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Guias e Dicas
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A.Microprocessadores trabalho laboratorial, Trabalhos de Eletrônica

trabalho laboratorial interface do MPU 6800 com RAM e ROM

Tipologia: Trabalhos

2015

Compartilhado em 19/08/2015

Pauloubisse
Pauloubisse 🇨🇱

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Escola Superior de Ciências Náuticas
Departamento de Rádio
Engenharia Electrónica e Telecomunicações
Cadeira:
Turma: 3R/12 Diurno
Discentes: Docente:
Bacar Muhorro Engº. Elso Guilengue
Helénio Lewane
Luís Maria Marcos
Olinda Matola
Paulo Pedro Ubisse
Vânia Helena A. Brito
Maputo, Novembro de 2014
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Escola Superior de Ciências Náuticas Departamento de Rádio Engenharia Electrónica e Telecomunicações Cadeira : Turma : 3R/12 – Diurno

Discentes : Docente :

Bacar Muhorro Engº. Elso Guilengue

Helénio Lewane

Luís Maria Marcos

Olinda Matola

Paulo Pedro Ubisse

Vânia Helena A. Brito

Maputo, Novembro de 2014

Índice Página

3 Equipamento necessário  Um kit Trainer microprocessador;  Multímetro.

4 Material necessário  Uma resistência de 1000 Ohm, ¼-watt, 10% de tolerância;  Um botão de pressão (chave);  Um circuito integrado 7400;  Um circuito integrado 74126;  Um circuito integrado 74LS30;  Um circuito integrado 74LS27;  Dois Circuitos integrados 2114;  Fios condutores e ou fios de ligação;  Alicates de corte.

4.1 Descrição dos materiais  CI 7400 – é um circuito integrado com quatro portas logicas NAND;  CI 74126 – é um buffer de 3 estados que permite isolar as dados quando a memoria esta no seu modo de leitura;  CI 74LS30 – é uma porta logica NAND com 8 entradas e uma saída;  CI 74LS27 – é um CI com 3 portas logicas NOR de entrada tripla e uma saída;  CI 2114 – é uma memória RAM de 4 bits que permite endereçar 256 localizações de memória.

Parte I

5 Experiência 1 O diagrama do circuito abaixo ilustra a montagem de um circuito de memória ,onde é ligado o CI 2114 juntamente com um CI buffer de 3 estados, um CI de 4 portas NAND e uma chave/ interruptor. No mesmo circuito, são usados os blocos de conectores de LED, e blocos de conectores de dado binário, bem como as tensões de alimentação e o aterramento apartir do Kit Trainer do microprocessador.

Fig.1. Diagrama de circuito de memória.

5.2 Análise de resultados experiência 1 Dada a tabela da figura abaixo, faz-se a analise do comportamento do circuito de memória.

Fig.2. Tabela para armazenamento de dados na memória.

Para a manipulação do circuito de memoria com as informações binárias contida na tabela, usa- se o bloco de conectores de dado binário do kit Trainer , onde os primeiros 4 interruptores (0-3) controlam os dados, e os restantes 4 interruptores (4-7) controlam os endereços.

Após a ligação do Trainer , ao posicionar-se os 4 interruptores de endereços para 00002 e os 4 interruptores de dados para 00002 e pressionar-se o o botão de pressão que faz com que nos pinos (10) do CI 2114, e pinos (1 e 2) do CI 7400 tenha-se um nível logico “ 0 ” Baixo, e na sua saída ou pino (3) obtenha-se um nível logico alto que por sua vez habilita o buffer, faz com que o conteúdo/ dados 00002 do endereço 00002 seja armazenado na memória e verificou-se o apagamento de todos os LED’s que inicialmente estavam ligados.

