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Memórias e Registradores: Latch, Flip-Flop e Organização de memórias
Tipologia: Notas de aula
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Não perca as partes importantes!
FLOYD^ T.^ “Sistemas
Digitais^ –^ Fundamentos
e
Sala: 217.
Elementos de Memória: Latches e Flip-Flops
AULA-^
-^ Ópticos:^ CD-ROM, DVD, entre outros; •^ Semicondutores:
UFSJ – CAP© Edgar C. Furtado
Elementos de Memória: Latches e Flip-Flops
S et^ R eset^
Qanterior^ Qfinal 0 0 0
Mantêm Tabela Verdade AULA-^ UFSJ – CAP© Edgar C. Furtado
Qfinal=0 Qfinal=1 Não Permitido:Indeterminado
Elementos de Memória: Latches e Flip-Flops
AULA-^ Portas AND: Função Habilitar OperaçãoUFSJ – CAP© Edgar C. Furtado
QS 0 AND QS (^0) QS: Qualquer Sinal
Elementos de Memória: Latches e Flip-Flops
UFSJ – CAP© Edgar C. Furtado
Quando^ a^ entrada
de^ CLOCK está ativa, o^ latch
é considerado aberto ,^ e^ o^ valor
da^ saída^ Q torna-se o valor da entrada
ou^ seja,^ é
um^ elemento BIESTÁVEL ASSINCRONO!
Quando^ a^ entrada
de^ CLOCK muda^ de^ estado
(borda^ de subida ou de descida), o valor dasaída^ Q^ torna-se
o^ valor^ da entrada^ D ,^
mantendo-se^
até uma possível mudança em outro CLOCK , ou seja, é um elemento BIESTÁVEL SÍNCRONO
Elementos de Memória: Latches e Flip-Flops
descida do CLOCK AULA-^ D C1 Q1C2 Q2UFSJ – CAP© Edgar C. Furtado
Memória Baseada em Semicondutores
Designações:16 X 416 nibbles Capacidade:
Designações:64 X 164 bitCapacidade: AULA-^ Designações:8 bits X 8 bits ou 8 X 88 bytesCapacidade:64 bitsUFSJ – CAP© Edgar C. Furtado
Capacidade: 64 bits^
64 bits Célula: 1bit.Endereço: Linha 16, Coluna 4.
Memória Baseada em Semicondutores
Designações:8 X 8 X 8 64 bytes AULA- Linha UFSJ – CAP© Edgar C. Furtado Coluna
64 bytes Capacidade:512 bits Célula: 8bits.Endereço: Linha 7, Coluna 8.
Operações Básicas na Memória Em geral, oendereço éfornecido na^ instrução.
AULA-^ instrução. 1 – Código de endereçamento 101 é colocado no barramento de endereço edecodificado;2 – A palavra é disponibilizada no barramento de dados;3 – A palavra é armazenada (escrita) no endereço 5 da memória.UFSJ – CAP© Edgar C. Furtado
Operações Básicas na Memória^ AULA- 1 – Código de endereçamento 011 é colocado no barramento de endereço edecodificado;2 – A palavra é disponibilizada no barramento de dados;3 – A palavra é lida no endereço 3 da memória.UFSJ – CAP© Edgar C. Furtado
Organização de uma memória
AULA-^ UFSJ – CAP© Edgar C. Furtado
Memória^ particionada
em^4 setores de 1024 bits:RAS –^ Row Access Strobe CAS –^ Column Access Strobe CS –^ Chip Select
WE –^ Write Enable
OE –^ Output Enable
Elementos de três estados e Barramentos
AULA-^ UFSJ – CAP© Edgar C. Furtado
O^ elemento^
de^ três estados é simbolizadospor^ ∇^ ou
-^ memória^
Memórias RAM AULA-^
Memórias RAM
AULA-^ UFSJ – CAP© Edgar C. Furtado
