UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO NORTE
ESCOLA DE CIÊNCIAS E TECNOLOGIA
BACHARELADO EM CIÊNCIAS E TECNOLOGIA
ELETRÔNICA
EXPERIMENTO N° 1
CIRCUITOS COM DIODOS
Dhiogo Pinheiro Boza
Evandro Carlos Barbosa dos Santos
Natal/RN
2014
1. Introdução
Prepare-se para as provas
Estude fácil! Tem muito documento disponível na Docsity
Ganhe pontos para baixar
Ganhe pontos ajudando outros esrudantes ou compre um plano Premium
Guias e Dicas
Prepare-se para as provas
Estude fácil! Tem muito documento disponível na Docsity
Encontrar documentos
Prepare-se para as provas com trabalhos de outros alunos como você, aqui na Docsity
Encontra documentos específicos para os exames da tua universidade
Encontra documentos específicos para os exames da tua universidade
Videoaulas
Prepare-se com as videoaulas e exercícios resolvidos criados a partir da grade da sua Universidade
Quiz
Responda perguntas de provas passadas e avalie sua preparação.
Ganhe pontos para baixar
Ganhe pontos ajudando outros esrudantes ou compre um plano Premium
Atividade Experimental com Diodos, Exercícios de Circuitos Elétricos
Relatório de aula prática com diodos.
Tipologia: Exercícios
2014
1 / 7
Esta página não é visível na pré-visualização
Não perca as partes importantes!
Documentos relacionados
Pré-visualização parcial do texto
Baixe Atividade Experimental com Diodos e outras Exercícios em PDF para Circuitos Elétricos, somente na Docsity!
UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO NORTE
ESCOLA DE CIÊNCIAS E TECNOLOGIA
BACHARELADO EM CIÊNCIAS E TECNOLOGIA
ELETRÔNICA
EXPERIMENTO N° 1
CIRCUITOS COM DIODOS
Dhiogo Pinheiro Boza
Evandro Carlos Barbosa dos Santos
Natal/RN
1. Introdução
O diodo é um dispositivo eletrônico semicondutor que apresenta características semelhantes às de uma simples chave. Ele conduz corrente no sentido definido pela seta no símbolo e age como um circuito aberto para qualquer tentativa de estabelecimento de corrente no sentido oposto.
Figura SEQ Figura * ARABIC 1: Representação gráfica de um diodo
O diodo semicondutor é formado pela união de material do tipo n e p. Esses materiais são geralmente constituídos de silício ou germânio submetidos ao processo de dopagem, que consistem em adicionar impurezas específicas para se obter determinada configuração. Nos matérias do tipo n são acrescentadas impurezas de cinco elétrons de valência (átomos doadores). Já nos do tipo p são adicionadas impurezas com três átomos de valência (átomos aceitadores).
Quando os materiais são unidos os elétrons e as lacunas da região de junção se combinam, resultando em uma ausência de portadores livres na região próxima a junção. Essa região é chamada de “região de depressão”.
Figura SEQ Figura * ARABIC 2: Junção p-n de diodo
Quando o lado p (ânodo) do diodo é ligado no polo positivo da fonte, tem-se a polarização direta, onde há a condução de corrente. Quando o lado n (cátodo) é ligado no polo positivo da fonte, tem-se a polarização reversa, onde não há condução de corrente.
Figura 5: Circuito do experimento 1
O circuito consiste em um gerador de tensão, um diodo 1N4004, e quatro resistores de 2,2K Ohm em paralelo resultando em um equivalente de 550 Ohm.
Inicialmente medimos a resistência do diodo reversamente, e obtivemos uma resistência infinita, ou seja, verificamos a propriedade do diodo de não conduzir corrente polarizado reversamente.
Em seguida ajustamos diferentes valores para o gerador de tensão e efetuamos a medição dos valores de corrente e tensão no diodo, com esses dados obtivemos o seguinte gráfico da corrente no diodo relacionado com tensão no diodo.
Figura 6: Gráfico da tensão e corrente no diodo
Podemos observar o formato característico da curva tensão x corrente de um diodo. Observamos também que a partir de 0,5 V já foi constatado corrente no diodo, porém foi uma corrente desprezível, foi somente a partir de 0,7V que o diodo começou a realmente conduzir corrente, o que era esperado teoricamente.
Após isso, o diodo foi polarizado reversamente e foram realizadas as mesmas medições e foram obtidos valores de corrente igual a zero para todas as tensões, o que também está de acordo com o conhecimento teórico. Baseado no conteúdo didático, sabemos que existe uma corrente de saturação reversa, porém ela é da ordem de micro ampères, impossibilitando a sua detecção pelos equipamentos disponíveis no laboratório.
Pelos valores de tensão e corrente no diodo, podem ser obtidos diferentes valores de resistência pela equação V = R *I. Essa variação de resistência ocorre, pois em um diodo é uma função da temperatura e da tensão aplicada nele.
Atividade 2
Na atividade 2 montamos o seguinte circuito:
Figura 7: Circuito do experimento 2
Foram aferidas as tensões no voltímetro V para diferentes posições das chaves A e B. Os seguintes dados foram obtidos:
A B Voltímetro 1 1 0,606 V 1 2 0,652 V 2 1 0,628 V 2 2 5,0 V
Na primeira medição, com as duas chaves na posição 1, temos 0,7 V de tensão calculados teoricamente:
5V – 1K * I – 0,7V = 0 (Onde 0,7V é a tensão do diodo)
Figura 9: Resultado da simulação no osciloscópio