Ao selecionar um outro endereço, por exemplo 00102 , e posicionar os dados para (^00102) verificou-se um valor qualquer que é produzida pela fonte ligada. Ou seja sem pressionar o interruptor R/W faz com que nos pinos (10) do CI 2114, e pinos (1 e 2) do CI 7400 tenha-se um nível logico “ 1 ” Alto, e na sua saída ou pino (3) obtenha-se um nível logico baixo e não habilita

o buffer. Desta forma o circuito encontra-se no modo de leitura, e o dado do endereço 00102 , só é armazenado após pressionar o interruptor R/W, que faz com que o LED-5 acenda.

Ao colocar-se toda a informação binária contida na tabela, isto é armazenar cada dado no seu endereço correspondente, e em seguida verificar ou fazer a leitura de cada dado lá armazenado, verificou-se o acendimento dos LED’s correspondente. Por exemplo, examinando o endereço 10112 , verificou-se o acendimento do LED-(7,5 e 4).

Foi possível também verificar que ao desligar-se a fonte de alimentação e retornar a ligar e fazer o modo de leitura do circuito de memória os dados introduzidos pela tabela perdiam-se, ou seja a memória é volátil.

Parte II

6 Experiência 2 Na segunda experiência a montagem do circuito de memória são usados dois CI’s 2114, um CI 7400 onde são aproveitados duas de suas 4 portas logicas NAND, um buffer de 3 estados, interruptor R/W, blocos de conectores de dados binários e blocos de conectores de LED onde são aproveitados mais dois LED’s (0 e 1).

Fig.3. Experiência de circuito de memória usando dois CI’s 2114.

Ao manipular o interruptor de controle de endereços e selecionar-se os endereços de ( 0000201112 ), o que faz com que o segundo CI 2114 seja selecionado, pois no seu pino de entrada de seleção tem-se o nível logico baixo e no pino de saída (6) da porta logica NAND que está ligado a linha 0 do bloco de conectores de LED tem-se o nível logico alto. Dai verificou-se o acendimento do LED- 0 no qual indica que o segundo CI 2114 foi selecionado.

Ao armazenar os dados na segunda memória, através do interruptor de controle de dados e efectuar-se o processo de leitura verificou-se o acendimento dos LED (4-7) consoante os dados lá armazenados. Por exemplo ao selecionar-se o endereço 01002 no interruptor de controle de endereços e 01012 através do interruptor de controle de dados e pressionar o botão de pressão R/W, faz com que esse dado seja armazenado no endereço selecionado. Ao efectuar a leitura neste mesmo endereço, verificou-se o acendimento dos LED ( 0,4, e 6).

Ao selecionar-se os endereços ( 1000211112 ), o que faz com que os pinos e entrada (4 e 5) da porta logica NAND que estão ligados a linha 1 do bloco de conectores de LED estejam no nível logico alto, e o pino de saída (6) da mesma porta logica que está ligado ao pino de chip de seleção (8) do primeiro CI 2114, passam para o estado logico baixo, dai esta mesma memoria é selecionada. Verificou-se então o acendimento do LED-1, no qual indica que o primeiro CI 2114 foi selecionado.

O processo de modo de leitura e ou escrita é o mesmo com o descrito anteriormente, diferindo só no acendimento do LED responsável pela indicação de qual dos CI foi selecionado.

Nota:

  • Primeiro CI 2114 => CI- 3 na figura 3.

  • Segundo CI 2114 => CI- 4 na figura 3.

Parte III

7 Experiência 3 ( Interface com o microprocessador ) Na experiência 3 o circuito de memória consiste na utilização de dois CI 2114, um CI 74LS30, um CI 74LS27 e um CI 7400, que são montados no bloco de conectores do microprocessador e faz-se o interface deste circuito de memória com o próprio microprocessador como mostra a figura abaixo.

Fig.5. Diagrama de circuito de memória experiência 3 ( interface com MPU ).

