente para o desenvolvimento de habilidades essenciais no campo da eletrônica, preparando os participantes para desafios mais avançados e aplicações futuras. 5 - REFERÊNCIAS Boylestad, R. L. 2013. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. 11ª ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall. MARQUES, ÂNGELO EDUARDO BATTISTINI et al. Dispositivos Semicondutores Diodos e transistores. Saraiva Educação SA, 1997. Joaquim, M. B. 2004. Laboratório de Circuitos Eletrônicos I. São Paulo: Escola de Engenharia de São Carlos - USP.
Imagens obtidas nas simulações. Figura- 1 Figura- 2
