Propriedades elétricas de Semicondutores, Manuais, Projetos, Pesquisas de Dispositivos Semicondutores

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Semicondutores

Tipos

 Intrínsecos (Si, Ge e compostos

estequiométricos 1:1)

 Extrínsecos ( intrínsecos dopados)

 Compostos (com 2 ou mais elementos)

 Amorfos (Si para células solares)

Origem da banda de valência cheia

Estrutura Cristalina

Diamante

Ligações Covalentes

silício (^) germânio

Condutividade em

Semicondutores Intrínsecos

Propriedades elétricas de semicondutores intrínsecos

(elementares) em temperatura ambiente

Condutividade em

Semicondutores Intrínsecos

 

  

     2 kT

E exp

g 0

Inclinação = k

Eg 2



 

  

     2 kT

E exp

g 0

Tabela Periódica

http://slideplayer.com.br/slide/3627815/

In  IIIA

 São semicondutores intrínsecos , Si e Ge dopados com

elementos das:

• Colunas IIIA (Al,Ga,In) - nível extra de aceitadores (Ea)

Tipo-p – excesso de buracos

Ea

Banda de condução

Banda de valência

Nível de Fermi

• Nível extra de energia (buracos)
• Nível de Fermi deslocado para baixo

Condutividade em

Semicondutores Extrínsecos

 

  

     kT

E 0 exp^ a

Tipo-p

Inclinação = k

Eg 2  Comportamento intrínseco

Intervalo de saturação

Comportamento extrínseco

Inclinação = k  Ea

Semicondutores Extrínsecos –

Propriedades I

Alguns semicondutores extrínsecos (elementares)

Dopante!

Semicondutores Extrínsecos –

Propriedades II

Energias dos níveis de impureza em semicondutores extrínsecos

Escala de energia

 Combinação de elementos das colunas IIIA-VA, IIB-VIA 

ligações covalentes e iônicas

 São intrínsecos

 Desvio da proporção 1:1 gera um semicondutor extrínseco

Semicondutores Compostos

Variação do tamanho do gap e

semicondutores compostos

 componente iônica da ligação

 gap

 número atômico   gap

 número atômico   gap

ou