Vista previa parcial del texto
¡Descarga formulari parcial y más Ejercicios en PDF de Física solo en Docsity!
CONSTANTES CAMPO, FUERZA, FLUJO Y POTENCIAL ELÉCTRICO =kq la es E TRABAJO Y ENERGÍA A=QUL [Cita] =Q$ [Ci] p=Q7 | CIRCUITOS RC [FJ [Nc] M 0 ELECTROCINÉTICA a] Tt=k PisVRh ul y =P.P Circuito de Carga Cra ño Circuito de Descarga RO) Serie: CONDUCCIÓN ELÉCTRICA T=dq/di [a] | =[JdS=0qus [Al | | (de S=nqv=05E [Am] | | R=pL'S=L'9 [0] p=U5 1] 1.0 ELECTROESTATICA : 2.09 ELECTROCINETICA : 3.0 ELECTRONICA : 3.4 MOSFET enriq ent: Q = cárrega; e = energia Q = Ne on Ni= int E(p) = F/go N/C 7 E(p) E] + lil=]3]= 1 [v] = sqrt(v+vy2+v22) Fs = FlD+ F2 tan angle = Fx / Fy F= GE; V= (N/C)-m V= (k-q)/r Va — Vi =-Ed 1.1 Conductors moment dipolar eps= epsr:eps0 Eo / epsr; metall : q superficial metall : carrega des=ment repartida. Poder punxes E int=q int=0 1.2 Condensadors : densitat de cárrega nt densitat de q = V/Volum vV/Volum = 5-eps0-E2 Volum = Area-d = Q/V = eps0: (Area/d) U = 5(Q7/0)= 5(QU)= %-:CV? tau = Q/Area V++ = E-d = (tau/epsO)-d tau = densitat superf. q 1.3 Llei de Gauss : flux E-A-cos(fi)Nm'/C? flux = 4-pi-k-Qint flux flux = E = (tau/(2:eps0)):h” 1.4 Treball £ Energy. : Wi = Fi + inerdi U=aqv incr U 1 = (7 41) = kemev2tinol-imicial = K Ampere = C/s = 1 = q/t dens = n = portadors/vol. Il =nmAvqJ=nquv J =1/A; J = tau-E mobilitat mu = v/E R = ro(l/A)=(1/tau) (1/A) R série = RI + Re R]] = (Ri + R2)/(R1-R2) R|| = 1/R1 + 1/R0 2.1 GeneradorsáPoténcia: P= VI =12/R = W/R P = fem-I = Generador real: Va — Va = fem -(I-r) Generador corrent obert Vo — Va = fem 1 = fem/(R + 5) + Tec = fem/R - V sentit 1] implica V-| vete 2.2 Circuits RC carrega e(t)= C-fem(1-e*(-t/R-C)) o(t)= Orina(1-e"(-t/tau)) Ta -e*(-t/tau) R:C = cte. Temps exemplel: temps 90% Q*inet t = -R:C-In(1-0.9) exemple2: q en tau temps a(tau) = 0.37:0; temps que triga en carregar-se un 63% :| Saturació(0.5V > Banda de conducció Gap (Banda prohibida) Banda de Valencia 3.1 Díode d'unió PN : Tensió llindar = 0.7 V Inversa no condueix Ruptura inversa = 6 V 3.2 Diode Zener : Si limitador de tensió: Iz-Vz; inversa 5v (Rc-Vin)/(R + Re) (Rc: Vmin)/(R + Rc) ó Uno Vnin)/Vz) -Re >= R I a Rr se suposa Vaa = V7 Vz/Re; Iz = In - Ta-R + Pz = Vmáx 3.3 Transistor NPN : p tensitat Var >= 0.7 VcE > 0V) Regió Activa(Vcr > 0.5V) Ic = constant Ic + Is - Ic Voc Ro = VoF Beta = Ic/le Regió de Ruptura : VOD ++ 40V —> 10 ++ Regió de Tall (15 - 0) Ic- 0 -Amplificació Voltetge a) Entrada (Ro molt gran) 15 - (Vin -0.7)/RD b) Sortida: recta de carr. Tec = (Veco -Ves)/Re Punt Q = Punt de treball Transistor en Tall Vin < 0.7 Y —> Vec= 10 Y Transistor en Regió Activa Recta decreixent, no apte per a la computació Transistor en Saturació Vin — 5 Y —> Vic=0V Cristall tipus p ua com un canal tipus n per tant fa de capa d'inversió tensió porta-font=V6s ' drenador-font = Vos In = 1 del drenador a font a) Regió de Tall : VL = potencial llinder(mín) Ver >= VL- 4V b) Regió Óhmica lineal : In = K/(VI2) -(Vor -V1) «Vr on K és una constant MOSFET Aquesta expressió també és: lo = Vor/Rb sii: Bo = VL2/K(Ver -VL) El límit de la regió ohm és VoF < (VPF -VL0) c) Regió de Saturació : Io = constent estrangulació del canal Tn = K/(2-V12) - (Ver -V1)2 d) Regió de ruptura : Vo ++ - de 20V a 50Y Ver ++ - 50Y 
