Baixe Relatorio 2 e outras Provas em PDF para Engenharia Elétrica, somente na Docsity!
Conteúdo
- Objetivos........................................................................................................................................
- Materiais Utilizados.......................................................................................................................
- Procedimento Experimental...........................................................................................................
- Conclusão.....................................................................................................................................
Objetivos
Estudar as características do transistor NMOS de canal n do tipo intensificação (VMOS).
Procedimento Experimental.
O transistor utilizado foi 2N7000KL VMOS de canal n que tem a seguinte pinagem mostrada na fig. 1 e o seu modelo na fig. 2:
Fig. 2 Modelo transistor 2N7000KL
Neste transistor temos três pinagens: S, G e D.
A pinagem S é a fonte;
A pinagem D é o Dreno;
A pinagem G é o Gate ou a porta.
1. Curva de Transcondutância
Utilizando o proto-board, montamos o circuito da fig. 3 para colher dados de corrente e tensão a ponto de se levantar a curva de transcondutância.
A tab. 2 temos o V GS associado à corrente ID de valor 10μA. O valor do VGS corresponde a tensão limiar V t
ID (μA) – Teórico ID (μA) - Experimental V GS (V) Vt (V) 10 9.68 1.35 1.
Tab. 2 Valor da tensão limiar Vt.
Com os dados da Tab. 1 esboçamos o gráfico ID x V GS que representa o levantamento da curva de transcondutância do transistor.
Graf. 1 Curva de Transcondutância.
A partir do ponto A(ID , VGS ) , para ID = 10 (μA) e VGS= 2.06 (V) calculamos o valor de , onde
I D (mA) V GS (V) V t(V) 10 2.06 1.35 19.
Tab. 3 com o valor de K.
Agora a partir dos valores coletados de V t e de K obtemos a equação da corrente de Dreno I D.
VGS
mA
2. Circuito de Polarização
Para este experimento montou-se o circuito da figura 4.
Tab. 4 Medidas da corrente e tensão.
Com os dados da tabela concluímos o valor da transcondutância Gm como sendo
Com isso temos de encontrar o valor de K
Então o valor de nossa transcondutância com K= 0.11 será
Agora, calculamos o valor teórico de Gm a partir do valor calculado de do item anterior
3. Seguidor Fonte com MOSFET (AC)
Para este experimento utilizou-se o circuito seguidor fonte da figura 5.
Fig. 5 Seguidor de Fonte com VMOS
Com os instrumentos de medição encontramos o ganho de tensão
(mV)
Tab. 5 Ganho de tensão de saida
A forma de onda do circuito está na fig. 6.
Fig. 7 Forma de onda da impedância de entrada.
Com o auxilio do potenciômetro de resistência interna de 100Ω medimos a impedância de saída Zo
Z o (Ω)
23,
Tab. 7 Impedância de Saída
Fig. 8 Forma de onda da impedância de entrada.
