Docsity
Docsity

Prepare-se para as provas
Prepare-se para as provas

Estude fácil! Tem muito documento disponível na Docsity


Ganhe pontos para baixar
Ganhe pontos para baixar

Ganhe pontos ajudando outros esrudantes ou compre um plano Premium


Guias e Dicas
Guias e Dicas


Junção PN e suas funcionalidades, Resumos de Engenharia Elétrica

Explica, sobre junções pn dos diodos

Tipologia: Resumos

2019

Compartilhado em 10/08/2019

jeff-the-killer-1
jeff-the-killer-1 🇧🇷

5

(1)

5 documentos

1 / 1

Toggle sidebar

Esta página não é visível na pré-visualização

Não perca as partes importantes!

bg1
Junção PN (diodo de junção) (início da página)
Se um semicondutor tipo P é colocado junto a um do tipo N,
na região de contato, chamada junção, haverá a formação de
uma barreira de potencial.
Lembrar que, no estado normal, o semicondutor é
eletricamente neutro pois os átomos tanto do semicondutor
quanto da impureza têm iguais números de elétrons e
prótons.
Na junção, os elétrons portadores da parte N tendem a
ocupar buracos na parte P, deixando esta com um potencial
negativo e a parte N com um potencial positivo e, assim,
formando uma barreira potencial Vo. Assim, a polaridade da
barreira de potencial mantém os elétrons na parte N e os
buracos na parte P (Fig 8 A).
Se um potencial externo V > Vo for aplicado conforme Fig 8
B, o potencial de barreira será quebrado e a corrente elevada
pois existem muitos elétrons em N. Diz-se então que a
junção está diretamente polarizada.
No caso de inversamente polarizada, Fig 8 C, o potencial de
barreira será aumentado, impedindo ainda mais a passagem
de elétrons e a corrente será pequena.
Este conjunto, chamado diodo de junção, funciona como um
retificador. Na Fig 9 uma curva típica (não em escala) e o seu
símbolo.
Notar que, acima de um pequeno valor de polarização direta,
a corrente aumenta bastante, na realidade de forma
exponencial, dada por: I = C e-e(Vo-V)/kT. Onde C é uma
constante que depende da junção, k a constante de
Boltzmann e T a temperatura absoluta.
A polarização inversa tem limite. Acima de um determinado
valor ocorre o efeito avalanche, rompendo a barreira de
potencial e a corrente sobe quase na vertical. Este fato é
usado em reguladores de tensão (diodos zener).
A Fig 9.1 mostra a parte inicial da polarização direta de um
diodo no qual a concentração de impurezas nas partes P e N
é muito grande.
Nesta condição, a região efetiva de junção será muito estreita
e alguns elétrons podem pular a barreira de potencial,
resultando em diminuição da corrente com o aumento da
tensão em uma determinada faixa.
Isto é chamado efeito túnel e diodos assim construídos são
ditos diodos túnel.
Diodos túnel são componentes muito úteis para circuitos
osciladores simples e de alta freqüência

Pré-visualização parcial do texto

Baixe Junção PN e suas funcionalidades e outras Resumos em PDF para Engenharia Elétrica, somente na Docsity!

Junção PN (diodo de junção) (início da página)

Se um semicondutor tipo P é colocado junto a um do tipo N, na região de contato, chamada junção, haverá a formação de uma barreira de potencial. Lembrar que, no estado normal, o semicondutor é eletricamente neutro pois os átomos tanto do semicondutor quanto da impureza têm iguais números de elétrons e prótons. Na junção, os elétrons portadores da parte N tendem a ocupar buracos na parte P, deixando esta com um potencial negativo e a parte N com um potencial positivo e, assim, formando uma barreira potencial Vo. Assim, a polaridade da barreira de potencial mantém os elétrons na parte N e os buracos na parte P (Fig 8 A). Se um potencial externo V > Vo for aplicado conforme Fig 8 B, o potencial de barreira será quebrado e a corrente elevada pois existem muitos elétrons em N. Diz-se então que a junção está diretamente polarizada. No caso de inversamente polarizada, Fig 8 C, o potencial de barreira será aumentado, impedindo ainda mais a passagem de elétrons e a corrente será pequena. Este conjunto, chamado diodo de junção, funciona como um retificador. Na Fig 9 uma curva típica (não em escala) e o seu símbolo. Notar que, acima de um pequeno valor de polarização direta, a corrente aumenta bastante, na realidade de forma exponencial, dada por: I = C e-e(Vo-V)/kT. Onde C é uma constante que depende da junção, k a constante de Boltzmann e T a temperatura absoluta. A polarização inversa tem limite. Acima de um determinado valor ocorre o efeito avalanche, rompendo a barreira de potencial e a corrente sobe quase na vertical. Este fato é usado em reguladores de tensão (diodos zener). A Fig 9.1 mostra a parte inicial da polarização direta de um diodo no qual a concentração de impurezas nas partes P e N é muito grande. Nesta condição, a região efetiva de junção será muito estreita e alguns elétrons podem pular a barreira de potencial, resultando em diminuição da corrente com o aumento da tensão em uma determinada faixa. Isto é chamado efeito túnel e diodos assim construídos são ditos diodos túnel. Diodos túnel são componentes muito úteis para circuitos osciladores simples e de alta freqüência