UNIVERSIDADE FEDERAL RURAL DE PERNAMBUCO (UFRPE)
Unidade Acadêmica de Belo Jardim (UABJ)
Lista de Exercícios – Dispositivos Semicondutores
1. Como a aproximação de um grande número de átomos para formar um cristal altera os
níveis discretos de energia dos elétrons isolados?
2. O que, do ponto de vista da estrutura de bandas, define se um material é classificado
como condutor, isolante ou semicondutor?
3. De que maneira o aumento da temperatura afeta a condutividade de metais e de
semicondutores de formas opostas?
4. Qual é o papel das ligações covalentes e do compartilhamento de elétrons na estrutura de
um cristal puro de silício (Si)?
5. Como se comportam a banda de valência e a banda de condução de um semicondutor
intrínseco no zero absoluto (0 K)?
6. O que representa o conceito de massa efetiva (m*) e como a curvatura das bandas de
energia influencia o movimento dos elétrons?
7. Quais são as impurezas utilizadas para criar um material do tipo n e como elas alteram a
concentração de portadores?
8. Como se forma um material do tipo p e qual é o seu portador de carga majoritário?
9. Por que a medição da tensão Hall é considerada uma ferramenta fundamental para a
caracterização de materiais semicondutores?
10. Descreva o processo de difusão que ocorre quando os materiais tipo p e tipo n são
unidos para formar uma junção.
11. O que é a região de depleção (ou zona de carga espacial) e por que nela restam apenas
íons não compensados?
12. Como o campo elétrico na junção p-n atua em relação ao fluxo de difusão de portadores
e o que define o potencial de contato (V0)?
13. (V/F) Num semicondutor intrínseco, a concentração de elétrons na banda de condução é
exatamente igual à concentração de lacunas na banda de valência.
14. (V/F) O processo de dopagem tipo p consiste na introdução de átomos pentavalentes
(com 5 elétrons de valência), como o Fósforo, no cristal de Silício.
15. (V/F) Quando um diodo está em equilíbrio térmico (sem tensão aplicada), a corrente
