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Complete Coverage of DRAM, SRAM, EPROM, and Flash Memory ICs,of © 1997 Integrated Circuit Engineering Corporation
Tipologia: Notas de estudo
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Source: ICE, "Memory 1996" 19956
Column
Row
Cell Selected
Sense Amplifier Current Detector
To Output Buffer
Source: Sharp 19957
Expansion I/O ROM
Video RAM
Application Area
Data Area
DOS Data Interupt Vector
ROM Data Mapping
DOS System Memory
8M ROM/RAM Coexistent Memory
ROM/RAM Area
1Mbyte
Possible to arrange ROM and RAM freely together on the entire memory area.
Field Oxide
P- Substrate
Second-Level Polysilicon
Gate Oxide
First-Level Polysilicon (Floating)
Source: Intel 18474
Programmed State (Logic "0")
Drain Current
Erased State (Logic "1")
Sense Threshold
Select Gate Voltage
Source: ICE, "Memory 1996" 17548A
n
19051
Select Gate
Floating Gate Source: ICE, "Memory 1996"
Photo by ICE 19047
Source: Mitsubishi Electric
Flash Memory EPROM EEPROM
19958
Metal Bit Line Polysilicon Select Gate
Deposited Oxide (^) Polysilicon Control Gate Floating Gate
Diffused Source
Tunneling Region
Diffused Drain
Select Transistor
Memory Transistor
Source: ICE, "Memory 1996" 17551
Erase
Program
Read
Unselected
Source: ICE, "Memory 1996" 17554A
EPROM versus EEPROM
Source: ICE, "Memory 1996" 17555
Hot electron injection
1 transistor cell
Oxide ≈ 150Å
IPP current
External VPP
Fowler Nordeim tunneling
2 transistor cell
Oxide ≈ 80Å
No IPP current
Internal VPP
Technology
Die Size
Min Gate - (N)
Cell Pitch
Cell Area
5.7 x 8.9mm (51mm 2 )
1.3μm
2.6 x 8.1μm
21 μm 2
6.1 x 8.2mm (50mm 2 )
0.6μm
4.25 x 5.3μm
22.5μm 2
3.4 x 4.3mm (14.6mm 2 )
0.6μm
2.1 x 2.1μm
4.4μm 2
4 x 4.5mm (18mm 2 )
0.7μm
2.5 x 2.7μm
6.8μm 2
1Mbit 9443
1Mbit 1994 - 1995
1Mbit 9428
1Mbit 1994 - 1995
Source: ICE, "Memory 1996" 20847