Ao trocar o conteúdo do endereço (0800 16 ) por exemplo, que esta acima do possível para esta memória, pois este endereço faz com que na linha de endereço A 10 , tenha o bit 0, que fará com que na saída ou no pino (8) da porta logica NAND CI 74LS30 tenha-se nível logico alto, por conseguinte nenhuma memoria é selecionada pois as entradas dos chips de seleção são sensíveis ao estado logico baixo. Ao armazenar-se um certo conteúdo neste endereço e em seguida pressionar a tecla FWD, depois pressionar a tecla BACK do Trainer , verificou-se que este valor ou conteúdo que foi inicialmente guardado não é retido na localização de memória ou seja perde- se.

Ao trocar os fios de ligação das linhas de dados (D 7 e D 6 ) , o que faz com que o bit “0”da linha 6, passe para a linha 7 e o bit “1” da linha 7 passe para a linha 6. Ao pressionar a tecla FWD e depois BACK, verificou-se que o conteúdo visualizado na tela passou a ser 6A 16 (0110 1010 2 ). Ao retornar os fios de ligação as suas posições iniciais e em seguida pressionar as teclas FWD e BACK, verificou-se o conteúdo original ou inicialmente introduzido AA 16 (1010 1010 2 ).

7.2.1 Análise dos resultados do programa No programa da figura abaixo faz-se o exame do conteúdo nas localizações de memória desde os endereços (0400 16 – 07FF 16 ) , de tal forma que quando o conteúdo A5 16 , é armazenado e em seguida fazer o exame desde o endereço (0400 16 – 07FF 16 ) , verificou-se que este encontra-se armazenado lá. Ao trocar este conteúdo para 5A 16 por exemplo, no endereço (0004 16 ) e em seguida efectuar a examinação da memoria apartir dos endereços (0400 16 – 07FF 16 ) , verificou-se a presença deste conteúdo nas localizações de memória.

Fig.6. Lista de dados do programa da experiência 3.

8 Conclusões De modo geral, findo o trabalho laboratorial foi possível em cada realização das experiência do circuito de memória, observar o seu comportamento quando este está em interação com os circuitos do Trainer bem como quando este é conectado directamente com o microprocessador, de tal forma que os objectivos estabelecidos no inicio do trabalho foram concretizados.

  • 1 INTRODUÇÃO
  • 2 OBJECTIVOS.........................................................................................................................
    • 2.1 Objectivo geral
    • 2.2 Objectivos específicos
  • 3 Equipamento necessário..........................................................................................................
  • 4 Material necessário
    • 4.1 Descrição dos materiais
  • 5 Experiência
    • 5.1 Descrições gerais
    • 5.2 Análise de resultados experiência
  • 6 Experiência
    • 6.1 Descrições gerais
    • 6.2 Análise de resultados experiência
  • 7 Experiência 3 ( Interface com o microprocessador )
    • 7.1 Descrições gerais
    • 7.2 Análise de resultados experiência
      • 7.2.1 Análise dos resultados do programa
  • 8 Conclusões
  • 9 Anexos
  • 10 Bibliografia
  • b) Circuito integrado 74LS
  • c) Circuito integrado
  • d) Circuito integrado
  • e) Circuito integrado

10 Bibliografia  https://www.google.co.mz/search?q=all+data+sheet+7400&newwindow=1&tbm=isch&t bo=u&source=univ&sa=X&ei=cTNWVK7uL6SS7AaiyIHYCg&ved=0CDIQsAQ&biw= 1366&bih=705#facrc=&imgdii=&imgrc=rxpzJkj0xO5RJM%253A%3BeLmsbu2nz2L 3EM%3Bhttp%253A%252F%252Fdenethor.wlu.ca%252Fpc120%252Fimages%252F 00pin.gif%3Bhttp%253A%252F%252Fdenethor.wlu.ca%252Fpc120%252FIC_intro.sht ml%3B309%3B  http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/51031/FAIRCHILD/74126.html  http://www.futurlec.com/74LS/74LS30.shtml  http://www.futurlec.com/74LS/74LS27.shtml  http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/7/4/0/0/7400.shtml  http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/51031/FAIRCHILD/74126.html  http://www.datasheetdir.com/NTE2114+SRAM